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트랜지스터 (6028)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMP4A16GTA | 0.8900 |  | 12 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | ZXMP4A16 | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 40 v | 6.4A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.8a, 10V | 1V @ 250µA | 26.1 NC @ 10 v | ± 20V | 1007 pf @ 20 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||
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| DMC2004VK-7 | - | | 4965 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMC2004 | MOSFET (금속 (() | 450MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 670ma, 530ma | 550mohm @ 540ma, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 150pf @ 16V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
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 | DMN2024UQ-7 | 0.4300 | | 243 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN2024 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 6.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 v | ± 10V | 647 pf @ 10 v | - | 800MW | |||||||||||||
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 | DMT15H067SSSSS-13 | 0.3545 | | 7573 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMT15 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT15H067SSS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4.5A (TA), 13A (TC) | 10V | 67mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 425 pf @ 75 v | - | 1.3W (TA) | |||||||||||
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| DMT3009LEV-13 | 0.1846 | | 8470 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | DMT3009 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT3009LEV-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | DMT67M8LCG-7 | 0.3984 | | 6342 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT67 | MOSFET (금속 (() | V-DFN3333-8 (유형 b) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT67M8LCG-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 16A (TA), 64.6A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 37.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2130 pf @ 30 v | - | 900MW (TA) | |||||||||||
| DMT67M8LCG-13 | 0.3984 | | 4403 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT67 | MOSFET (금속 (() | V-DFN3333-8 (유형 b) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT67M8LCG-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 16A (TA), 64.6A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 37.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2130 pf @ 30 v | - | 900MW (TA) | |||||||||||
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 | DMP22D5UFZ-7B | 0.2300 | | 10 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMP22 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN0606-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 330ma (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.9ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.3 nc @ 4.5 v | ± 8V | 17 pf @ 16 v | - | 950µW (TA) | |||||||||||||
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| DMT10H032LK3-13 | 0.2459 | | 7053 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMT10 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | - | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.9 NC @ 10 v | ± 20V | 683 pf @ 50 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
 | ZXMN10A08E6TA-50 | 0.1238 | | 7317 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | 31-zxmn10a08e6ta-50 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TA) | 6V, 10V | 250mohm @ 3.2a, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 v | ± 20V | 405 pf @ 50 v | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7-52 | 0.0668 | | 8754 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN53 | MOSFET (금속 (() | 310MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | 31-DMN53D0LDW-7-52 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 | 50V | 360MA (TA) | 1.6ohm @ 500ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.6NC @ 4.5V | 46pf @ 25v | 기준 | ||||||||||||||||
| BSS84DW-7-F-50 | 0.0896 | | 2965 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | 300MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | 1 (무제한) | 31-BSS84DW-7-F-50 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 50V | 130MA (TA) | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | - | 45pf @ 25V | 기준 | |||||||||||||||
| DMN63D8LDW-13-52 | 0.0398 | | 5406 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN63 | MOSFET (금속 (() | 300MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | 31-DMN63D8LDW-13-52 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n 채널 | 30V | 220MA (TA) | 2.8ohm @ 250ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.87NC @ 10V | 25V @ 25V | 기준 | ||||||||||||||||
| DMTH10H032LFVW-13 | 0.2264 | | 9241 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMTH10 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | - | 31-DMTH10H032LFVW-13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.9 NC @ 10 v | ± 20V | 683 pf @ 50 v | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||
| DMG1023UV-7-52 | 0.0840 | | 4579 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMG1023 | MOSFET (금속 (() | 530MW | SOT-563 | 다운로드 | 31-DMG1023UV-7-52 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.03A (TA) | 750mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.6224NC @ 4.5V | 59.76pf @ 16v | 기준 | ||||||||||||||||
| DMN29M9UFDF-7 | 0.1598 | | 9529 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN29 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN29M9UFDF-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 11A (TA) | 1.8V, 4.5V | 13.5mohm @ 5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 14.6 NC @ 10 v | ± 12V | 655 pf @ 8 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
| DMP65H9D0HSSSSS-13 | 0.5720 | | 9130 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP65H9D0HSS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 600 v | 300MA (TA) | 10V | 9ohm @ 300ma, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 740 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | 0.1038 | | 3019 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN6075 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN6075SQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250µA | 12.3 NC @ 10 v | ± 20V | 606 PF @ 20 v | - | 800MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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