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트랜지스터 (3592)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
EMH53T2R Rohm Semiconductor EMH53T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH53 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 150MV @ 500µA, 5MA 100 @ 5ma, 10V 250MHz 4.7kohms -
UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor UMT4401U3HZGT106 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMT4401 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-UMT4401U3HZGT106TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR587D3TL1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10 W. TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SCR587D3TL1CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 120 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 120mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 5V 250MHz
RH6G040BGTB1 Rohm Semiconductor RH6G040BGTB1 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 20 v - 59W (TC)
FMC6AT148 Rohm Semiconductor FMC6AT148 0.1312
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMC6 300MW SMT5 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 5MA, 250µA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100kohms -
UMG2NTR Rohm Semiconductor umg2ntr 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMG2 150MW UMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
DTA123YE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA123YE3HZGTL 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DTA123YE3HZGTLCT 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SAR512PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR512PHZGT100 0.6200
RFQ
 ECAD 808 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 35ma, 700ma 200 @ 100ma, 2v 430MHz
GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor GNP1070TC-ZE2 18.7000
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerdfn GNP1070 Ganfet ((갈륨) DFN8080K 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 650 v 20A (TC) 5V, 5.5V 98mohm @ 1.9a, 5.5v 2.4V @ 18MA 5.2 NC @ 6 v +6V, -10V 200 pf @ 400 v - 56W (TC)
BC807-25T116 Rohm Semiconductor BC807-25T116 0.0878
RFQ
 ECAD 3843 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - - BC807 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA - PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
SCT4013DW7TL Rohm Semiconductor SCT4013DW7TL 37.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7L 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 750 v 98A (TJ) 18V 16.9mohm @ 58a, 18V 4.8V @ 30.8mA 170 nc @ 18 v +21V, -4V 4580 pf @ 500 v - 267W
UMD3NFHATR Rohm Semiconductor umd3nfhatr 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMD3 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA NPN + PNP 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
RV4E031RPTCR1 Rohm Semiconductor RV4E031RPTCR1 -
RFQ
 ECAD 9855 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powerwfdfn RV4E031 MOSFET (금속 (() DFN1616-6W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RV4E031RPTCR1TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 1mA 4.8 NC @ 5 v ± 20V 460 pf @ 10 v - 1.5W
R5016ANJTL Rohm Semiconductor R5016ANJTL 2.9591
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R5016 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 16A (TA) 10V 270mohm @ 8a, 10V 4.5V @ 1mA 50 nc @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 100W (TC)
2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SC4102U3HZGT106R 0.4200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4102 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-2SC4102U3HZGT106RTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 180 @ 2MA, 6V 140MHz
BSM300C12P3E301 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E301 1.0000
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 기준 기준 BSM300 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM300C12P3E301 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 300A (TC) - - 5.6v @ 80ma +22V, -4V 1500 pf @ 10 v 기준 1360W (TC)
UMZ8NTR Rohm Semiconductor umz8ntr 0.1049
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMZ8 150MW UMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 12V 150ma, 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma / 250mv @ 10ma, 200ma 120 @ 1ma, 6v / 270 @ 10ma, 2v 180MHz, 260MHz
2SAR542F3TR Rohm Semiconductor 2SAR542F3TR 0.5700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 2SAR542 2.1 w HUML2020L3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 240MHz
2SCR502EBTL Rohm Semiconductor 2SCR502EBTL 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SCR502 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 200NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 200ma 200 @ 100ma, 2v 360MHz
DTA114EEBHZGTL Rohm Semiconductor dta114eebhzgtl 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-89, SOT-490 DTA114 150 MW EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
EMH1T2R Rohm Semiconductor EMH1T2R 0.1084
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMH1T2 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
FMG8AT148 Rohm Semiconductor FMG8AT148 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMG8 300MW SMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
2SB1424T100Q Rohm Semiconductor 2SB1424T100Q 0.1982
RFQ
 ECAD 8589 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SB1424 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 2a 120 @ 100MA, 2V 240MHz
2SA2092TLQ Rohm Semiconductor 2SA2092TLQ 0.1137
RFQ
 ECAD 9022 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 2SA2092 500MW TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2SA2092MGTLQ 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 2V 300MHz
IMD8AT108 Rohm Semiconductor IMD8AT108 0.1154
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMD8 300MW smt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V - 47kohms -
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E070 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 410 pf @ 15 v - 2W (TA)
RGTV00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV00TS65DGC11 7.2700
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGTV00 기준 276 W. TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V 102 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.17mj (on), 940µJ (OFF) 104 NC 41ns/142ns
DTC115TETL Rohm Semiconductor DTC115TETL 0.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTC115 150 MW EMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DTA114EKAT146 Rohm Semiconductor DTA114EKAT146 0.2700
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 MW smt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RCD040N25TL Rohm Semiconductor RCD040N25TL -
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD040 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 4A (TA) 10V - - ± 30V - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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