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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
2N7002W-7-F	0.3900	RFQ	456	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
DXT458P5-13	0.4800	RFQ	47	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXT458		2.8 w	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	5,000													400 v	300 MA	100NA	NPN	500mv @ 6ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	50MHz
DMT35M8LDG-13	0.4116	RFQ	5843	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()	980MW (TA), 2W (TC)	PowerDI3333-8 (G 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMT35M8LDG-13TR	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널) 비대칭		30V	17A (TA), 15.3A (TA)		4.7mohm @ 20a, 10v, 5.8mohm @ 18a, 10v	1.9V @ 250µA	22.7NC @ 10V, 16.3NC @ 10V		1510pf @ 15v, 1032pf @ 15v	기준
ADTC143ECAQ-7	0.0658	RFQ	3954	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC143		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-ADTC143ECAQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	20 @ 10ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
ZXMP4A16GTA	0.8900	RFQ	12	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXMP4A16	MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	40 v	6.4A (TA)	4.5V, 10V	60mohm @ 3.8a, 10V	1V @ 250µA	26.1 NC @ 10 v	± 20V	1007 pf @ 20 v	-	2W (TA)
DMTH6004LPS-13	1.6200	RFQ	6072	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6004	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	22A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 25a, 10V	3V @ 250µA	96.3 NC @ 10 v	± 20V	4515 pf @ 30 v	-	2.6W (TA), 138W (TC)
DMN6010SCTB-13	1.7264	RFQ	5423	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	DMN6010	MOSFET (금속 (()		to-263ab (d²pak)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN6010SCTB-13TR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	128A (TC)	10V	10mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	46 NC @ 10 v	± 20V	2692 pf @ 25 v	-	5W (TA), 312W (TC)
DMP2900UVQ-7	0.3600	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMP2900	MOSFET (금속 (()	500MW (TA)	SOT-563	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	850MA (TA)		750mohm @ 430ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		49pf @ 16v	기준
DMC2004VK-7	-	RFQ	4965	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMC2004	MOSFET (금속 (()	450MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	670ma, 530ma		550mohm @ 540ma, 4.5V	1V @ 250µA	-		150pf @ 16V	논리 논리 게이트
DMP3098LSD-13	0.6800	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP3098	MOSFET (금속 (()	1.8W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	4.4a		65mohm @ 5a, 10V	2.1V @ 250µA	7.8NC @ 10V		336pf @ 25v	논리 논리 게이트
DMT6017LSSSS-13	0.6300	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT6017	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	9.2A (TA)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	864 pf @ 30 v	-	1.5W (TA)
DMP3065LVT-13	-	RFQ	3820	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP3065	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널	30 v	5.1A (TA)	4.5V, 10V	42MOHM @ 4.9A, 10V	2.1V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	880 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
DMN62D0UDW-7	0.4500	RFQ	4284	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN62	MOSFET (금속 (()	320MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	350ma		2ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		32pf @ 30V	-
DCX142JH-13	-	RFQ	4983	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				DCX142				-	rohs 준수	1 (무제한)		31-DCX142JH-13TR	귀 99	8541.21.0095	3,000
2N7002E-7-F-79	-	RFQ	1938	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-				31-2N7002E-7-F-79	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널	60 v	250MA (TA)	4.5V, 10V	3ohm @ 250ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.23 nc @ 4.5 v	± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
DMN2025U	-	RFQ	2567	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2025	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN2025U	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널	20 v	5.6A (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 6.5a, 4.5v	900MV @ 250µA	5.9 NC @ 4.5 v	± 12V	485 pf @ 10 v	-	800MW
DMP3011SFVWQ-13	0.7900	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMP3011	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	19.8A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 11.5a, 10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2380 pf @ 15 v	-	980MW (TA)
DMP3011SFVW-13	0.6100	RFQ	967	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP3011	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	19.8A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 11.5a, 10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2380 pf @ 15 v	-	980MW (TA)
DMN2024UQ-7	0.4300	RFQ	243	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2024	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	6.8A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 6.5a, 4.5v	900MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 10V	647 pf @ 10 v	-	800MW
DDTA143TUA-7-F	0.0435	RFQ	2188	다이오드가 다이오드가	DDTA (R1- 전용 시리즈) ua	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTA143		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA (ICBO)	pnp- 사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7 Kohms
DMT15H053SSSS-13	0.3938	RFQ	5190	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT15	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT15H053SSS-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	150 v	5.2A (TA), 15A (TC)	10V	53mohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	814 pf @ 75 v	-	1.3W (TA)
DMT15H067SSSSS-13	0.3545	RFQ	7573	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT15	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT15H067SSS-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	150 v	4.5A (TA), 13A (TC)	10V	67mohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 v	± 20V	425 pf @ 75 v	-	1.3W (TA)
DMP3007SPSQ-13	0.5051	RFQ	8840	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)			DMP3007	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMP3007SPSQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	90A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 v	± 25V	2826 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
DMT3009LEV-13	0.1846	RFQ	8470	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-			DMT3009	-	-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT3009LEV-13TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
DMN2120UFCL-7	0.0832	RFQ	7134	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powerufdfn	DMN2120	MOSFET (금속 (()		U-DFN1616-6 (k)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMN2120UFCL-7TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	1.8A (TA)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 3.6a, 4.5v	1V @ 250µA	2.8 NC @ 10 v	± 12V	130 pf @ 10 v	-	450MW (TA)
DMT67M8LCG-7	0.3984	RFQ	6342	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT67	MOSFET (금속 (()		V-DFN3333-8 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT67M8LCG-7TR	귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	60 v	16A (TA), 64.6A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	37.5 nc @ 10 v	± 20V	2130 pf @ 30 v	-	900MW (TA)
DMT67M8LCG-13	0.3984	RFQ	4403	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT67	MOSFET (금속 (()		V-DFN3333-8 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT67M8LCG-13TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	16A (TA), 64.6A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	37.5 nc @ 10 v	± 20V	2130 pf @ 30 v	-	900MW (TA)
APT13003EU-E1	-	RFQ	7627	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	APT13003		1.1 w	TO-126	-		1 (무제한)	영향을받습니다	31-APT13003EU-E1	귀 99	8541.29.0095	1													465 v	1.5 a	10µA	NPN	400mv @ 250ma, 1a	15 @ 300ma, 2v	4MHz
DMC6022SSD-13	0.9500	RFQ	970	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMC6022	MOSFET (금속 (()	1.5W (TA)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널		60V	6A (TA), 5A (TA)		29mohm @ 5a, 10v, 50mohm @ 5a, 10v	3V @ 250µA	32nc @ 10v, 30.6nc @ 10v		2110pf @ 30v, 1525pf @ 30v	-
DMN3732UFB4Q-7B	0.3400	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN3732	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	1.3A (TA)	1.8V, 4.5V	460mohm @ 200ma, 4.5v	950MV @ 250µA	0.9 nc @ 4.5 v	± 8V	40.8 pf @ 25 v	-	490MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²