SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN10H170SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN10H170SFGQ-13 0.2832
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN10H170SFGQ-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 8.5A (TC) 4.5V, 10V 122mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 870.7 pf @ 25 v - 940MW (TA)
DMN30H4D1S-13 Diodes Incorporated DMN30H4D1S-13 -
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN30H4D1S-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 300 v 430MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 20V 174 pf @ 25 v - 360MW (TA)
DMP3013SFK-13 Diodes Incorporated DMP3013SFK-13 0.2145
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP3013 MOSFET (금속 (() U-DFN2523-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3013SFK-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 25V 1674 pf @ 15 v - 1W (TA), 19.5W (TC)
DMP31D7LW-7 Diodes Incorporated DMP31D7LW-7 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP31 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 380MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.36 nc @ 4.5 v ± 20V 19 pf @ 15 v - 290MW (TA)
DMT15H067SSS-13 Diodes Incorporated DMT15H067SSSSS-13 0.3545
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT15 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT15H067SSS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 4.5A (TA), 13A (TC) 10V 67mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 425 pf @ 75 v - 1.3W (TA)
DMP3007SPSQ-13 Diodes Incorporated DMP3007SPSQ-13 0.5051
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) DMP3007 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMP3007SPSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
DMT3009LEV-13 Diodes Incorporated DMT3009LEV-13 0.1846
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - DMT3009 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT3009LEV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
DMT67M8LCG-7 Diodes Incorporated DMT67M8LCG-7 0.3984
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT67 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LCG-7TR 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 16A (TA), 64.6A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 900MW (TA)
DMT67M8LCG-13 Diodes Incorporated DMT67M8LCG-13 0.3984
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT67 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LCG-13TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TA), 64.6A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 900MW (TA)
DDTA143TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA143TUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1- 전용 시리즈) ua 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
APT13003EU-E1 Diodes Incorporated APT13003EU-E1 -
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 APT13003 1.1 w TO-126 - 1 (무제한) 영향을받습니다 31-APT13003EU-E1 귀 99 8541.29.0095 1 465 v 1.5 a 10µA NPN 400mv @ 250ma, 1a 15 @ 300ma, 2v 4MHz
DCX142JH-13 Diodes Incorporated DCX142JH-13 -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DCX142 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DCX142JH-13TR 귀 99 8541.21.0095 3,000
DMP3011SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMP3011SFVWQ-13 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMP3011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 19.8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 2380 pf @ 15 v - 980MW (TA)
DMTH4002SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4002SCTB-13 0.8985
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() to-263ab (d²pak) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4002SCTB-13TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 192a (TC) 10V 3MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 77.5 nc @ 10 v ± 20V 7180 pf @ 20 v - 6W (TA), 166.7W (TC)
DDTA114WCAQ-7-F Diodes Incorporated DDTA114WCAQ-7-F 0.0552
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1 ≠ R2 시리즈) CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 - 영향을받지 영향을받지 31-DDTA114WCAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DMN1008UFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN1008UFDFQ-7 0.1223
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN1008 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN1008UFDFQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 12.2A (TA) 2.5V, 4.5V 8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 23.4 NC @ 8 v ± 8V 995 pf @ 6 v - 700MW
DMP3028LPSW-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSW-13 0.2032
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP3028 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3028LPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 15 v - 1.28W (TA), 2.1W (TC)
DMTH6015LDVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH6015LDVWQ-7 0.3410
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMTH6015 MOSFET (금속 (() 1.46W (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH6015LDVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 60V 9.2A (TA), 24.5A (TC) 20.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14.3NC @ 10V 825pf @ 30V -
DMN29M9UFDF-7 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF-7 0.1598
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN29 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN29M9UFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 11A (TA) 1.8V, 4.5V 13.5mohm @ 5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 14.6 NC @ 10 v ± 12V 655 pf @ 8 v - 1.2W (TA)
DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated DMP65H9D0HSSSSS-13 0.5720
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP65H9D0HSS-13TR 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 600 v 300MA (TA) 10V 9ohm @ 300ma, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 740 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DMN6075SQ-13 0.1038
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6075SQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 606 PF @ 20 v - 800MW (TA)
DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVWQ-7 0.3836
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMN3009LFVQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVQ-7 0.2771
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3009LFVQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 1W (TA)
ZXMP4A57E6QTA Diodes Incorporated ZXMP4A57E6QTA 0.2771
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMP4A57 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-zxmp4a57e6qtatr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 2.9A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 15.8 nc @ 10 v ± 20V 833 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
DMN2055UWQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UWQ-13 0.0635
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2055 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2055UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 8V 400 pf @ 10 v - 520MW (TA)
DDC114TUQ-7-F Diodes Incorporated DDC114TUQ-7-F 0.0857
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101, DDC (XXXX) u 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDC114TUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DMN4027SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN4027SSDQ-13 0.4574
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN4027 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN4027SSDQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.4A (TA) 27mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 12.9NC @ 10V 604pf @ 20V -
DMTH4014SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4014SPSW-13 0.2189
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014SPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 43.5A (TC) 10V 14.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 10.6 NC @ 10 v ± 20V 805 pf @ 20 v - 4W (TA), 46.9W (TC)
DDTC115EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC115EUAQ-7-F 0.0426
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC115 200 MW SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTC115EUAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
DMP4006SPSW-13 Diodes Incorporated DMP4006SPSW-13 0.7740
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP4006 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP4006SWSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 115A (TC) 6V, 10V 5.2MOHM @ 9.8A, 10V 3V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 20V 6855 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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