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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC124ECAHZGT116 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 350 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor ru1l002sntl 0.4000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-85 Ru1l002 MOSFET (금속 (() umt3f 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 200MW (TA)
2SA2092TLR Rohm Semiconductor 2SA2092TLR -
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 2V 300MHz
2SB1326TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1326TV2Q -
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 Rohm 반도체 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 2SB1326 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 120 @ 500ma, 2V 120MHz
DTD123TCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123TCHZGT116 0.2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms
RW1C015UNT2R Rohm Semiconductor RW1C015UNT2R -
RFQ
ECAD 2132 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RW1C015 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 1.5V, 4.5V 180mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 1.8 nc @ 4.5 v ± 10V 110 pf @ 10 v - 400MW (TA)
2SK2094TL Rohm Semiconductor 2SK2094TL 0.5748
RFQ
ECAD 8190 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2094 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 350mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 400 pf @ 10 v - 20W (TC)
EMH9T2R Rohm Semiconductor EMH9T2R 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH9T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
DTA124XU3T106 Rohm Semiconductor DTA124XU3T106 0.2000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA124 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SC2412KT146R Rohm Semiconductor 2SC2412KT146R 0.2300
RFQ
ECAD 76 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2412 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 180MHz
DTC643TKT146 Rohm Semiconductor DTC643TKT146 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC643 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 600 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 2.5ma, 50ma 820 @ 50MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
RSC002P03T316 Rohm Semiconductor RSC002P03T316 0.3200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RSC002 MOSFET (금속 (() SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 250MA (TA) 4V, 10V 1.4ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 30 pf @ 10 v - 200MW (TA)
EMD6T2R Rohm Semiconductor EMD6T2R 0.4000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMD6T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
DTA144WETL Rohm Semiconductor DTA144WETL 0.1011
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA144 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 30 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
2SD2654E3TLV Rohm Semiconductor 2SD2654E3TLV 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SD2654 150 MW EMT3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 300NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 820 @ 1ma, 5V 250MHz
SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor Sh8ka1gzetb 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8ka1 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A (TA) 80mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3NC @ 10V 125pf @ 15V -
DTC114TUAT106 Rohm Semiconductor DTC114TUAT106 0.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
DTC114TETL Rohm Semiconductor DTC114TETL 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC114 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
UMY1NTR Rohm Semiconductor umy1ntr 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMY1 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP (이미 터 결합 결합) 400mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz, 140MHz
2SD2264TV2R Rohm Semiconductor 2SD2264TV2R -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 290MHz
2SC5659T2LP Rohm Semiconductor 2SC5659T2LP 0.4400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SC5659 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 25 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 82 @ 1ma, 6V 300MHz
2SA2094TLQ Rohm Semiconductor 2SA2094TLQ 0.4600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SA2094 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 300MHz
R6520ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6520ENZ4C13 5.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 R6520 MOSFET (금속 (() TO-247G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6520ENZ4C13 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 231W (TC)
2SC5658T2LR Rohm Semiconductor 2SC5658T2LR 0.4000
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SC5658 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 100µA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
IMH1AT110 Rohm Semiconductor IMH1AT110 0.4400
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH1 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
SCT4036KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4036KRHRC15 23.1200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4036KRHRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 43A (TC) 18V 47mohm @ 21a, 18V 4.8V @ 11.1ma 91 NC @ 18 v +21V, -4V 2335 pf @ 800 v - 176W
2SC5658FHAT2LR Rohm Semiconductor 2SC5658FHAT2LR 0.3800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 180MHz
R6024VNXC7G Rohm Semiconductor R6024VNXC7G 4.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024VNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 13A (TC) 10V, 15V 153mohm @ 6a, 15V 6.5V @ 700µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1800 PF @ 100 v - 70W (TC)
R6024KNXC7G Rohm Semiconductor R6024KNXC7G 5.5800
RFQ
ECAD 970 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6024 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6024KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TA) 10V 165mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 74W (TC)
2SA2092TLQ Rohm Semiconductor 2SA2092TLQ 0.1137
RFQ
ECAD 9022 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SA2092 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2SA2092MGTLQ 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 2V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고