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![]() | ztx1049astz | 0.3920 | ![]() | 7430 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | ZTX1049 | 1 W. | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 25 v | 4 a | 10NA | NPN | 220MV @ 50MA, 4A | 300 @ 1a, 2v | 180MHz | |||||||||||||||
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![]() | DMG8880LSSSS-13 | - | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMG8880 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11.6A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.6a, 10v | 2V @ 250µA | 27.6 NC @ 10 v | ± 20V | 1289 pf @ 15 v | - | 1.43W (TA) | |||||||||||
![]() | DMC2004DWK-7 | 0.4900 | ![]() | 256 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMC2004 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 540ma, 430ma | 550mohm @ 540ma, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 150pf @ 16V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
![]() | DMG3407SSN-7 | 0.1040 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMG3407 | MOSFET (금속 (() | SC-59-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMG3407SSN-7DI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.1a, 10V | 2.1V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||
DMP31D7LWQ-13 | 0.0507 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 31-DMP31D7LWQ-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 380MA (TA) | 4.5V, 10V | 900mohm @ 420ma, 10V | 2.6V @ 250µA | 0.36 nc @ 10 v | ± 20V | 19 pf @ 15 v | - | 290MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
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