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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RD3T050CNTL1 Rohm Semiconductor RD3T050CNTL1 1.3200
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3T050 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 5A(Tc) 10V 760m옴 @ 2.5A, 10V 5.25V @ 1mA 8.3nC @ 10V ±30V 330pF @ 25V - 29W(Tc)
RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1 0.8300
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 6-파워WFDFN RV4E031 MOSFET(금속) DFN1616-6W 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RV4E031RPHZGTCR1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 3.1A(타) 105m옴 @ 3.1A, 10V 2.5V @ 1mA 4.8nC @ 5V ±20V 10V에서 460pF - 1.5W(타)
R6024VNXC7G Rohm Semiconductor R6024VNXC7G 4.9500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6024 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R6024VNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 13A(티씨) 10V, 15V 153m옴 @ 6A, 15V 700μA에서 6.5V 38nC @ 10V ±30V 100V에서 1800pF - 70W(Tc)
EMB3T2R Rohm Semiconductor EMB3T2R 0.0801
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 ECAD 8237 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMB3T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 2.5mA, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ -
TT8U2TR Rohm Semiconductor TT8U2TR 0.1774
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 ECAD 6721 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8U2 MOSFET(금속) 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2.4A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2.4A, 4.5V 1V @ 1mA 6.7nC @ 4.5V ±10V 10V에서 850pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
RSD045P05TL Rohm Semiconductor RSD045P05TL 0.4395
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 ECAD 7202 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - - - RSD045 - - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 - 4.5A(Tc) - - - -
2SAR522UBTL Rohm Semiconductor 2SAR522UBTL 0.2100
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 2SAR522 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 20V 200mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1mA, 2V 350MHz
UMH2NFHATN Rohm Semiconductor UMH2NFHATN 0.4800
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 ECAD 780 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH2 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-UMH2NFHATNTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
2SD2150T100S Rohm Semiconductor 2SD2150T100S 0.2271
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 ECAD 6066 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SD2150 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 100mA, 2A 270 @ 100mA, 2V 290MHz
RCJ300N20TL Rohm Semiconductor RCJ300N20TL 3.2300
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 ECAD 4491 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ300 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 30A(Tc) 10V 80m옴 @ 15A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor RD3L01BATTL1 1.1600
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 ECAD 12 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3L01 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 10A(타) 4.5V, 10V 84m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 15.2nC @ 10V ±20V 30V에서 1200pF - 26W(타)
R6007ENX Rohm Semiconductor R6007ENX 2.4600
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 ECAD 136 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6007 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 7A(TC) 10V 620m옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 390pF @ 25V - 40W(Tc)
2SC5658T2LR Rohm Semiconductor 2SC5658T2LR 0.4000
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 ECAD 5307 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SC5658 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 150mA 100μA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz
DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor DTA115EUAT106 0.3000
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 ECAD 275 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA115 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 20mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
RSR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RSR025N05HZGTL 0.6800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 RSR025 MOSFET(금속) TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 45V 2.5A(타) 4V, 10V 100m옴 @ 2.5A, 10V 3V @ 1mA 3.6nC @ 5V ±20V 10V에서 260pF - 700mW(타)
SST4403T116 Rohm Semiconductor SST4403T116 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4403 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 100nA(ICBO) PNP 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 200MHz
2SB1709TL Rohm Semiconductor 2SB1709TL 0.1890
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 ECAD 6836 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SB1709 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 12V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 200mV @ 25mA, 500mA 270 @ 200mA, 2V 400MHz
DTC115TETL Rohm Semiconductor DTC115TETL 0.3500
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC115 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
BCX71JT116 Rohm Semiconductor BCX71JT116 -
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 ECAD 8562 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 SST3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 200mA - PNP - 250 @ 2mA, 5V 180MHz
SH8ME5TB1 Rohm Semiconductor SH8ME5TB1 1.9500
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 ECAD 4706 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8ME5 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 2,500 - 100V 4.5A(타) 58m옴 @ 4.5A, 10V, 91m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V, 52nC @ 10V 50V에서 305pF, 50V에서 2100pF 기준
RSH125N03TB1 Rohm Semiconductor RSH125N03TB1 0.7215
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 ECAD 1324 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSH125 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 4V, 10V 9.1m옴 @ 12.5A, 10V 2.5V @ 1mA 28nC @ 5V ±20V 10V에서 1670pF - 2W(타)
2SAR552P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR552P5T100 0.5500
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR552 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 30V 3A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 200 @ 500mA, 2V 330MHz
2SB1308T100P Rohm Semiconductor 2SB1308T100P -
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 ECAD 4385 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1308 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 3A 500nA(ICBO) PNP 450mV @ 150mA, 1.5A 82 @ 500mA, 2V 120MHz
2SB1326TV2R Rohm Semiconductor 2SB1326TV2R -
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 ECAD 4720 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SB1326 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 20V 5A 500nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 180 @ 500mA, 2V 120MHz
DTC124XEFRATL Rohm Semiconductor DTC124XEFRATL 0.3000
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTC124 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
DTC024XUBTL Rohm Semiconductor DTC024XUBTL 0.0488
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 ECAD 3225 0.00000000 로옴 DTC024X 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTC024 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스 + 의무 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 22kΩ
SP8J1TB Rohm Semiconductor SP8J1TB -
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 ECAD 4227 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8J1 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 30V 5A 42m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 16nC @ 5V 1400pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTA044EMT2L Rohm Semiconductor DTA044EMT2L 0.2400
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 ECAD 74 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA044 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 30mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 47kΩ 47kΩ
2SB1427T100U Rohm Semiconductor 2SB1427T100U -
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 ECAD 3042 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1427 2W MPT3 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SB1427T100UTR 1,000 20V 2A 500nA(ICBO) NPN 450mV @ 150mA, 1.5A 180 @ 500mA, 2V
QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22TCR 1.2800
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 ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8M22 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 40V 4.5A(타), 2A(타) 46m옴 @ 4.5A, 10V, 190m옴 @ 2A, 10V 2.5V @ 10μA, 3V @ 1mA 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V 20V에서 193pF, 20V에서 450pF -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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