SIC
close

트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMTH4014LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPSW-13 0.2189
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014LPSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 43.5A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 20 v - 4W (TA), 46.9W (TC)
FMMT38CQTA Diodes Incorporated fmmt38cqta 0.1431
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-fmmt38cqtatr 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
DMTH10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H015SK3-13 0.4393
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH10H015SK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 59A (TC) 6V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30.1 NC @ 10 v ± 20V 2343 pf @ 50 v - 2W (TA)
DMN3190LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3190LDWQ-13 0.0717
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN3190 MOSFET (금속 (() 320MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3190LDWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 1A (TA) 190mohm @ 1.3a, 10V 2.8V @ 250µA 2NC @ 10V 87pf @ 20V -
DMC3060LVTQ-13 Diodes Incorporated DMC3060LVTQ-13 0.1324
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3060 MOSFET (금속 (() 830MW (TA) TSOT-26 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC3060LVTQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 30V 3.6A (TA), 2.8A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 11.3NC @ 10V, 8.6NC @ 10V 395pf @ 15v, 324pf @ 15v -
DMN62D4LDW-13 Diodes Incorporated DMN62D4LDW-13 0.0444
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN62 MOSFET (금속 (() 330MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmn62d4ldw-13tr 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 261MA (TA) 3ohm @ 200ma, 10V 2V @ 250µA 1.04NC @ 10V 41pf @ 30v -
2N7002EQ-13-F Diodes Incorporated 2N7002EQ-13-F 0.0447
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-2N7002EQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 292MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.5 nc @ 10 v ± 20V 35 pf @ 30 v - 500MW (TA)
DMTH84M1SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH84M1SPSQ-13 0.9427
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH84M1SPSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 4209 pf @ 40 v - 1.6W (TA)
DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ-7 0.2678
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8028LFVWQ-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 631 pf @ 40 v - 1.5W (TA)
DMT61M8SPS-13 Diodes Incorporated DMT61M8SPS-13 0.8185
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT61M8SPS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 205A (TC) 10V 1.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130.6 NC @ 10 v ± 20V 8306 pf @ 30 v - 2.7W (TA), 139W (TC)
DMP3021SSS-13 Diodes Incorporated DMP3021SSS-13 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3021 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10.4A (TA), 39A (TC) 5V, 10V 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1799 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMP3011SFVW-13 Diodes Incorporated DMP3011SFVW-13 0.6100
RFQ
 ECAD 967 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 19.8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 2380 pf @ 15 v - 980MW (TA)
DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.5 NC @ 4.5 v ± 10V 647 pf @ 10 v - 800MW
DMC6022SSD-13 Diodes Incorporated DMC6022SSD-13 0.9500
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC6022 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 6A (TA), 5A (TA) 29mohm @ 5a, 10v, 50mohm @ 5a, 10v 3V @ 250µA 32nc @ 10v, 30.6nc @ 10v 2110pf @ 30v, 1525pf @ 30v -
DMN3732UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN3732UFB4Q-7B 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3732 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 8V 40.8 pf @ 25 v - 490MW (TA)
DMN1019USNQ-7 Diodes Incorporated DMN1019USNQ-7 0.1375
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN1019 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 31-DMN1019USNQ-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 9.3A (TA) 1.2V, 4.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5v 800MV @ 250µA 50.6 NC @ 8 v ± 8V 2426 pf @ 10 v - 680MW (TA)
DMP22D5UFZ-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFZ-7B 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP22 MOSFET (금속 (() X2-DFN0606-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.3 nc @ 4.5 v ± 8V 17 pf @ 16 v - 950µW (TA)
DMTH47M2SK3-13 Diodes Incorporated DMTH47M2SK3-13 0.2416
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH47 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - 31-DMTH47M2SK3-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 62A (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 12.1 NC @ 10 v ± 20V 897 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 50W (TC)
DMT10H032LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H032LK3-13 0.2459
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 v ± 20V 683 pf @ 50 v - 1.6W (TA)
DMTH10H032LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LFVW-13 0.2264
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX - 31-DMTH10H032LFVW-13 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 v ± 20V 683 pf @ 50 v - 1.7W (TA)
DMT10H4M9LPSW-13 Diodes Incorporated DMT10H4M9LPSW-13 0.8469
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 - 31-DMT10H4M9LPSW-13 2,500
DMG1023UV-7-52 Diodes Incorporated DMG1023UV-7-52 0.0840
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1023 MOSFET (금속 (() 530MW SOT-563 다운로드 31-DMG1023UV-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.03A (TA) 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6224NC @ 4.5V 59.76pf @ 16v 기준
ZXMN10A08E6TA-50 Diodes Incorporated ZXMN10A08E6TA-50 0.1238
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 31-zxmn10a08e6ta-50 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.5A (TA) 6V, 10V 250mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 20V 405 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
DMP510DL-7-50 Diodes Incorporated DMP510DL-7-50 0.0357
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP510 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMP510DL-7-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 180MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 30V 24.6 pf @ 25 v - 310MW (TA)
DMN53D0LDW-7-52 Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7-52 0.0668
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN53 MOSFET (금속 (() 310MW (TA) SOT-363 다운로드 31-DMN53D0LDW-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 50V 360MA (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 46pf @ 25v 기준
BSS84DW-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-F-50 0.0896
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 1 (무제한) 31-BSS84DW-7-F-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA - 45pf @ 25V 기준
DMN63D8LDW-13-52 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13-52 0.0398
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 31-DMN63D8LDW-13-52 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 30V 220MA (TA) 2.8ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 25V @ 25V 기준
DMTH45M5LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVW-13 0.2842
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMTH45M5LFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.3V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 20V 978 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMC62D2SV-13 Diodes Incorporated DMC62D2SV-13 0.0578
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMC62D2SV-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 60V 480MA (TA), 320MA (TA) 1.7ohm @ 200ma, 10v, 4ohm @ 200ma, 10v 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA 1.04NC @ 10V, 1.1NC @ 10V 41pf @ 30v, 40pf @ 25v 기준
DMP58D1LVQ-13 Diodes Incorporated DMP58D1LVQ-13 0.0616
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MOSFET (금속 (() 490MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMP58D1LVQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 50V 220MA (TA) 8ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25v 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다