SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated DMP65H9D0HSSSSS-13 0.5720
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP65H9D0HSS-13TR 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 600 v 300MA (TA) 10V 9ohm @ 300ma, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DMN6075SQ-13 0.1038
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6075SQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 606 PF @ 20 v - 800MW (TA)
DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVWQ-7 0.3836
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMN3009LFVQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVQ-7 0.2771
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
ZXMP4A57E6QTA Diodes Incorporated ZXMP4A57E6QTA 0.2771
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMP4A57 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-zxmp4a57e6qtatr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 2.9A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 15.8 nc @ 10 v ± 20V 833 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
DMN2055UWQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UWQ-13 0.0635
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2055 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2055UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v - 520MW (TA)
DDC114TUQ-7-F Diodes Incorporated DDC114TUQ-7-F 0.0857
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DDC (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDC114TUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DMN4027SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4027SSDQ-13 0.4574
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN4027 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN4027SSDQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.4A (TA) 27mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 12.9NC @ 10V 604pf @ 20V -
DMTH4014SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4014SPSW-13 0.2189
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014SPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 43.5A (TC) 10V 14.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 10.6 NC @ 10 v ± 20V 805 pf @ 20 v - 4W (TA), 46.9W (TC)
DDTC115EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC115EUAQ-7-F 0.0426
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC115 200 MW SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTC115EUAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
DMP4006SPSW-13 Diodes Incorporated DMP4006SPSW-13 0.7740
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP4006 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP4006SWSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 115A (TC) 6V, 10V 5.2MOHM @ 9.8A, 10V 3V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 20V 6855 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 104W (TC)
DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ-7 0.1475
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (금속 (() 740MW (TA) TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp2110uvtq-7tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.8A (TA) 150mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6v -
DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated DMG3415UQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3415 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 42.5mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 8V 294 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DMP2110UVTQ-13 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ-13 0.1292
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (금속 (() 740MW (TA) TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp2110uvtq-13tr 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.8A (TA) 150mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6v -
DMN2300UFL4Q-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4Q-7 0.1383
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn DMN2300 MOSFET (금속 (() 530MW (TA) X2-DFN1310-6 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2300UFL4Q-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.11a (TA) 195mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 3.2NC @ 4.5V 135.2pf @ 0v -
DMN3028L-13 Diodes Incorporated DMN3028L-13 0.1337
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3028 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3028L-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 1.8V @ 250µA 10.9 NC @ 10 v ± 20V 680 pf @ 15 v - 860MW (TA)
DMT4014LDV-7 Diodes Incorporated DMT4014LDV-7 0.3274
RFQ
 ECAD 1184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT4014 MOSFET (금속 (() 1W (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT4014LDV-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 40V 8.5A (TA), 26.5A (TC) 19mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 11.2NC @ 10V 750pf @ 20V -
DMC1028UVT-13 Diodes Incorporated DMC1028UVT-13 0.1360
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC1028 MOSFET (금속 (() 800MW TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC1028UVT-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 12V, 20V 6.1A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 5.2a, 4.5v, 80mohm @ 3.8a, 4.5v 1V @ 250µA 18.5nc @ 8v, 11.5nc @ 8v 787pf @ 6v, 576pf @ 10v -
FMMT38CQTA Diodes Incorporated fmmt38cqta 0.1431
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-fmmt38cqtatr 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
DMTH10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H015SK3-13 0.4393
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH10H015SK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 59A (TC) 6V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30.1 NC @ 10 v ± 20V 2343 pf @ 50 v - 2W (TA)
DMN3190LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3190LDWQ-13 0.0717
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN3190 MOSFET (금속 (() 320MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3190LDWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 1A (TA) 190mohm @ 1.3a, 10V 2.8V @ 250µA 2NC @ 10V 87pf @ 20V -
DMC3060LVTQ-13 Diodes Incorporated DMC3060LVTQ-13 0.1324
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3060 MOSFET (금속 (() 830MW (TA) TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC3060LVTQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 30V 3.6A (TA), 2.8A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 11.3NC @ 10V, 8.6NC @ 10V 395pf @ 15v, 324pf @ 15v -
DMTH84M1SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH84M1SPSQ-13 0.9427
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH84M1SPSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 4209 pf @ 40 v - 1.6W (TA)
DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ-7 0.2678
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8028LFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 631 pf @ 40 v - 1.5W (TA)
DMT61M8SPS-13 Diodes Incorporated DMT61M8SPS-13 0.8185
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT61M8SPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 205A (TC) 10V 1.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130.6 NC @ 10 v ± 20V 8306 pf @ 30 v - 2.7W (TA), 139W (TC)
DMP3011SFVW-13 Diodes Incorporated DMP3011SFVW-13 0.6100
RFQ
 ECAD 967 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 19.8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 2380 pf @ 15 v - 980MW (TA)
DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 10V 647 pf @ 10 v - 800MW
DMC6022SSD-13 Diodes Incorporated DMC6022SSD-13 0.9500
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC6022 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 6A (TA), 5A (TA) 29mohm @ 5a, 10v, 50mohm @ 5a, 10v 3V @ 250µA 32nc @ 10v, 30.6nc @ 10v 2110pf @ 30v, 1525pf @ 30v -
DMN3732UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN3732UFB4Q-7B 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3732 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 8V 40.8 pf @ 25 v - 490MW (TA)
DMP22D5UFZ-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFZ-7B 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP22 MOSFET (금속 (() X2-DFN0606-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.3 nc @ 4.5 v ± 8V 17 pf @ 16 v - 950µW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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