SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMN3061SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3061SVTQ-13 0.0896
RFQ
ECAD 6286 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 - 31-DMN3061SVTQ-13 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 30V 3.4A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 6.6NC @ 10V 278pf @ 15V 기준
FCX491AQTA Diodes Incorporated FCX491AQTA 0.5500
RFQ
ECAD 4264 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
DMN2991UT-7 Diodes Incorporated DMN2991UT-7 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN2991 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 300MA (TA) 1.5V, 4.5V 3ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 10V 21.5 pf @ 15 v - 280MW (TA)
FZT1048ATA-79 Diodes Incorporated FZT1048ATA-79 -
RFQ
ECAD 1170 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-FZT1048ATA-79TR 쓸모없는 3,000
DMTH10H015SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H015SPSQ-13 0.5397
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 8.4A (TA), 50.5A (TC) 6V, 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 30.1 NC @ 10 v ± 20V 2343 pf @ 50 v - 1.5W (TA), 55W (TC)
DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated DMP1011LFV-7 0.2761
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP1011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 12 v 19A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 12a, 4.5v 1.2V @ 250µA 9.5 nc @ 6 v -6V 913 pf @ 6 v - 2.16W
DMN2710UFB-7B Diodes Incorporated DMN2710UFB-7B 0.0345
RFQ
ECAD 7777 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN2710 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 31-DMN2710UFB-7B 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 6V 42 pf @ 16 v - 720MW (TA)
DMP4013SPS-13 Diodes Incorporated DMP4013SPS-13 0.4607
RFQ
ECAD 4865 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP4013 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMP4013SPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11A (TA), 61A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 4004 pf @ 20 v - 1.6W (TA)
BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated BC847BFAQ-7B 0.0630
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC847 435 MW X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMP4011SPSQ-13 Diodes Incorporated DMP4011SPSQ-13 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP4011 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11.7A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2747 pf @ 20 v - 1.3W (TA)
DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated DMN3018SFG-13 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3018 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 25V 697 pf @ 15 v - 1W (TA)
ZXMP6A17GTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17GTA-52 0.3130
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 31-ZXMP6A17GTA-52 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 17.7 NC @ 10 v ± 20V 637 pf @ 30 v - 2W (TA)
DMP2160UFDB-7R Diodes Incorporated DMP2160UFDB-7R -
RFQ
ECAD 3658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DMP2160 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2160UFDB-7RDI 귀 99 8541.29.0095 3,000 -
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13 1.9400
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 50 v - 1.6W (TA)
DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDW-13 0.5433
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMNH6035 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 68W (TC) PowerDi5060-8 (유형 r) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMNH6035SPDW-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 33A (TC) 35mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 879pf @ 25v -
BSS123K-7 Diodes Incorporated BSS123K-7 0.1441
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS123K-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA 1.3 NC @ 10 v ± 20V 38 pf @ 50 v 기준 500MW
DMN6066SSSQ-13 Diodes Incorporated DMN6066SSSQ-13 0.2748
RFQ
ECAD 6849 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN6066 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6066SSSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 3.7A (TA) 4.5V, 10V 66MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 1.56W (TA)
DMT69M5LFVW-7 Diodes Incorporated DMT69M5LFVW-7 0.2741
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT69M5LFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14.8A (TA), 40.6A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28.4 NC @ 10 v ± 20V 1406 pf @ 30 v - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
DMN313DLT-7 Diodes Incorporated DMN313DLT-7 0.3000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN313 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 270MA (TA) 2.5V, 4.5V 2ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 20V 36.3 pf @ 5 v - 280MW (TA)
DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated DMN2010udz-7 0.9000
RFQ
ECAD 73 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2010 MOSFET (금속 (() 700MW U-DFN2535-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 24V 11a 7mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33.2NC @ 4.5V 2665pf @ 10V -
BC847CQ-7-F Diodes Incorporated BC847CQ-7-F 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 310 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 300MHz
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN6066SSDQ-13 0.4505
RFQ
ECAD 4208 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN6066 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN6066SSDQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 3.3A (TA) 66MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 10.3nc @ 10v 502pf @ 30V -
DMP3028LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-13 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3028 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1372 pf @ 15 v - 1.28W
DMP3045LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMP3045LFVWQ-13 0.2045
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMP3045 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP3045LFVWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.7A (TA), 19.9A (TC) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.9A, 10V 2.1V @ 250µA 13.6 NC @ 10 v ± 20V 782 pf @ 15 v - 900MW (TA)
BC847BSQ-7-F Diodes Incorporated BC847BSQ-7-F 0.0623
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BC847BSQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 20NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN22M5UFG-7 Diodes Incorporated DMN22M5UFG-7 0.8300
RFQ
ECAD 9580 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN22 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMN22M5UFG-7DKR 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 20 v 24A (TA), 27A (TC) 2.5V, 4.5V 2MOHM @ 13.5A, 4.5V 1.3V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 12V 3926 pf @ 10 v - 600MW (TA)
DMPH4023SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH4023SK3Q-13 0.4012
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMPH4023 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 10V 26mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 18.7 NC @ 10 v ± 20V 1091 pf @ 20 v - 2.1W (TA)
ZTX449STOA Diodes Incorporated ZTX449STOA -
RFQ
ECAD 2317 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX449 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 150MHz
ZTX712 Diodes Incorporated ZTX712 -
RFQ
ECAD 8455 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX712 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 800 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
MMST3904-7-F Diodes Incorporated MMST3904-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 74 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST3904 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고