SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DDTC114TE-7-F Diodes Incorporated DDTC114TE-7-F 0.0605
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ECAD 3839 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTC114 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
ZXTN2011GTA Diodes Incorporated ZXTN2011GTA 0.8300
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ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXTN2011 3W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 100V 6A 50nA(ICBO) NPN 220mV @ 500mA, 5A 100 @ 2A, 2V 130MHz
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated DMG7430LFGQ-7 0.2384
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ECAD 9976 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMG7430 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMG7430LFGQ-7DI EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 30V 10.5A(타) 4.5V, 10V 11m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 26.7nC @ 10V ±20V 15V에서 1281pF - 900mW(타)
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
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ECAD 3508 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET(금속) 200mW(타) SOT-363 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BSS8402DWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N 및 P 채널 보완 60V, 50V 115mA(타), 130mA(타) 13.5옴 @ 500mA, 10V, 10옴 @ 100mA, 5V 2.5V @ 250μA, 2V @ 1mA - 50pF @ 25V, 45pF @ 25V -
ZTX601STOB Diodes Incorporated ZTX601STOB -
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ECAD 8810 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX601 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 160V 1A 10μA NPN-달링턴 1.2V @ 10mA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 250MHz
FMMT417TA Diodes Incorporated FMMT417TA -
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ECAD 8038 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT417 330mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 100V 500mA 100nA(ICBO) NPN - 눈사태 모드 500mV @ 1mA, 10mA 25 @ 10mA, 10V 40MHz
DXTP07040CFG-7 Diodes Incorporated DXTP07040CFG-7 0.1911
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ECAD 2826 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN DXTP07040 900mW PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 3A 20nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 2A 300 @ 10mA, 2V 100MHz
DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ-13 3.6400
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ECAD 1 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SOT-1235 MOSFET(금속) 파워DI8080-5 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 460A(Tc) 10V 0.7m옴 @ 25A, 10V 4V @ 250μA 117.1nC @ 10V ±20V 20V에서 10053pF - 5.6W(Ta), 428W(Tc)
DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7 0.6300
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ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN66 MOSFET(금속) 250mW(타) SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 115mA(타) 6옴 @ 115mA, 5V 2V @ 250μA - 23pF @ 25V -
ZXMD65P02N8TC Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC -
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ECAD 7425 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ZXMD65P02 MOSFET(금속) 1.75W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 4A 50m옴 @ 2.9A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 20nC @ 4.5V 960pF @ 15V -
MMST4401-7 Diodes Incorporated MMST4401-7 -
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ECAD 4397 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MMST4401 200mW SOT-323 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA - NPN 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
BSS84DW-7 Diodes Incorporated BSS84DW-7 -
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ECAD 1390 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 MOSFET(금속) 300mW SOT-363 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 50V 130mA 10옴 @ 100mA, 5V 2V @ 1mA - 45pF @ 25V 게임 레벨 레벨
DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated DMT69M8LFV-7 0.7800
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ECAD 980 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT69 MOSFET(금속) PowerDI3333-8(UX 외부) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 45A(Tc) 4.5V, 10V 9.5m옴 @ 13.5A, 10V 3V @ 250μA 33.5nC @ 10V ±16V 30V에서 1925pF - 42W(Tc)
DMT6016LPS-13 Diodes Incorporated DMT6016LPS-13 0.5700
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ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT6016 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 10.6A(타) 4.5V, 10V 16m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 864pF - 1.23W(타)
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDB-7 0.4400
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ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMC2025 MOSFET(금속) 700mW(타) U-DFN2020-6(B형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 20V 6A(타), 3.5A(타) 25m옴 @ 4A, 4.5V, 75m옴 @ 2.9A, 4.5V 250μA에서 1V, 250μA에서 1.4V 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 486pF @ 10V, 642pF @ 10V -
DMP4047LFDE-7 Diodes Incorporated DMP4047LFDE-7 0.5300
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ECAD 10 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMP4047 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 40V 3.3A(타) 4.5V, 10V 33m옴 @ 4.4A, 10V 2.2V @ 250μA 23.2nC @ 10V ±20V 20V에서 1382pF - 700mW(타)
ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated ZXMN3B01FTA 0.5300
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ECAD 4 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.7A(타) 2.5V, 4.5V 150m옴 @ 1.7A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 2.93nC @ 4.5V ±12V 15V에서 258pF - 625mW(타)
DDTC115GE-7 Diodes Incorporated DDTC115GE-7 -
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ECAD 9727 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 SOT-523 DDTC115 150mW SOT-523 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated ZVN4306AVSTOB -
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ECAD 4241 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 60V 1.1A(타) 5V, 10V 330m옴 @ 3A, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 350pF - 850mW(타)
ZXT13P40DE6TA Diodes Incorporated ZXT13P40DE6TA 0.6800
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ECAD 15 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXT13P40 1.1W SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 40V 3A 100nA PNP 240mV @ 300mA, 3A 300 @ 1A, 2V 115MHz
ZVP4525GTC Diodes Incorporated ZVP4525GTC -
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ECAD 1041 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 250V 265mA(타) 3.5V, 10V 14옴 @ 200mA, 10V 2V @ 1mA 3.45nC @ 10V ±40V 25V에서 73pF - 2W(타)
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated BSS138DW-7-F 0.4600
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ECAD 7 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET(금속) 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 50V 200mA 3.5옴 @ 220mA, 10V 250μA에서 1.5V - 50pF @ 10V 게임 레벨 레벨
ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated ZXMP3A16GTA 0.9400
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ECAD 3934 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXMP3A16 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 30V 5.4A(타) 4.5V, 10V 45m옴 @ 4.2A, 10V 1V @ 250μA 29.6nC @ 10V ±20V 15V에서 1022pF - 2W(타)
DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated DMC3035LSD-13 -
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ECAD 3488 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) DMC3035 MOSFET(금속) 2W 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 6.9A, 5A 35m옴 @ 6.9A, 10V 2.1V @ 250μA 8.6nC @ 10V 384pF @ 15V 게임 레벨 레벨
ZVP4424GTA Diodes Incorporated ZVP4424GTA 1.0900
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ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZVP4424 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 240V 480mA(타) 3.5V, 10V 9옴 @ 200mA, 10V 2V @ 1mA ±40V 200pF @ 25V - 2.5W(타)
BS250PSTZ Diodes Incorporated BS250PSTZ -
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ECAD 9808 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 BS250 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 45V 230mA(타) 10V 14옴 @ 200mA, 10V 3.5V @ 1mA ±20V 10V에서 60pF - 700mW(타)
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA 0.8300
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ECAD 7029 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) ZXMN10 MOSFET(금속) 1.25W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 2 N채널(듀얼) 100V 1.6A 250m옴 @ 3.2A, 10V 2V @ 250μA(최소) 7.7nC @ 10V 405pF @ 50V 게임 레벨 레벨
DDTC144GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC144GKA-7-F -
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ECAD 5586 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200mW SC-59-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ
ZVNL120C Diodes Incorporated ZVNL120C -
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ECAD 9929 0.00000000 다이 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET(금속) TO-92 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 200V 180mA(타) 3V, 5V 10옴 @ 250mA, 5V 1.5V @ 1mA ±20V 25V에서 85pF - 700mW(타)
ZXTP2096FQTA Diodes Incorporated ZXTP2096FQTA 0.1444
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ECAD 6271 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 - 31-ZXTP2096FQTA 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고