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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH4007SPDQ-13	1.2500	RFQ	7974	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH4007	MOSFET (금속 (()	2.6W	PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	14.2A		8.6mohm @ 17a, 10V	4V @ 250µA	41.9NC @ 10V		2026pf @ 30v	-
DP0150ADJ-7	-	RFQ	4692	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-963	DP0150		300MW	SOT-963	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000													50V	100ma	100NA (ICBO)	2 PNP (()	300mv @ 10ma, 100ma	120 @ 2MA, 6V	80MHz
DMN33D8LTQ-7	0.4600	RFQ	1020	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN33	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	115MA (TA)	2.5V, 4V	5ohm @ 10ma, 4v	1.5V @ 100µa	0.55 nc @ 10 v	± 20V	48 pf @ 5 v	-	240MW (TA)
DMG3413L-7	-	RFQ	3073	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3413	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	95mohm @ 3a, 4.5v	1.3V @ 250µA	9 NC @ 4.5 v	± 8V	857 pf @ 10 v	-	700MW (TA)
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BSS84DW-7	-	RFQ	1390	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS84	MOSFET (금속 (()	300MW	SOT-363	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		50V	130ma		10ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA	-		45pf @ 25V	논리 논리 게이트
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DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	DMN6010	MOSFET (금속 (()		to-263ab (d²pak)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN6010SCTBQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	128A (TC)	10V	10mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	46 NC @ 10 v	± 20V	2692 pf @ 25 v	-	5W (TA), 312W (TC)
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dmn62d0udwq-7	0.0993	RFQ	8969	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN62	MOSFET (금속 (()	320MW (TA)	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmn62d0udwq-7tr	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	350MA (TA)		2ohm @ 100ma, 4.5v	1.1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		32pf @ 30V	-
DMC3401LDW-7-50	0.0483	RFQ	9911	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMC3401	MOSFET (금속 (()	290MW (TA)	SOT-363	다운로드				31-DMC3401LDW-7-50	귀 99	8541.21.0095	3,000	n 보완 p 채널 및		30V	800MA (TA), 550MA (TA)		400mohm @ 590ma, 10v, 900mohm @ 420ma, 10v	1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA	1.2NC @ 10V, 800pc @ 10V		50pf @ 15V, 19pf @ 15V	기준
DDC143TU-7-F	0.4100	RFQ	226	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC143		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	-	2 npn--바이어스 (듀얼)	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	4.7kohms	-
DMTH6012LPSW-13	0.2453	RFQ	8826	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6012	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (Q 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMTH6012LPSW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	11.5A (TA), 50.5A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	13.6 NC @ 10 v	± 20V	785 pf @ 30 v	-	2.8W (TA), 53.6W (TC)
zvn4210astob	-	RFQ	2004	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	100 v	450MA (TA)	5V, 10V	1.5ohm @ 1.5a, 10V	2.4V @ 1mA		± 20V	100 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
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DMJ70H1D3SH3	-	RFQ	5101	다이오드가 다이오드가	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	DMJ70	MOSFET (금속 (()		TO-251 (TH3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	700 v	4.6A (TC)	10V	1.3ohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	13.9 NC @ 10 v	± 30V	351 pf @ 50 v	-	41W (TC)
DMN61D9U-7	-	RFQ	5313	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN61	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	380MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.4 nc @ 4.5 v	± 20V	28.5 pf @ 30 v	-	370MW (TA)
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DMT10H010LCT	1.6100	RFQ	45	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DMT10	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMT10H010LCTDI	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	98A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13a, 10V	3V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	3000 pf @ 50 v	-	2W (TA), 139W (TC)
fmmta14ta	-	RFQ	6531	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMTA14		330 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000													40 v	300 MA	100NA	npn-달링턴	900mv @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	-
DXTP03060BFG-7	0.5900	RFQ	6403	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn			1.07 w	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000													60 v	5.5 a	50NA	PNP	250mv @ 500ma, 50a	100 @ 2a, 2v	120MHz
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FZT788BTC	-	RFQ	1025	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT788		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	4,000													15 v	3 a	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50ma, 3a	500 @ 10ma, 2v	100MHz
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2N7002VAC-7	0.1127	RFQ	12	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	2N7002	MOSFET (금속 (()	150MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	280ma		7.5ohm @ 50ma, 5V	2.5V @ 250µA	-		50pf @ 25V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²