SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMP2033UVT-13 Diodes Incorporated DMP2033UVT-13 0.1241
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2033 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 4.2A (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 8V 845 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC 0.8800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A16 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5.4A (TA) 10V 85mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA 24.2 NC @ 10 v ± 20V 1021 pf @ 30 v - 2.11W (TA)
DMN10H220LDV-13 Diodes Incorporated DMN10H220LDV-13 0.1612
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() 1.8W (TA), 40W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN10H220LDV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 10.5A (TC) 222mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6.7NC @ 10V 366pf @ 50v -
DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated DMP6023LFG-13 0.8600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP6023 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 v ± 20V 2569 pf @ 30 v - 1W (TA)
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 2ohm @ 100ma, 4v 1V @ 250µA 0.45 nc @ 4.5 v ± 20V 32 pf @ 25 v - 470MW (TA)
DMN2710UWQ-13 Diodes Incorporated DMN2710UWQ-13 0.0417
RFQ
ECAD 8117 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2710 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2710UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 6V 42 pf @ 16 v - 470MW (TA)
BC817-25Q-7-F Diodes Incorporated BC817-25Q-7-F 0.2600
RFQ
ECAD 69 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
ZVP2106ASTOA Diodes Incorporated zvp2106astoa -
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 60 v 280MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 18 v - 700MW (TA)
DMP210DUDJ-7 Diodes Incorporated DMP210DUDJ-7 -
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMP210 MOSFET (금속 (() 330MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 200ma 5.5ohm @ 100ma, 4.5v 1.15V @ 250µA - 27.44pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMN5L06VAK-7 Diodes Incorporated DMN5L06VAK-7 -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 280ma 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
ZXMN3A01FQTA Diodes Incorporated zxmn3a01fqta 0.2308
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 영향을받지 영향을받지 31-zxmn3a01fqtatr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.9 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 625MW (TA)
ADTA113ZUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA113ZUAQ-13 -
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 adta113 330 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ADTA113ZUAQ-13DI 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DCX122TH-13 Diodes Incorporated DCX122th-13 -
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DCX122 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DCX122th-13tr 귀 99 8541.21.0095 3,000
DMTH45M5SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVWQ-13 0.3197
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMTH45M5SFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 3.5V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 1083 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMTH6004SCT Diodes Incorporated DMTH6004SCT 1.5750
RFQ
ECAD 2366 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMTH6004 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMTH6004SCTDI-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.65mohm @ 100a, 10V 4V @ 250µA 95.4 NC @ 10 v ± 20V 4556 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 136W (TC)
DMTH6010SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010SPS-13 0.3648
RFQ
ECAD 1084 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH6010 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMTH6010SPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 13.5A (TA), 100A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 38.1 NC @ 10 v ± 20V 2841 pf @ 30 v - 2.6W (TA), 167W (TC)
FMMTL717QTA Diodes Incorporated FMMTL717QTA 0.1724
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FMMTL717QTART 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.25 a 10NA PNP 290MV @ 50MA, 1.25A 300 @ 100MA, 2V 205MHz
DMT12H7M9LPSW-13 Diodes Incorporated DMT12H7M9LPSW-13 0.6920
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMT12 - 영향을받지 영향을받지 31-DMT12H7M9LPSW-13TR 2,500
DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated DMP2006UFGQ-13 0.3819
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2006 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 17.5A (TA), 40A (TC) 1.5V, 4.5V 5.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 10V 7500 pf @ 10 v - 2.3W (TA), 41W (TC)
DDTC124EE-7-F Diodes Incorporated DDTC124EE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 875 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC124 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DMP1012USS-13 Diodes Incorporated DMP1012USS-13 0.1462
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMP1012 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 8.5A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 19.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1344 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
DMC2053UFDB-13 Diodes Incorporated DMC2053UFDB-13 0.0912
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2053 MOSFET (금속 (() 820MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC2053UFDB-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 4.6A (TA), 3.1A (TA) 35mohm @ 5a, 4.5v, 75mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 10v, 12.7nc @ 8v 369pf @ 10v, 440pf @ 10v -
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated DMC2053UVT-13 0.4200
RFQ
ECAD 3692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 4.6A (TA), 3.2A (TA) 35mohm @ 5a, 4.5v, 74mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5v, 5.9nc @ 4.5v 369pf @ 10v, 440pf @ 10v -
DMN2710UW-13 Diodes Incorporated DMN2710UW-13 0.0355
RFQ
ECAD 1010 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2710 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2710UW-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 6V 42 pf @ 16 v - 470MW (TA)
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated DMP3036SSS-13 0.7400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3036 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 19.5A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW-7 0.3500
RFQ
ECAD 900 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.74 nc @ 4.5 v ± 6V 60.67 pf @ 16 v - 290MW (TA)
DMP6350SQ-13 Diodes Incorporated DMP6350SQ-13 0.1418
RFQ
ECAD 3257 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP6350 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP6350SQ-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 60 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 900ma, 10V 3V @ 250µA 4.1 NC @ 10 v ± 20V 206 pf @ 30 v - 720MW
VN10LPSTOB Diodes Incorporated vn10lpstob -
RFQ
ECAD 5112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 270MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 625MW (TA)
DMG1016V-7 Diodes Incorporated DMG1016V-7 0.4700
RFQ
ECAD 83 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1016 MOSFET (금속 (() 530MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 870ma, 640ma 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16v 논리 논리 게이트
DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated DMP1055UFDB-7 0.2035
RFQ
ECAD 2725 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1055 MOSFET (금속 (() 1.36W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.9a 59mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 20.8nc @ 8v 1028pf @ 6v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고