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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN3010LFG-7	0.5900	RFQ	13	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMN3010	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	30 v	11A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	2075 pf @ 15 v	-	900MW (TA)
DMN3020UFDFQ-13	0.1218	RFQ	5311	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMN3020	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드				31-DMN3020UFDFQ-13	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	10.4A (TA), 15A (TC)	1.5V, 4.5V	19mohm @ 4.5a, 4.5v	1V @ 250µA	27 NC @ 8 v	± 12V	1304 pf @ 15 v	-	730MW (TA)
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zvn2110astoa	-	RFQ	5362	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	100 v	320MA (TA)	10V	4ohm @ 1a, 10V	2.4V @ 1mA		± 20V	75 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
DMT3020LSD-13	0.2133	RFQ	9928	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT3020	MOSFET (금속 (()	1W (TA)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	16A (TC)		20mohm @ 9a, 10V	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²