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트랜지스터(3592)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
R6020JNZC8 Rohm Semiconductor R6020JNZC8 7.0000
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 ECAD 30 0.00000000 로옴 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 20A(TC) 15V 234m옴 @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45nC @ 15V ±30V 100V에서 1500pF - 76W(Tc)
RW4C045BCTCL1 Rohm Semiconductor RW4C045BCTCL1 0.8900
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 ECAD 20 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-파워UFDFN RW4C045 MOSFET(금속) DFN1616-7T 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4.5A(타) 1.8V, 4.5V 56m옴 @ 4.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V ±8V 10V에서 460pF - 1.5W(타)
RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 7.1000
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 ECAD 450 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3PFM, SC-93-3 RGTV80 기준 85W TO-3PFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGTV80TK65DGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10옴, 15V 101ns 트렌치 필드스톱 650V 39A 160A 1.9V @ 15V, 40A 1.02mJ(켜짐), 710μJ(꺼짐) 81nC 39ns/113ns
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor R6006JND3TL1 2.4200
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 ECAD 32 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 R6006 MOSFET(금속) TO-252 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 6A(TC) 15V 936m옴 @ 3A, 15V 7V @ 800μA 15.5nC @ 15V ±30V 100V에서 410pF - 86W(Tc)
ES6U42FU7T2R Rohm Semiconductor ES6U42FU7T2R -
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 ECAD 4455 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-ES6U42FU7T2RTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000
SCT2280KEC Rohm Semiconductor SCT2280KEC -
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 ECAD 9972 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SCT2280 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SCT2280KECU EAR99 8541.29.0095 360 N채널 1200V 14A(TC) 18V 364m옴 @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36nC @ 18V +22V, -6V 800V에서 667pF - 108W(Tc)
2SB1386T100R Rohm Semiconductor 2SB1386T100R 0.6000
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 ECAD 900 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2SB1386 2W MPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 5A 500nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 180 @ 500mA, 2V 120MHz
EMX52T2R Rohm Semiconductor EMX52T2R 0.4700
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 EMX52 150mW EMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 350MHz
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor RS1E150GNTB 0.6900
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 ECAD 2 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN RS1E MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 8.8m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 15V에서 590pF - 3W(Ta), 22.9W(Tc)
RCD040N25TL Rohm Semiconductor RCD040N25TL -
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 ECAD 9023 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RCD040 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 250V 4A(타) 10V - - ±30V - 20W(Tc)
R6025ANZC8 Rohm Semiconductor R6025ANZC8 -
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 ECAD 8515 0.00000000 로옴 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-3PF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 360 N채널 600V 25A(TC) 10V 150m옴 @ 12.5A, 10V 4.5V @ 1mA 88nC @ 10V ±20V 10V에서 3250pF - 150W(Tc)
RGTH00TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH00TS65GC13 6.2300
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 ECAD 600 0.00000000 로옴 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH00 기준 277W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 846-RGTH00TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 85A 200A 2.1V @ 15V, 50A - 94nC 39ns/143ns
DTA125TKAT146 Rohm Semiconductor DTA125TKAT146 0.0561
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 ECAD 2584 0.00000000 로옴 DTA125T 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA125 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 50μA, 500μA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 200kΩ
BCX71JT116 Rohm Semiconductor BCX71JT116 -
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 ECAD 8562 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 SST3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 200mA - PNP - 250 @ 2mA, 5V 180MHz
DTA015EUBTL Rohm Semiconductor DTA015EUBTL 0.0536
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 ECAD 3872 0.00000000 로옴 DTA015E 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-85 DTA015 200mW UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 10V 250MHz 100kΩ 100kΩ
RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11 3.7200
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 RGTH60 기준 197W TO-247N 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 650V 58A 120A 2.1V @ 15V, 30A - 58nC 27ns/105ns
RAL025P01TCR Rohm Semiconductor RAL025P01TCR 0.1195
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 ECAD 8207 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 RAL025 MOSFET(금속) TUMT6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 2.5A(타) 1.5V, 4.5V 62m옴 @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 16nC @ 4.5V -8V 2000pF @ 6V - 320mW(타)
ES6U42FU7T2CR Rohm Semiconductor ES6U42FU7T2CR -
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 ECAD 3891 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - ROHS3 준수 1(무제한) 846-ES6U42FU7T2CRTR 더 이상 사용하지 않는 경우 8,000
RRQ045P03HZGTR Rohm Semiconductor RRQ045P03HZGTR 1.3300
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 ECAD 248 0.00000000 로옴 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 4.5A(타) 4V, 10V 35m옴 @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 5V ±20V 1350pF @ 10V - 950mW(타)
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 720.0000
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 ECAD 4 0.00000000 로옴 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 방역 기준기준 BSM180 SiCFET(탄화규소) 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4 N채널 1200V 204A(Tc) - - 4V @ 35.2mA +22V, -6V 10V에서 20000pF - 1360W(Tc)
RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor RU1C001UNTCL 0.4000
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 ECAD 19 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-85 RU1C001 MOSFET(금속) UMT3F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 100mA(타) 1.2V, 4.5V 3.5옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 100μA ±12V 10V에서 7.1pF - 150mW(타)
RND030N20TL Rohm Semiconductor RND030N20TL 0.3700
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 ECAD 6806 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 RND030 MOSFET(금속) CPT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 200V 3A(TC) 10V 870m옴 @ 1.5A, 10V 5.2V @ 1mA 6.7nC @ 10V ±30V 270pF @ 25V - 850mW(Ta), 20W(Tc)
DTC044TMT2L Rohm Semiconductor DTC044TMT2L 0.0382
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 ECAD 8666 0.00000000 로옴 DTC044T 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 DTC044 150mW VMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 60mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 100 @ 5mA, 10V 250MHz 47kΩ
DTA143TEBTL Rohm Semiconductor DTA143TEBTL 0.0488
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 ECAD 3531 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 DTA143 150mW EMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
DTC144WKAT146 Rohm Semiconductor DTC144WKAT146 0.2600
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 ECAD 383 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200mW SMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 30mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
2SA2007E Rohm Semiconductor 2SA2007E 2.6300
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 ECAD 397 0.00000000 로옴 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA2007 25W TO-220FN 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 60V 12A 10μA(ICBO) PNP 500mV @ 400mA, 8A 320 @ 2A, 2V 80MHz
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor RTQ020N03TR 0.5800
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 ECAD 8 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 RTQ020 MOSFET(금속) TSMT6 (SC-95) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 2A(타) 2.5V, 4.5V 125m옴 @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.3nC @ 4.5V ±12V 10V에서 135pF - 1.25W(타)
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0.4900
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 ECAD 18 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 RUF015 MOSFET(금속) TUMT3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.5A(타) 1.8V, 4.5V 180m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 2.5nC @ 4.5V ±10V 110pF @ 10V - 800mW(타)
RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor RQ1E075XNTCR 0.8400
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 ECAD 14 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 RQ1E075 MOSFET(금속) TSMT8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 7.5A(타) 4V, 10V 17m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.8nC @ 5V ±20V 10V에서 440pF - 1.1W(타)
RCJ220N25TL Rohm Semiconductor RCJ220N25TL 3.0500
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 ECAD 988 0.00000000 로옴 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ220 MOSFET(금속) LPTS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 250V 22A(TC) 10V 140m옴 @ 11A, 10V 5V @ 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V - 1.56W(Ta), 40W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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