SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DXT2011P5-13 Diodes Incorporated DXT2011P5-13 0.6000
RFQ
 ECAD 367 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 DXT2011 3.2 w PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 100 v 6 a 20NA (ICBO) NPN 220MV @ 500MA, 5A 100 @ 2a, 2v 130MHz
BCP5616TC Diodes Incorporated BCP5616TC -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 125MHz
DMP4065S-13 Diodes Incorporated DMP4065S-13 0.4300
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 40 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 587 pf @ 20 v - 720MW (TA)
DMT3009UFVW-13 Diodes Incorporated DMT3009UFVW-13 0.1719
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT3009UFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.6A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 11a, 10V 1.8V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 12V 894 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 2.6W (TC)
DMP3165L-13 Diodes Incorporated DMP3165L-13 0.0699
RFQ
 ECAD 2579 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3165 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.7a, 10V 2.1V @ 250µA 2 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 10 v - 800MW (TA)
ZTX601ASTZ Diodes Incorporated ztx601astz -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX601 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
ZXTP25100BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25100BFHTA 0.5600
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25100 1.25 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 100 v 2 a 50NA (ICBO) PNP 295mv @ 200ma, 2a 100 @ 10ma, 2v 200MHz
FZT692BTA Diodes Incorporated FZT692BTA 0.8200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT692 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 70 v 2 a 100NA NPN 500mv @ 200ma, 2a 150 @ 1a, 2v 150MHz
DDTA144GCA-7 Diodes Incorporated DDTA144GCA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA144GCA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZVN2120ASTOA Diodes Incorporated zvn2120astoa -
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DDTA124ECA-7-F Diodes Incorporated DDTA124ECA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
MMSTA55-7-F Diodes Incorporated MMSTA55-7-F 0.0840
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSTA55 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 50MHz
ZVNL120CSTOB Diodes Incorporated ZVNL120CSTOB -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMP2035UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2035UFCL-7 0.5900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMP2035 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 6.6A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 8 v ± 8V 2200 pf @ 10 v - 740MW (TA)
ADTC143ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTC143ECAQ-13 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTC143 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FMMT459TA Diodes Incorporated FMMT459TA 0.5700
RFQ
 ECAD 5119 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT459 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 450 v 150 MA 100NA NPN 90mv @ 6ma, 50ma 50 @ 30MA, 10V 50MHz
ZX5T869ZTA Diodes Incorporated ZX5T869ZTA -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZX5T869 2.1 w SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 25 v 5.5 a 20NA (ICBO) NPN 200mv @ 150ma, 6.5a 300 @ 1a, 1v 150MHz
FMMT617TC Diodes Incorporated FMMT617TC 0.1715
RFQ
 ECAD 4333 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT617 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 15 v 3 a 100NA NPN 200MV @ 50MA, 3A 300 @ 200ma, 2v 120MHz
FCX491ATA Diodes Incorporated fcx491ata 0.4600
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX491 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC 0.8800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A16 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5.4A (TA) 10V 85mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA 24.2 NC @ 10 v ± 20V 1021 pf @ 30 v - 2.11W (TA)
DDTA144WCA-7 Diodes Incorporated DDTA144WCA-7 0.2400
RFQ
 ECAD 593 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA144WCA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTA143ECA-7 Diodes Incorporated DDTA143ECA-7 -
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA143 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FZT1149ATC Diodes Incorporated FZT1149ATC -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT1149A 2.5 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 4 a 100NA PNP 350mv @ 140ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 135MHz
2DD2150R-13 Diodes Incorporated 2DD2150R-13 -
RFQ
 ECAD 6581 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD2150 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 2a 180 @ 100MA, 2V 160MHz
DMMT3906W-7-F-79 Diodes Incorporated DMMT3906W-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 7865 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DMMT3906 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 31-DMMT3906W-7-F-79TR 쓸모없는 3,000
ZTX755STZ Diodes Incorporated ZTX755STZ -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX755 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 1a 50 @ 500ma, 5V 30MHz
FZT958TC Diodes Incorporated FZT958TC -
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT958 3 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 240mv @ 300ma, 1a 100 @ 500ma, 10V 85MHz
ZTX453STZ Diodes Incorporated ZTX453STZ 0.2320
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX453 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V 150MHz
ZTX614STOA Diodes Incorporated ZTX614STOA -
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX614 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 800 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated DMP4015SSS-13 0.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP4015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 9.1A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 47.5 nc @ 5 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 1.45W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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