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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
R8008ANJGTL Rohm Semiconductor R8008ANJGTL 5.8200
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 ECAD 978 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB R8008 MOSFET(금속) TO-263S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-R8008ANJGTLTR EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 800V 8A(TC) 10V 1.03옴 @ 4A, 10V 5V @ 1mA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1100pF - 195W(Tc)
DTC023EMT2L Rohm Semiconductor DTC023EMT2L 0.2400
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC023 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA - NPN - 사전 바이어스됨 200mV @ 1mA, 10mA 20 @ 20mA, 10V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
RMW280N03TB Rohm Semiconductor RMW280N03TB -
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 ECAD 5240 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RMW280 MOSFET(금속) 8-PSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 28A(타) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 53nC @ 10V ±20V 15V에서 3130pF - 3W(타)
QH8MB5TCR Rohm Semiconductor QH8MB5TCR 0.9600
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 ECAD 2245 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 QH8MB5 MOSFET(금속) 1.1W(타) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 40V 4.5A(타), 5A(타) 44m옴 @ 4.5A, 10V, 41m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V 20V에서 150pF, 20V에서 920pF -
UMB8NTR Rohm Semiconductor UMB8NTR 0.0848
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 ECAD 3905 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB8 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
R6015ANX Rohm Semiconductor R6015ANX 6.2100
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 ECAD 189 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 R6015 MOSFET(금속) TO-220FM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 15A(타) 10V 300m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1mA 50nC @ 10V ±30V 25V에서 1700pF - 50W(Tc)
QS5Y1TR Rohm Semiconductor QS5Y1TR 0.7400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-5 플라이, TSOT-23-5 QS5Y1 1.25W TSMT5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 30V 3A 1μA(ICBO) NPN, PNP(이미터) 400mV @ 50mA, 1A 200 @ 500mA, 2V 300MHz, 270MHz
DTA144EUBHZGTL Rohm Semiconductor DTA144EUBHZGTL 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SC-85 DTA144 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
IMZ1AT108 Rohm Semiconductor IMZ1AT108 0.3600
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 ECAD 15 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 IMZ1 300mW SMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 180MHz, 140MHz
SSTA28T116 Rohm Semiconductor SSTA28T116 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA28 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 300mA 500nA NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
2SCR372PT100R Rohm Semiconductor 2SCR372PT100R 0.3426
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 ECAD 4522 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SCR372 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 120V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 220MHz
2SA1952TLQ Rohm Semiconductor 2SA1952TLQ -
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 ECAD 4527 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SA1952 1W CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 60V 5A 10μA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 4A 120 @ 1A, 2V 80MHz
TT8U1TR Rohm Semiconductor TT8U1TR 0.3152
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 ECAD 4930 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TT8U1 MOSFET(금속) 8-TSST 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2.4A(타) 1.5V, 4.5V 105m옴 @ 2.4A, 4.5V 1V @ 1mA 6.7nC @ 4.5V ±10V 10V에서 850pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.25W(타)
2SCR514RTL Rohm Semiconductor 2SCR514RTL 0.5400
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 2SCR514 1W TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
DTD143ECT216 Rohm Semiconductor DTD143ECT216 0.4300
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 ECAD 921 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200mW SST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 500mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SAR544PT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PT100 0.7000
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 ECAD 465 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SAR544 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 2.5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 3V 280MHz
2SC5659T2LP Rohm Semiconductor 2SC5659T2LP 0.4400
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 ECAD 7 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SC5659 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 25V 50mA 500nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 82 @ 1mA, 6V 300MHz
UMD12NFHATR Rohm Semiconductor UMD12NFHATR 0.1088
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 ECAD 3543 0.00000000 로옴 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 UMD12 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. Q12178451 EAR99 8541.21.0095 3,000
2SCR514RHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR514RHZGTL 0.7900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 500mW TSMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-2SCR514RHZGTLTR EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 700mA 1μA(ICBO) NPN 300mV @ 15mA, 300mA 120 @ 100mA, 3V 320MHz
DTA123JMT2L Rohm Semiconductor DTA123JMT2L 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTA123 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
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 ECAD 4558 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K5 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 3.5A 83m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 5V 140pF @ 10V 게임 레벨 레벨
EMD3T2R Rohm Semiconductor EMD3T2R 0.3900
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 ECAD 6804 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMD3T2 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
UMB1NTN Rohm Semiconductor UMB1NTN 0.0848
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 ECAD 5871 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB1 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V - 22k옴 22k옴
DTA114EUBTL Rohm Semiconductor DTA114EUBTL -
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 ECAD 8649 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA114 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
DTA123JU3T106 Rohm Semiconductor DTA123JU3T106 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA123 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100mA - PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
DTA144WUAT106 Rohm Semiconductor DTA144WUAT106 0.3000
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DTA144 200mW UMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
SP8K33HZGTB Rohm Semiconductor SP8K33HZGTB 1.9700
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) SP8K33 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 5A(타) 48m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 12nC @ 5V 620pF @ 10V -
BSM300D12P3E005 Rohm Semiconductor BSM300D12P3E005 1.0000
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 ECAD 6 0.00000000 로옴 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 BSM300 실리콘 카바이드(SiC) 1260W(Tc) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-BSM300D12P3E005 EAR99 8541.29.0095 4 2 N 채널(하프 다리) 1200V(1.2kV) 300A(Tc) - 5.6V @ 91mA - 14000pF @ 10V -
UMD12NTR Rohm Semiconductor UMD12NTR 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD12 150mW UMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
EM6M2T2R Rohm Semiconductor EM6M2T2R 0.5300
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 ECAD 120 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EM6M2 MOSFET(금속) 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 N 및 P 채널 20V 200mA 1옴 @ 200mA, 4V 1V @ 1mA - 25pF @ 10V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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