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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SP8M7FU6TB Rohm Semiconductor SP8M7FU6TB -
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 7a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SCR514RHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR514RHZGTL 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SCR514RHZGTLTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 700 MA 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 15ma, 300ma 120 @ 100MA, 3V 320MHz
2SA2092TLR Rohm Semiconductor 2SA2092TLR -
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 2V 300MHz
2SA1797T100P Rohm Semiconductor 2SA1797T100P 0.6500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SA1797 2 w MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 50MA, 1A 82 @ 500ma, 2V 200MHz
2SD1758TLP Rohm Semiconductor 2SD1758TLP 0.2736
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1758 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 800mv @ 200ma, 2a 82 @ 500ma, 3v 100MHz
RSS105N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS105N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS105 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10.5A (TA) 4V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v 20V 1130 pf @ 10 v - 2W (TA)
SH8KC7TB1 Rohm Semiconductor SH8KC7TB1 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SH8KC7 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 10.5A (TA) 12.4mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 1mA 22NC @ 10V 1400pf @ 30V -
DTC123JMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC123JMFHAT2L 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 DTC123 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RRS125N03TB1 Rohm Semiconductor RRS125N03TB1 -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 10mohm @ 12.5a, 10V - 40.5 nc @ 15 v 2300 pf @ 10 v - -
RJU003N03T106 Rohm Semiconductor RJU003N03T106 0.4700
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 RJU003 MOSFET (금속 (() UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.1ohm @ 300ma, 4.5v 1.5V @ 1mA ± 12V 24 pf @ 10 v - 200MW (TA)
QS5U27TR Rohm Semiconductor qs5u27tr 0.7400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U27 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 4.2 NC @ 4.5 v ± 12V 325 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
US6M2TR Rohm Semiconductor US6M2TR 0.6700
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 US6M2 MOSFET (금속 (() 1W Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 20V 1.5a, 1a 240mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.2NC @ 4.5V 80pf @ 10V -
RSQ025P03TR Rohm Semiconductor rsq025p03tr 0.2756
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ025 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 110mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 4.4 NC @ 5 v ± 20V 320 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SP8M6TB Rohm Semiconductor SP8M6TB -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M6 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 3.5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
QS5U16TR Rohm Semiconductor qs5u16tr 0.2360
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.9 NC @ 4.5 v ± 12V 175 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
SP8J5TB Rohm Semiconductor SP8J5TB 1.5669
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8J5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7a 28mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 25NC @ 5V 2600pf @ 10V 논리 논리 게이트
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor rtq020n03tr 0.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RTQ020 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.3 NC @ 4.5 v ± 12V 135 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
QS5U21TR Rohm Semiconductor qs5u21tr 0.2832
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U21 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 4.2 NC @ 4.5 v ± 12V 325 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
2SB1412TLQ Rohm Semiconductor 2SB1412TLQ 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB1412 10 W. CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 4A 82 @ 500ma, 2V 120MHz
SP8K1TB Rohm Semiconductor SP8K1TB 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K1 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5a 51mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.5NC @ 5V 230pf @ 10V 논리 논리 게이트
RTE002P02TL Rohm Semiconductor RTE002P02TL 0.1546
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 RTE002 MOSFET (금속 (() EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.5ohm @ 200ma, 4.5v 2V @ 1mA ± 12V 50 pf @ 10 v - 150MW (TA)
RSR025N03TL Rohm Semiconductor RSR025N03TL 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 70mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 4.1 NC @ 5 v 20V 165 pf @ 10 v - 1W (TA)
DTA113ZEFRATL Rohm Semiconductor dta113zefratl 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA113 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SA2030T2L Rohm Semiconductor 2SA2030T2L 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SA2030 150 MW VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 12 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 200ma 270 @ 10MA, 2V 260MHz
2SD1858TV2R Rohm Semiconductor 2SD1858TV2R -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip 1 W. ATV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 150MHz
R6015ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6015ENZM12C8 -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6015 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6015ENZM12C8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 910 pf @ 25 v - 120W (TC)
2SA1576U3T106S Rohm Semiconductor 2SA1576U3T106S 0.2900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1576 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor rsq020n03tr 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RSQ020 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 134mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 3.1 NC @ 5 v ± 20V 110 pf @ 10 v - 600MW (TA)
2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR293P5T100 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR293 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
2SCR293PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PFRAT100 0.1412
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR293 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350MV @ 25MA, 500MA 270 @ 100MA, 2V 320MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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