SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated DMP1555UFA-7B 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP1555 MOSFET (금속 (() X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 800mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.84 nc @ 4.5 v ± 8V 55.4 pf @ 10 v - 360MW (TA)
DMP2023UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2023UFDF-7 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2023 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 7.6A (TA) 1.5V, 4.5V 27mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 8V 1837 pf @ 15 v - 730MW (TA)
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-13 0.2730
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC1028 MOSFET (금속 (() 1.36W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC1028UFDB-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 12V, 20V 6a, 3.4a 25mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 18.5NC @ 8V 787pf @ 6v -
DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L-13 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3042 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 26.5mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 860 pf @ 15 v - 720MW (TA)
DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated DMN62D0SFD-7 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 540MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 30.2 pf @ 25 v - 430MW (TA)
BSN20-7 Diodes Incorporated BSN20-7 0.3300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSN20 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 500MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8 nc @ 10 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 600MW (TA)
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 300MW (TA)
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated DMN2065UW-7 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2065 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.8A (TA) 1.5V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ± 12V 400 pf @ 10 v - 430MW (TA)
DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L-7 0.3700
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 20V 873 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010SK3-13 1.1100
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH6010 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 16.3A (TA), 70A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 36.3 NC @ 10 v ± 20V 1940 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 50µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 594.3 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3023L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 20V 873 pf @ 15 v - 900MW (TA)
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
DMG2302UQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 50µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 594.3 pf @ 10 v - 800MW (TA)
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7 0.5400
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3032 MOSFET (금속 (() 1W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.2A 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 10.6NC @ 10V 500pf @ 15V -
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 -
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 (TH3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 30V 351 pf @ 50 v - 41W (TC)
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DMN10H700S-7 Diodes Incorporated DMN10H700S-7 0.4200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 700MA (TA) 6V, 10V 700mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 235 pf @ 50 v - 400MW (TA)
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3Q-13 0.4939
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH4011 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 10mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 1405 pf @ 20 v - 2.6W (TA)
DMG6968U-7 Diodes Incorporated DMG6968U-7 0.5300
RFQ
 ECAD 636 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG6968 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 12V 151 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
DMN2104L-7 Diodes Incorporated DMN2104L-7 -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2104 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.3A (TA) 2.5V, 4.5V 53mohm @ 4.2a, 4.5v 1.4V @ 250µA ± 12V 325 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPS-13 1.2100
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH3002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 77 NC @ 10 v ± 16V 5000 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 136W (TC)
DMC2990UDJQ-7 Diodes Incorporated DMC2990UDJQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMC2990 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 450MA (TA), 310MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v, 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V, 0.4NC @ 4.5V 27.6pf @ 15V, 28.7pf @ 15V -
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated DMC3016LNS-7 0.2475
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMC3016 MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 보완 p 채널 및 30V 9A (TA), 6.8A (TA) 16mohm @ 7a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15v, 1188pf @ 15v -
DMN2011UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2011 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 14.2A (TA) 1.5V, 4.5V 9.5mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 12V 2248 pf @ 10 v - 2.1W (TA)
DMN3055LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDB-13 0.1276
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3055 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 5A (TA) 40mohm @ 3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.3NC @ 4.5V 458pf @ 15V -
DMP2040UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-13 0.1382
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2040 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 13A (TC) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19 NC @ 8 v ± 12V 834 pf @ 10 v - 1.8W (TA)
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3028LK3Q-13 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP3028 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1241 pf @ 15 v - 2.8W (TA)
DMP4010SK3-13 Diodes Incorporated DMP4010SK3-13 0.4504
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP4010 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 3.3W
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMPH6050 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 26A (TC) 48mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 14.5NC @ 4.5V 1525pf @ 30V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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