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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMBTA56-7-F Diodes Incorporated MMBTA56-7-F 0.2200
RFQ
ECAD 607 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA56 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated zxmn10a08dn8ta 0.8300
RFQ
ECAD 7029 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN10 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 100V 1.6a 250mohm @ 3.2a, 10V 2V @ 250µA (Min) 7.7NC @ 10V 405pf @ 50V 논리 논리 게이트
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD65 기준 230 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10ohm, 15V 60 ns 현장 현장 650 v 80 a 120 a 2.3V @ 15V, 40A 500µJ (on), 400µJ (OFF) 60 NC 6ns/55ns
DMP2004DMK-7 Diodes Incorporated DMP2004DMK-7 0.2279
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMP2004 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 550ma 900mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA - 175pf @ 16v 논리 논리 게이트
DMP2088LCP3-7 Diodes Incorporated DMP2088LCP3-7 -
RFQ
ECAD 7748 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP2088 MOSFET (금속 (() X2-DSN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 8V 88mohm @ 500ma, 8v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v -12V 160 pf @ 10 v - 1.13W
MMBT4401-7-F Diodes Incorporated MMBT4401-7-F 0.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4401 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
FCX555TA Diodes Incorporated FCX555TA 0.5400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX555 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 180 v 700 MA 20NA (ICBO) PNP 400mv @ 25ma, 250ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
ECAD 2005 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 MOSFET (금속 (() 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated DMN6068SE-13 0.6000
RFQ
ECAD 45 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMN6068 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 4.1A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2W (TA)
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTB113ZC-7-F 0.2500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DMN32D0LFB4-7B Diodes Incorporated DMN32D0LFB4-7B 0.0739
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN32 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN32D0LFB4-7BDI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 440MA (TA) 1.8V, 2.5V, 4.5V 1.2ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 10V 44.8 pf @ 15 v - 350MW (TA)
DMNH6042SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH6042SPSQ-13 0.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH6042 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 24A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 20V 584 pf @ 25 v - 2.9W (TA)
ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated ZXMN3B14FTA 0.6100
RFQ
ECAD 8885 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.1a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 6.7 NC @ 4.5 v ± 12V 568 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated DMP21D0UFB4-7B 0.3700
RFQ
ECAD 5369 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP21 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 495mohm @ 400ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.54 NC @ 8 v ± 8V 80 pf @ 10 v - 430MW (TA)
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated dmg1026uvq-7 0.1196
RFQ
ECAD 1329 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1026 MOSFET (금속 (() 650MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 440MA (TA) 1.8ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 250µA 0.45pc @ 4.5v 32pf @ 25v 논리 논리 게이트
ZVP3310FTA-50 Diodes Incorporated ZVP3310fta-50 0.1328
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZVP3310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-zvp3310fta-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 75MA (TA) 10V 20ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 330MW (TA)
DDTC125TCA-7 Diodes Incorporated DDTC125TCA-7 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC125 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
BCX51TA Diodes Incorporated BCX51TA 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 150MHz
ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6TA 0.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTD09 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50V 1A 10NA 2 NPN (() 270mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 215MHz
ZX5T3ZTC Diodes Incorporated ZX5T3ZTC 0.2509
RFQ
ECAD 1225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZX5T3 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 40 v 5.5 a 20NA PNP 185MV @ 550MA, 5.5A 200 @ 500ma, 2v 152MHz
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3110 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 1.8V, 8V 69mohm @ 500ma, 8v 1.1V @ 250µA 1.52 NC @ 4.5 v 12V 150 pf @ 15 v - 1.38W
DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT68M8LSSSS-13 0.2125
RFQ
ECAD 4398 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT68 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 28.9A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 31.8 nc @ 10 v ± 20V 2107 pf @ 30 v - 1.9W (TA)
ZTX949STOA Diodes Incorporated ZTX949STOA -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX949 1.58 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 30 v 4.5 a 50NA (ICBO) PNP 320mv @ 300ma, 5a 100 @ 1a, 1v 100MHz
DMG3415U-13 Diodes Incorporated DMG3415U-13 -
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3415 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMG3415U-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 42.5mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 8V 294 pf @ 10 v - 900MW (TA)
BCV46TC Diodes Incorporated BCV46TC -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV46 330 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 200MHz
DCX115EU-7-F-50 Diodes Incorporated DCX115EU-7-F-50 0.0357
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 다이오드가 다이오드가 DCX (xxxx) u 대부분 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX115 200MW SOT-363 다운로드 31-DCX115EU-7-F-50 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100kohms 100kohms
ZTX449STZ Diodes Incorporated ZTX449STZ -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX449 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 150MHz
DMG2302UKQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UKQ-7 0.4300
RFQ
ECAD 915 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.8A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 2.8 NC @ 10 v ± 12V 130 pf @ 10 v - 660MW (TA)
MMBT2907AT-7-F Diodes Incorporated MMBT2907AT-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT2907 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
FZT755TA Diodes Incorporated FZT755TA 0.8300
RFQ
ECAD 705 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT755 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 1a 50 @ 500ma, 5V 30MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고