SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2DC2412R-7 Diodes Incorporated 2DC2412R-7 0.0621
RFQ
ECAD 3327 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2DC2412 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 180MHz
FZT795AQTA Diodes Incorporated FZT795AQTA 0.3800
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FZT795AQTART 귀 99 8541.29.0075 1,000 140 v 500 MA 100NA PNP 300mv @ 5ma, 200ma 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DN350T05-7 Diodes Incorporated DN350T05-7 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DN350T05 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 350 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 5MA, 50MA 20 @ 50MA, 10V 50MHz
ADC143TUQ-7 Diodes Incorporated ADC143TUQ-7 0.0651
RFQ
ECAD 7016 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC143 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
ZTX1147A Diodes Incorporated ZTX1147A -
RFQ
ECAD 3013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX1147A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 4 a 100NA PNP 235mv @ 70ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 115MHz
ZXTN4004ZQTA Diodes Incorporated ZXTN4004ZQTA 0.2040
RFQ
ECAD 2343 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN4004 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 150 v 1 a 50NA NPN 250mv @ 5ma, 100ma 100 @ 150ma, 250mv -
DDTC144EE-7 Diodes Incorporated DDTC144EE-7 -
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 DDTC144 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated DMN2041UVT-7 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET (금속 (() 1.1W TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.8A (TA) 28mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.1NC @ 4.5V 689pf @ 10V -
DDA143TU-7 Diodes Incorporated DDA143TU-7 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA143 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
DVR3V3W-7 Diodes Incorporated DVR3V3W-7 -
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DVR3V3 200 MW SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18 v 1 a 1µA (ICBO) NPN + ZENER + (분리) 500mv @ 30ma, 300ma 150 @ 100MA, 1V 100MHz
FZT957TA Diodes Incorporated FZT957TA 0.9900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT957 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 1 a 50NA (ICBO) PNP 240mv @ 300ma, 1a 100 @ 500ma, 10V 85MHz
FMMT625TA Diodes Incorporated FMMT625TA 0.5600
RFQ
ECAD 66 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT625 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 1 a 100NA NPN 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 200ma, 10V 135MHz
ZTX555 Diodes Incorporated ZTX555 -
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX555 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX555-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 50 @ 300ma, 10V 100MHz
DDTC114TKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114TKA-7-F -
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
MMBT2907AT-7-F Diodes Incorporated MMBT2907AT-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT2907 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-13 0.1580
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT6017 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT6017LFDF-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 65 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 6a, 10V 2.3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 16V 891 pf @ 30 v - 800MW (TA)
DMNH6042SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH6042SK3Q-13 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH6042 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 20V 584 pf @ 25 v - 2W (TA)
DMN3732UFB4-7 Diodes Incorporated DMN3732UFB4-7 0.2800
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3732 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN3732UFB4-7CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 8V 40.8 pf @ 25 v - 490MW (TA)
DDC122TH-7 Diodes Incorporated DDC122-7 -
RFQ
ECAD 2589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDC122 150MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 220ohms -
DDTC144TCA-7 Diodes Incorporated DDTC144TCA-7 -
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
DDTC143EUA-7 Diodes Incorporated DDTC143EUA-7 0.1000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZTX749STOB Diodes Incorporated ZTX749STOB -
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX749 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 160MHz
DMN3035LWN-13 Diodes Incorporated DMN3035LWN-13 0.1503
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3035 MOSFET (금속 (() V-DFN3020-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 5.5A (TA) 35mohm @ 4.8a, 10V 2V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 399pf @ 15V -
ZTX792A Diodes Incorporated ZTX792A 1.0600
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX792 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX792A-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 70 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DDTC144TUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144TUA-7-F 0.0435
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 47 Kohms
FMMT497TA Diodes Incorporated FMMT497TA 0.4400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT497 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 25ma, 250ma 80 @ 100MA, 10V 75MHz
DDTC143XCA-7 Diodes Incorporated DDTC143XCA-7 -
RFQ
ECAD 5775 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
CTA2P1N-7 Diodes Incorporated CTA2P1N-7 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 cta2p1n 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
DMN3016LFDF-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-13 0.1409
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 2.02W (TA)
DMPH4015SPS-13 Diodes Incorporated DMPH4015SPS-13 0.5145
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMPH4015 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 2.6W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고