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트랜지스터 (3592)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | BSS5130AHZGT116 | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS5130 | 200 MW | SST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 380mv @ 25ma, 500ma | 270 @ 100MA, 2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | DTC043XMT2L | 0.2700 | | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | DTC043 | 150 MW | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 150MV @ 500µA, 5MA | 35 @ 5MA, 10V | 250MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
 | 2SD1866TV2 | - | | 6271 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 1 W. | ATV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 60 v | 2 a | 1µA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.5v @ 1ma, 1a | 1000 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||
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 | DTA114EUAT106 | 0.2600 | | 18 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA114 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||
| DTC143ZUAT106 | 0.2600 | | 89 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
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| BCX71JT116 | - | | 8562 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | SST3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 200 MA | - | PNP | - | 250 @ 2MA, 5V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
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| DTC143ZETL | 0.3500 | | 77 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
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 | qs5w2tr | 0.6300 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | QS5W2 | 1.25W | TSMT5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 50V | 3A | 1µA (ICBO) | 2 npn (() 공통 이미 터 | 350MV @ 50MA, 1A | 180 @ 50MA, 3V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||
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| 2SAR375P5T100Q | 0.6600 | | 435 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SAR375 | 500MW | MPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 v | 1.5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 320mv @ 80ma, 800ma | 120 @ 200ma, 5V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||
| DTB743ZETL | 0.1049 | | 8172 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | DTB743 | 150 MW | EMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 200 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 140 @ 100MA, 2V | 260MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
| 2SB1443TV2P | - | | 7848 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 3-sip | 2SB1443 | 1 W. | ATV | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 846-2SB1443TV2PTR | 2,500 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 120 @ 100MA, 2V | |||||||||||||||||||||||||||
 | MMSTA28T146 | 0.4100 | | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMSTA28 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 300 MA | 500NA | npn-달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
| RQ5E025ATTCL | 0.5100 | | 16 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RQ5E025 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.5A (TA) | 10V | 91mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 2.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 220 pf @ 15 v | - | 1W (TC) |
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