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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DP350T05-7	0.3300	RFQ	311	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DP350			300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																	350 v	500 MA						50NA (ICBO)	PNP	1V @ 5MA, 50MA	20 @ 50MA, 10V	50MHz
ZXTEM322TA	-	RFQ	5366	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	zxtem322			3 w	3-mlp/dfn (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000																	80 v	3.5 a						25NA	NPN	325mv @ 300ma, 3.5a	300 @ 200ma, 2v	160MHz
DMTH12H007SPSW-13	0.8119	RFQ	2334	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMTH12		MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드				31-DMTH12H007SPSW-13	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			120 v	84A (TC)	6V, 10V	8.9mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	3142 pf @ 60 v	-	3.5W
DMP2900UV-13	0.0839	RFQ	1792	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMP2900		MOSFET (금속 (()	500MW (TA)	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2900UV-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 p 채널 (채널)				20V	850MA (TA)		750mohm @ 430ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		49pf @ 16v	-
MMSTA92-7-F	0.4300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	MMSTA92			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																	300 v	100 MA						250NA (ICBO)	PNP	500mv @ 2ma, 20ma	25 @ 30MA, 10V	50MHz
DDC142TU-7-F	-	RFQ	2731	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC142			200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	50V	100ma						-	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	200MHz	470ohms	-
zxmc4a16dn8ta	-	RFQ	3421	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMC4A16		MOSFET (금속 (()	2.1W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500	n 보완 p 채널 및				40V	5.2A (TA), 4.7A (TA)		50mohm @ 4.5a, 10v, 60mohm @ 3.8a, 10v	1V @ 250MA (Min)	17nc @ 10V		770pf @ 40v, 1000pf @ 20V	논리 논리 게이트
DDTC125TUA-7-F	-	RFQ	2679	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTC125			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	50 v	100 MA						500NA (ICBO)	npn-사전-	300MV @ 50µA, 500µA	100 @ 1ma, 5V	250MHz	200 KOHMS
ZXM64N02XTC	-	RFQ	9639	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			MOSFET (금속 (()		8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널			20 v	5.4A (TA)	2.7V, 4.5V	40mohm @ 3.8a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	16 nc @ 4.5 v	± 12V	1100 pf @ 15 v	-	1.1W (TA)
DMP3065LVT-7	-	RFQ	1594	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP3065		MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널			30 v	4.9A (TA)	4.5V, 10V	42MOHM @ 4.9A, 10V	2.1V @ 250µA	12.3 NC @ 10 v	± 20V	587 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
ZTX758	0.3682	RFQ	8723	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	e-line-3				1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	4,000																	400 v	500 MA						100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 10ma, 100ma	50 @ 100MA, 5V	50MHz
ADTA123JUAQ-13	-	RFQ	5666	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						ADTA123					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000
DMN10H099SFG-13	0.2513	RFQ	7504	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMN10		MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널			100 v	4.2A (TA)	6V, 10V	80mohm @ 3.3a, 10V	3V @ 250µA	25.2 NC @ 10 v	± 20V	1172 pf @ 50 v	-	980MW (TA)
ZXMN3B01FTC-52	0.1001	RFQ	9405	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-ZXMN3B01FTC-52	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널			30 v	1.7A (TA)	2.5V, 4.5V	150mohm @ 1.7a, 4.5v	700MV @ 250µA	2.93 NC @ 4.5 v	± 12V	258 pf @ 15 v	-	625MW (TA)
DMP4015SPSQ-13	0.9400	RFQ	8194	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	DMP4015		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널			40 v	8.5A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 9.8a, 10V	2.5V @ 250µA	47.5 nc @ 5 v	± 25V	4234 pf @ 20 v	-	1.3W (TA)
DMP10H4D2S-7-50	0.0501	RFQ	9787	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP10		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드				31-DMP10H4D2S-7-50	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널			100 v	270MA (TA)	4V, 10V	4.2ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1.8 nc @ 10 v	± 20V	87 pf @ 25 v	-	380MW (TA)
DMP3017SFK-13	-	RFQ	7192	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-powerudfn	DMP3017		MOSFET (금속 (()		U-DFN2523-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널			30 v	10.4A (TA)	4.5V, 10V	14mohm @ 9.5a, 10V	3V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 25V	4414 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DCX53-16-13	-	RFQ	8692	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-243AA	DCX53			1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																	80 v	1 a						100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz
DMS3014SFG-13	-	RFQ	3411	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMS3014		MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMS3014SFG-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			30 v	9.5A (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 10.4a, 10V	2.2V @ 250µA	45.7 NC @ 10 v	± 12V	4310 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	1W (TA)
DMN2024U-7	0.4800	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2024		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널			20 v	6.8A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 6.5a, 4.5v	900MV @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 v	± 10V	647 pf @ 10 v	-	800MW
DGTD65T40S1PT	-	RFQ	8753	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-247-3	DGTD65	기준		341 w	TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	450				400V, 40A, 7.9ohm, 15V											145 ns	현장 현장	650 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V, 40A	1.15mj (on), 350µJ (OFF)	219 NC	58ns/245ns
DGTD65T50S1PT	-	RFQ	2449	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-247-3	DGTD65	기준		375 w	TO-247	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	450				400V, 50A, 7.9ohm, 15V											80 ns	현장 현장	650 v	100 a	200a	2.4V @ 15V, 50A	770µJ (ON), 550µJ (OFF)	287 NC	58ns/328ns
ZXPD4000DH-7	0.1934	RFQ	4510	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	120V		범용	표면 표면	8-vdfn	ZXPD4000				V-DFN3030-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZXPD4000DH-7DI	귀 99	8541.21.0095	3,000			2A																						npn-달링턴
DMT10H4M5LPS-13	0.8469	RFQ	7961	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	DMT10		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT10H4M5LPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			100 v	19A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	4.3MOHM @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	4843 pf @ 50 v	-	2.3W (TA)
DMT47M2LDV-13	0.3704	RFQ	3271	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT47		MOSFET (금속 (()	2.34W (TA), 14.8W (TC)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT47M2LDV-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				40V	11.9A (TA), 30.2A (TC)		10.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	14NC @ 10V		891pf @ 20V	-
DMT47M2LDVQ-13	0.4631	RFQ	6883	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT47		MOSFET (금속 (()	2.34W (TA), 14.8W (TC)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT47M2LDVQ-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				40V	11.9A (TA), 30.2A (TC)		10.8mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	14NC @ 10V		891pf @ 20V	-
DMT6016LJ3	0.4736	RFQ	8089	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인						DMT6016					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMT6016LJ3DI		0000.00.0000	75
DMT6030LFDF-13	0.2048	RFQ	7746	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMT6030		MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT6030LFDF-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널			60 v	6.8A (TA)	4.5V, 10V	25.5mohm @ 6.5a, 10V	2.5V @ 250µA	9.1 NC @ 10 v	± 20V	639 pf @ 30 v	-	860MW (TA), 9.62W (TC)
BC857CQ-7-F	0.3600	RFQ	8150	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857				SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																								15NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	200MHz
dmc2710uvt-7	0.4600	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC2710		MOSFET (금속 (()	500MW (TA)	TSOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 보완 p 채널 및				20V	1.2A (TA), 900MA (TA)		400mohm @ 600ma, 4.5v, 700mohm @ 430ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v		42pf @ 16v, 49pf @ 16v	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²