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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
ZTX653QSTZ	0.4004	RFQ	1838	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드			1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ZTX653QSTZTB	귀 99	8541.29.0075	2,000													100 v	2 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 200ma, 2a	-	175MHz
DDTA114GE-7-F	0.0605	RFQ	8720	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-523	DDTA114		150 MW	SOT-523	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA (ICBO)	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz		10 KOHMS
DMN6040SVTQ-13	0.1949	RFQ	7940	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMN6040	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	60 v	5A (TA)	4.5V, 10V	44mohm @ 4.3a, 10V	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 v	± 20V	1287 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)
DMN3071LFR4-7	0.0810	RFQ	7610	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN3071	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1010-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN3071LFR4-7DI	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	3.4A (TA)	4.5V, 10V	65mohm @ 3.2a, 10V	2.5V @ 250µA	4.5 nc @ 10 v	± 20V	190 pf @ 15 v	-	500MW
DXTN5840CFDB-7	0.5300	RFQ	6150	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드			690 MW	u-dfn2020-3 (유형 b)	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													40 v	5 a	100NA	NPN	350MV @ 30MA, 3A	200 @ 1a, 2v	150MHz
DMTH4008LPDWQ-13	0.3248	RFQ	3193	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH4008	MOSFET (금속 (()	2.67W (TA), 39.4W (TC)	PowerDi5060-8 (유형 UXD)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH4008LPDWQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	10A (TA), 46.2A (TC)		12.3MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	12.3NC @ 10V		881pf @ 20V	-
DMPH33M8SPSWQ-13	0.8976	RFQ	6380	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMPH33	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (Q 형)	-				31-DMPH33M8SPSWQ-13	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	100A (TC)	6V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	81 NC @ 10 v	± 20V	3775 pf @ 15 v	-	1.7W (TA)
DDTC113TKA-7-F	-	RFQ	6618	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC113		200 MW	SC-59-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA (ICBO)	npn-사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	1 KOHMS
DMTH6016LSD-13	0.8700	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMTH6016	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			7.6A (TA)		19.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	17nc @ 10V		864pf @ 30v	-
DXTP03100BFG-7	0.5900	RFQ	8849	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn			1.07 w	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000													100 v	5 a	50NA	PNP	340mv @ 400ma, 4a	100 @ 1a, 2v	125MHz
ZVP3306A	0.8000	RFQ	3287	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	ZVP3306	MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZVP3306A-NDR	귀 99	8541.21.0095	4,000		p 채널	60 v	160MA (TA)	10V	14ohm @ 200ma, 10V	3.5V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 18 v	-	625MW (TA)
2N7002TC	-	RFQ	1544	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	330MW (TA)
DMN4026SSD-13	0.7800	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4026	MOSFET (금속 (()	1.3W	도 8-	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	7a		24mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	19.1NC @ 10V		1060pf @ 20V	논리 논리 게이트
DMN3009LFVW-7	0.5700	RFQ	8762	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN3009	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DMT12H7M9SPSW-13	0.5845	RFQ	2819	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인				DMT12				-			영향을받지 영향을받지	31-DMT12H7M9SSW-13TR			2,500
DMP21D2UFA-7B	0.3700	RFQ	18	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMP21	MOSFET (금속 (()		X2-DFN0806-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		p 채널	20 v	330ma (TA)	1.5V, 4.5V	1ohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.8 nc @ 4.5 v	± 8V	49 pf @ 15 v	-	360MW (TA)
ZXTP25100CFHTA	0.5600	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTP25100		1.25 w	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													100 v	1 a	50NA (ICBO)	PNP	220mv @ 100ma, 1a	200 @ 10ma, 2v	180MHz
DMN3018SSD-13	0.5400	RFQ	10	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN3018	MOSFET (금속 (()	1.5W	도 8-	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	6.7a		22mohm @ 10a, 10V	2.1V @ 250µA	13.2NC @ 10V		697pf @ 15V	논리 논리 게이트
FZT591ATA	0.6400	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT591		2 w	SOT-223-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													40 v	1 a	100NA	PNP	500mv @ 100ma, 1a	300 @ 100MA, 5V	150MHz
DMN6013LFGQ-13	0.3426	RFQ	3260	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN6013	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	10.3A (TA), 45A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	55.4 NC @ 10 v	± 20V	2577 pf @ 30 v	-	1W (TA)
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DMP2075UVT-13	0.0792	RFQ	7615	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP2075	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널	20 v	3.8A (TA)	2.5V, 4.5V	75mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 v	± 8V	642 pf @ 10 v	-	1.2W (TA)
ZVN4525E6TC	-	RFQ	6942	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6		MOSFET (금속 (()		SOT-23-6	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	250 v	230MA (TA)	2.4V, 10V	8.5ohm @ 500ma, 10V	1.8V @ 1mA	3.65 nc @ 10 v	± 40V	72 pf @ 25 v	-	1.1W (TA)
ZVN2535ASTOA	-	RFQ	7620	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	350 v	90MA (TA)	10V	35ohm @ 100ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	70 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
DMTH10H032SPSWQ-13	0.2756	RFQ	4665	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드				31-DMTH10H032SPSWQ-13	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	25A (TC)	10V	32mohm @ 5a, 10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	544 pf @ 50 v	-	3.2W (TA), 38W (TC)
DMN62D0LFD-13	-	RFQ	9455	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn	DMN62	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1212-3	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN62D0LFD-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	310MA (TA)	1.8V, 4V	2ohm @ 100ma, 4v	1V @ 250µA	0.5 nc @ 4.5 v	± 20V	31 pf @ 25 v	-	480MW (TA)
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DMP4047LFDEQ-13	0.1195	RFQ	4347	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powerudfn	DMP4047	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (e 형 e)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP4047LFDEQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널	40 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	34mohm @ 4.4a, 10V	2.2V @ 250µA	24.9 NC @ 10 v	± 20V	1265 pf @ 20 v	-	800MW (TA)
DMN2400UFB-7	0.3300	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	DMN2400	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1006-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	750MA (TA)	1.8V, 4.5V	550mohm @ 600ma, 4.5v	900MV @ 250µA	0.5 nc @ 4.5 v	± 12V	36 pf @ 16 v	-	470MW (TA)
DDA143TUQ-7-F	0.0746	RFQ	7014	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101, DDA (XXXX) u	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDA143		200MW	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DDA143TUQ-7-FTR	귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	500NA (ICBO)	2 pnp--바이어스 (듀얼)	300mv @ 250µa, 2.5ma	160 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7kohms	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²