SIC
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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
VT6T11T2R Rohm Semiconductor VT6T11T2R 0.4200
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 VT6T11 150mW VMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 20V 200mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1mA, 2V 350MHz
DTD743XMT2L Rohm Semiconductor DTD743XMT2L 0.1035
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 ECAD 7029 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 DTD743 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 30V 200mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 10kΩ
RSS060P05TB1 Rohm Semiconductor RSS060P05TB1 -
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 ECAD 6028 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-RSS060P05TB1TR 더 이상 사용하지 않는 경우 2,500 -
2SD1859TV2R Rohm Semiconductor 2SD1859TV2R -
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 ECAD 2690 0.00000000 로옴 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SIP 2SD1859 1W ATV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 80V 700mA 500nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 500mA 180 @ 100mA, 3V 120MHz
2SB1698T100 Rohm Semiconductor 2SB1698T100 0.2667
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 ECAD 8924 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1698 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 370mV @ 50mA, 1A 270 @ 100mA, 2V 280MHz
RF6C055BCTCR Rohm Semiconductor RF6C055BCTCR 0.7500
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 ECAD 2580 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RF6C055 MOSFET(금속) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 5.5A(타) 4.5V 25.8m옴 @ 5.5A, 4.5V 1.2V @ 1mA 15.2nC @ 4.5V ±8V 1080pF @ 10V - 1W(Tc)
2SCR513RTL Rohm Semiconductor 2SCR513RTL 0.4700
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 ECAD 9 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SCR513 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 1A 1μA(ICBO) NPN 350mV @ 25mA, 500mA 180@50mA, 2V 360MHz
SP8K1TB Rohm Semiconductor SP8K1TB 0.9300
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K1 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A 51m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V 게임 레벨 레벨
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM600 실리콘 카바이드(SiC) 2450W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BSM600D12P3G001 EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1200V(1.2kV) 600A(Tc) - 5.6V @ 182mA - 31000pF @ 10V -
SP8M5TB Rohm Semiconductor SP8M5TB -
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 ECAD 8928 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8M5 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6A, 7A 30m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 5V 520pF @ 10V 게임 레벨 레벨
DTA143EE3TL Rohm Semiconductor DTA143EE3TL 0.3700
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 DTC143Z 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA143 150mW EMT3 - ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스 + 의무 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DTB513ZMT2L Rohm Semiconductor DTB513ZMT2L 0.4400
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTB513 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 140 @ 100mA, 2V 260MHz 1kΩ 10kΩ
DTD543EMT2L Rohm Semiconductor DTD543EMT2L 0.1035
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 ECAD 4124 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTD543 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 12V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 5mA, 100mA 115 @ 100mA, 2V 260MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
UT6K3TCR Rohm Semiconductor UT6K3TCR 0.7700
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN UT6K3 - 2W HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 5.5A 42m옴 @ 5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4nC @ 4.5V 450pF @ 15V -
SP8K5TB Rohm Semiconductor SP8K5TB -
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 ECAD 4828 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K5 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 3.5A 83m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V 게임 레벨 레벨
BSS63AT116 Rohm Semiconductor BSS63AT116 0.3500
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS63 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100V 100mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 100mA 30 @ 25mA, 1V 200MHz
RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65DHRC11 7.3300
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 ECAD 3829 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGW80 기준 214W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGW80TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10옴, 15V 92ns 트렌치 필드스톱 650V 80A 160A 1.9V @ 15V, 40A 110nC 42ns/148ns
SH8M41TB1 Rohm Semiconductor SH8M41TB1 1.6300
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SH8M41 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 80V 3.4A, 2.6A 130m옴 @ 3.4A, 10V 2.5V @ 1mA 9.2nC @ 5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SB1386T100Q Rohm Semiconductor 2SB1386T100Q 0.6100
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1386 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 5A 500nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 120 @ 500mA, 2V 120MHz
2SB1424T100Q Rohm Semiconductor 2SB1424T100Q 0.1982
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 ECAD 8589 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1424 500mW MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 2A 120 @ 100mA, 2V 240MHz
UT6MB5TCR Rohm Semiconductor UT6MB5TCR 0.8900
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 ECAD 3 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN UT6M MOSFET(금속) 2W(타) HUML2020L8 다운로드 1(무제한) 3,000 - 40V 5A(Ta), 3.5A(Tc) 48m옴 @ 5A, 10V, 122m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA - - 기준
DTA144EEBTL Rohm Semiconductor DTA144EEBTL 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-89, SOT-490 DTA144 150mW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
SSTA56T116 Rohm Semiconductor SSTA56T116 0.4400
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 ECAD 5 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA56 350mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 80V 500mA 1μA PNP 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
RSS065N06HZGTB Rohm Semiconductor RSS065N06HZGTB 1.6400
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 6.5A(타) 4V, 10V 37m옴 @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 16nC @ 5V ±20V 10V에서 900pF - 2W(타)
DTB123YCT116 Rohm Semiconductor DTB123YCT116 0.3700
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 ECAD 333 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 10kΩ
RD3S100AAFRATL Rohm Semiconductor RD3S100AAFRATL 2.9600
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 ECAD 1 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RD3S100 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 190V 10A(TC) 4V, 10V 182m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 85W(Tc)
DTC144GUAT106 Rohm Semiconductor DTC144GUAT106 0.0536
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 ECAD 1775년 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTC144 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ
2SC5731T100R Rohm Semiconductor 2SC5731T100R -
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 ECAD 1303 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-243AA 2SC5731 MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 30V 2A - NPN - - -
DTA114EMT2L Rohm Semiconductor DTA114EMT2L 0.3900
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 ECAD 871 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA114 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
DTC124ESATP Rohm Semiconductor DTC124ESATP -
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 ECAD 2845 0.00000000 로옴 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 SC-72 수정했어요 DTC124 300mW SPT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 50V 30mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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