SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FMMT491ATC Diodes Incorporated FMMT491ATC 0.1088
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT491 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 0.3600
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN33 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 115MA (TA) 2.5V, 4V 5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 0.55 nc @ 10 v ± 20V 48 pf @ 5 v - 240MW (TA)
DDTA123JCA-7-F Diodes Incorporated DDTA123JCA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
MMBTA05-7 Diodes Incorporated MMBTA05-7 -
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA05 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated DMG6601LVT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMG6601 MOSFET (금속 (() 850MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.8a, 2.5a 55mohm @ 3.4a, 10V 1.5V @ 250µA 12.3NC @ 10V 422pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SH3 -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 (TH3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 30V 351 pf @ 50 v - 41W (TC)
DDTC114WUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114WUA-7-F 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated DMN2041LSD-13 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN2041 MOSFET (금속 (() 1.16W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 7.63A 28mohm @ 6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15.6NC @ 10V 550pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 14A (TA), 80A (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2085 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
ZTX1047ASTOB Diodes Incorporated ztx1047astob -
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1047A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 10 v 4 a 10NA NPN 190mv @ 20ma, 4a 300 @ 1a, 2v 150MHz
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated zxt13p12de6ta 0.2610
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13P12 1.1 w SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12 v 4 a 100NA PNP 175MV @ 400MA, 4A 300 @ 1a, 2v 55MHz
BSS123TC Diodes Incorporated BSS123TC -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 100ma, 10V 2.8V @ 1MA ± 20V 20 pf @ 25 v - 360MW (TA)
DVRN6056-7-F Diodes Incorporated DVRN6056-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DVRN6056 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA - NPN + ZENER + (분리) 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
BCP68TA Diodes Incorporated BCP68TA -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - Digi-Reel® 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP68 2 w SOT-223-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a - NPN 500mv @ 100ma, 1a 63 @ 500ma, 1V 100MHz
DMN3026LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN3026 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 6.6A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10V 2V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 643 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
ZTX603 Diodes Incorporated ZTX603 0.8700
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX603 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 10µA npn-달링턴 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMP2165UW-7 Diodes Incorporated DMP2165UW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2165 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.5 NC @ 4.5 v ± 12V 335 pf @ 15 v - 500MW (TA)
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN6022 MOSFET (금속 (() 1.2W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TA), 14A (TC) 29mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 2110pf @ 30V -
BCP5216TA Diodes Incorporated BCP5216TA 0.3700
RFQ
 ECAD 753 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5216 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
ZVN3306FTC Diodes Incorporated zvn3306ftc -
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 150MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 35 pf @ 18 v - 330MW (TA)
ZXTN5551GTA Diodes Incorporated ZXTN5551GTA 0.4400
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXTN5551 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 130MHz
DMN4035L-13 Diodes Incorporated DMN4035L-13 0.0873
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN4035 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN4035L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 574 pf @ 20 v - 720MW
BSS84TA Diodes Incorporated BSS84TA -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 360MW (TA)
ZUMT491TA Diodes Incorporated Zumt491ta 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt491 500MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a - -
BSR33QTA Diodes Incorporated BSR33QTA 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR33 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated DMP3015LSSSS-13 0.8700
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 13a, 10V 2V @ 250µA 60.4 NC @ 10 v ± 20V 2748 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
DDA142TU-7-F Diodes Incorporated DDA142TU-7-F -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA142 200MW SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 470ohms -
BCX38CSTZ Diodes Incorporated BCX38CSTZ 0.8100
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 BCX38 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 800 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
FMMT497TA Diodes Incorporated FMMT497TA 0.4400
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT497 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 25ma, 250ma 80 @ 100MA, 10V 75MHz
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 0.1512
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN61 MOSFET (금속 (() 820MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 630ma 1.8ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA 0.74NC @ 5V 12.9pf @ 12v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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