SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA 0.4600
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.8 NC @ 4.5 v ± 12V 277 pf @ 10 v - 950MW (TA)
FMMT591TC Diodes Incorporated FMMT591TC -
RFQ
 ECAD 6343 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT591 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 1 a 100NA PNP 350MV @ 100MA, 1A 100 @ 500ma, 5V 150MHz
2N7002VAC-7 Diodes Incorporated 2N7002VAC-7 0.1127
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 280ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated zxmn3a14fta 0.6100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 448 pf @ 15 v - 1W (TA)
2DD2661-13 Diodes Incorporated 2DD2661-13 -
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD2661 900 MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,500 12 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200MA, 2V 170MHz
DMTH15H017LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ-13 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH15 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3369 pf @ 75 v - 1.5W (TA), 107W (TC)
BC848A-7-F Diodes Incorporated BC848A-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
DDTA114TCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114TCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1- 전용 시리즈) CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
ZXTN25020BFHTA Diodes Incorporated ZXTN25020BFHTA 0.5600
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25020 1.25 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 4.5 a 50NA (ICBO) NPN 145MV @ 450MA, 4.5A 100 @ 10ma, 2v 185MHz
FCX458TA Diodes Incorporated FCX458TA 0.4600
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX458 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 225 MA 100NA NPN 500mv @ 6ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 50MHz
DDTA144VE-7 Diodes Incorporated DDTA144VE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA144 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
ZXT13P40DE6TA Diodes Incorporated ZXT13P40DE6TA 0.6800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13P40 1.1 w SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40 v 3 a 100NA PNP 240mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 115MHz
BSS138W-7-F Diodes Incorporated BSS138W-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 200MW (TA)
DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated DMN6069SFG-13 0.2279
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 5.6A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 30 v - 930MW (TA)
ZTX451STZ Diodes Incorporated ZTX451STZ 0.2320
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX451 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350mv @ 15ma, 150ma 50 @ 150ma, 10V 150MHz
ZTX549 Diodes Incorporated ZTX549 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX549 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX549-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
DDTA114YCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114YCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DDTA (R1 ≠ R2 시리즈) CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
ZTX451STOB Diodes Incorporated ZTX451STOB -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX451 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 350mv @ 15ma, 150ma 50 @ 150ma, 10V 150MHz
DMP3037LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3037LSSQ-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3037 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 17.3 NC @ 10 v ± 20V 969 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
ZXT849KTC Diodes Incorporated ZXT849KTC 1.3100
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXT849 4.2 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 7 a 20NA (ICBO) NPN 280MV @ 350MA, 7A 100 @ 1a, 1v 100MHz
DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF-7 0.3605
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT12 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT12H065LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 115 v 4.3A (TA) 3V, 10V 65mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 12V 252 pf @ 50 v - 1W (TA)
ZXTN25020DZTA Diodes Incorporated ZXTN25020DZTA 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN25020 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 6 a 50NA (ICBO) NPN 270mv @ 300ma, 6a 300 @ 10ma, 2v 215MHz
2DD1664Q-13 Diodes Incorporated 2DD1664Q-13 0.1320
RFQ
 ECAD 3986 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD1664 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 100NA NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 280MHz
ZTX957STOB Diodes Incorporated ZTX957STOB -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX957 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 1 a 50NA (ICBO) PNP 200mv @ 300ma, 1a 100 @ 500ma, 10V 85MHz
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated zxt13p12de6ta 0.2610
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13P12 1.1 w SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 12 v 4 a 100NA PNP 175MV @ 400MA, 4A 300 @ 1a, 2v 55MHz
ZTX603 Diodes Incorporated ZTX603 0.8700
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX603 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 10µA npn-달링턴 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
BC858BW-7-F Diodes Incorporated BC858BW-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
DDTC144EE-7 Diodes Incorporated DDTC144EE-7 -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 DDTC144 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 -
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-251 (TH3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 13.9 NC @ 10 v ± 30V 351 pf @ 50 v - 41W (TC)
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated DMC1017UPD-13 -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMC1017 MOSFET (금속 (() 2.3W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 12V 13A (TA), 9.4A (TA) 17mohm @ 11.8a, 4.5v, 32mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18.6nc @ 4.5v, 23.7nc @ 4.5v 1787pf @ 6v, 2100pf @ 6v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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