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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FMMT918TA Diodes Incorporated FMMT918TA -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT918 330MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 15db 15V 100ma NPN 20 @ 3ma, 1v 600MHz 6DB @ 60MHz
BSS84W-7-F Diodes Incorporated BSS84W-7-F 0.4000
RFQ
ECAD 657 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 45 pf @ 25 v - 200MW (TA)
ZTX557STOA Diodes Incorporated ZTX557STOA -
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX557 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V 75MHz
ZVN4206A Diodes Incorporated ZVN4206A 0.7600
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4206 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 60 v 600MA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
ZVN4206GTA Diodes Incorporated ZVN4206GTA 0.9400
RFQ
ECAD 5597 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVN4206 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 1A (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
DDTC113TUA-7 Diodes Incorporated DDTC113TUA-7 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC113 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMP1009UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1009UFDF-13 0.1416
RFQ
ECAD 1535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1009 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 12 v 15A (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 8 v ± 8V 1860 pf @ 10 v - 2W (TA)
ZTX458 Diodes Incorporated ZTX458 0.7700
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX458 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX458-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 300 MA 100NA NPN 500mv @ 6ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 50MHz
DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated DDTD123TC-7-F 0.3000
RFQ
ECAD 134 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms
DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated DMN15H310SE-13 1.1400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMN15 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 2A (TA), 7.1A (TC) 5V, 10V 310mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 405 pf @ 25 v - 1.9W (TA)
DMT67M8LCGQ-13 Diodes Incorporated DMT67M8LCGQ-13 0.4596
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT67 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LCGQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TA), 64.6A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 900MW (TC)
DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ-7 0.6600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMS3014 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 9.5A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 10.4a, 10V 2.2V @ 250µA 19.3 NC @ 10 v ± 12V 4310 pf @ 15 v - 1W (TA)
DDTA143FE-7-F Diodes Incorporated DDTA143FE-7-F 0.0605
RFQ
ECAD 8575 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA143 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
ZVP2110GTC Diodes Incorporated ZVP2110GTC -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 100 v 310MA (TA) 10V 8ohm @ 375ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
ZVP2106GTA Diodes Incorporated ZVP2106GTA 1.0400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVP2106 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 450MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 18 v - 2W (TA)
DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ-13 1.3300
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1mA 37.7 NC @ 10 v ± 20V 2254 pf @ 40 v - 1.2W (TA), 50W (TC)
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H015LK3-13 0.3675
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 52.5A (TA) 6V, 10V 15mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 33.3 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 50 v - 2.1W (TA)
DMN31D5UFZQ-7B Diodes Incorporated DMN31D5UFZQ-7B 0.0500
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN31 MOSFET (금속 (() X2-DFN0606-3 다운로드 31-DMN31D5UFZQ-7B 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 410MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.38 nc @ 4.5 v ± 12V 22.6 pf @ 15 v - 400MW (TA)
ZTX614STZ Diodes Incorporated ZTX614STZ 0.3403
RFQ
ECAD 6948 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX614 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 800 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
ZXTP25020DZTA Diodes Incorporated ZXTP25020DZTA 0.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP25020 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 5 a 50NA (ICBO) PNP 265MV @ 500MA, 5A 300 @ 10ma, 2v 290MHz
ZTX705 Diodes Incorporated ZTX705 0.8700
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX705 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 120 v 1 a 10µA pnp- 달링턴 2.5V @ 2MA, 2A 3000 @ 1a, 5V 160MHz
DCX115EK-7-F Diodes Incorporated DCX115EK-7-F 0.4900
RFQ
ECAD 43 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 DCX115 300MW SC-74R 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100kohms 100kohms
DMTH4014LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPSW-13 0.2189
RFQ
ECAD 4463 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014LPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 43.5A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 20 v - 4W (TA), 46.9W (TC)
DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated DMP3013SFV-13 0.5800
RFQ
ECAD 6525 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3013 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 25V 1674 pf @ 15 v - 940MW (TA)
FZT4403TA Diodes Incorporated FZT4403TA -
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - Digi-Reel® 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT4403 1.5 w SOT-223-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
ZXTP01500BGQTA Diodes Incorporated ZXTP01500BGQTA 0.2338
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXTP01500 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 500 v 150 MA 100NA PNP 500mv @ 10ma, 50ma 100 @ 1ma, 10V 60MHz
FZT758TA Diodes Incorporated FZT758TA 0.8300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT758 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 500 MA 100NA PNP 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 200ma, 10V 50MHz
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() 1.8W (TA), 40W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN10H220LDV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 10.5A (TC) 222mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6.7NC @ 10V 366pf @ 50v -
DXTN22040DFGQ-7 Diodes Incorporated DXTN22040DFGQ-7 0.5700
RFQ
ECAD 6697 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.1 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 50NA NPN 600mv @ 300ma, 3a 300 @ 500ma, 2V 198MHz
ZXT12P20DXTA Diodes Incorporated ZXT12P20DXTA -
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXT12P20D 1.04W 8-MSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20V 2.5A 100NA 2 PNP (() 200mv @ 125ma, 2.5a 300 @ 1a, 2v 110MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고