SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMT32M5LPS-13-50 Diodes Incorporated DMT32M5LPS-13-50 0.2968
RFQ
ECAD 9270 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT32 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 31-DMT32M5LPS-13-50 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 68 NC @ 10 v ± 20V 3944 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 100W (TC)
DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated DMN2230UQ-7 0.4200
RFQ
ECAD 134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2230 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 2.3 NC @ 10 v ± 12V 188 pf @ 10 v - 600MW (TA)
DMN2046U-7 Diodes Incorporated DMN2046U-7 0.3700
RFQ
ECAD 297 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2046 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 3.8 NC @ 4.5 v ± 12V 292 pf @ 10 v - 760MW (TA)
ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GQTA 0.8700
RFQ
ECAD 509 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP7A17 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 70 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10V 1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 635 pf @ 40 v - 2W (TA)
DDA114EUQ-7-F Diodes Incorporated DDA114EUQ-7-F 0.0637
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DDA (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA114 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDA114EUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DMT10H009LFG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LFG-7 0.4980
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMT10H009LFG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2361 pf @ 50 v - 2W (TA), 30W (TC)
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMC3025LSD-13 0.4600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC3025 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.5A, 4.2A 20mohm @ 7.4a, 10V 2V @ 250µA 9.8NC @ 10V 501pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMN6069SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN6069SFVWQ-7 0.1790
RFQ
ECAD 7663 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6069SFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 4A (TA), 14A (TC) 4.5V, 10V 69mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 740 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
DDTC114WE-7-F Diodes Incorporated DDTC114WE-7-F 0.0605
RFQ
ECAD 9652 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTC (R1 R2 시리즈) e 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC114 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DMN3024SFG-13 Diodes Incorporated DMN3024SFG-13 0.2035
RFQ
ECAD 4513 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3024 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3024SFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 25V 479 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DSS4160DS-7 Diodes Incorporated DSS4160DS-7 0.4700
RFQ
ECAD 7624 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DSS4160 700MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 100ma, 1a 100 @ 1a, 5V 220MHz
DCX122LU-7-F Diodes Incorporated DCX122LU-7-F -
RFQ
ECAD 4167 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX122 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 220ohms 10kohms
DCX68-25-13 Diodes Incorporated DCX68-25-13 -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX68 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 330MHz
DMN65D8LV-7 Diodes Incorporated DMN65D8LV-7 0.0620
RFQ
ECAD 2453 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 영향을받지 영향을받지 31-DMN65D8LV-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 370MW (TA)
DMP2045UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2045UFDB-7 0.1361
RFQ
ECAD 1714 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2045 MOSFET (금속 (() 740MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2045UFDB-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.1A (TA) 90mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 634pf @ 10V -
DMT10H9M9LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H9M9LSSSS-13 0.4606
RFQ
ECAD 8585 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMT10 - 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H9M9LSS-13TR 2,500
DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 0.7100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT6015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.2A (TA) 4.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 18.9 NC @ 30 v ± 16V 1103 pf @ 30 v - 1.5W (TA)
DPLS540E-13 Diodes Incorporated DPLS540E-13 -
RFQ
ECAD 5242 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DPLS540E-13TR 쓸모없는 3,000
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated DST847BPDP6-7 0.0672
RFQ
ECAD 8955 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DST847 250MW SOT-963 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma / 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz, 340MHz
DMN2027LK3-13 Diodes Incorporated DMN2027LK3-13 -
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN2027 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 11.6A (TA) 2.5V, 10V 21mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 12V 857 pf @ 10 v - 2.14W (TA)
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated DDTB113EC-7-F -
RFQ
ECAD 3124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 33 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
ZVP4424A Diodes Incorporated ZVP4424A 1.1500
RFQ
ECAD 2622 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP4424 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 ZVP4424A-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 240 v 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10V 2V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
BC847BTQ-7 Diodes Incorporated BC847BTQ-7 0.0398
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BC847BTQ-7TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FZT753QTC Diodes Incorporated FZT753QTC 0.2900
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FZT753QTCTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 140MHz
DMN4035LQ-13 Diodes Incorporated DMN4035LQ-13 0.4000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN4035 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 574 pf @ 20 v - 720MW
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN10H170SK3Q-13 0.6500
RFQ
ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 1167 pf @ 25 v - 42W (TC)
DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated DDTB142JU-7-F -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTB142 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 470 옴 10 KOHMS
FZT655TA-79 Diodes Incorporated FZT655TA-79 -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-FZT655TA-79TR 쓸모없는 3,000
BC856B-13-F Diodes Incorporated BC856B-13-F 0.2000
RFQ
ECAD 48 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15µA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
ZXT13N50DE6QTA Diodes Incorporated ZXT13N50DE6QTA 0.3608
RFQ
ECAD 5404 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 1.1 w SOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZXT13N50DE6QTART 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 4 a 100NA NPN 230mv @ 100ma, 4a 300 @ 1a, 2v 115MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고