SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH8028LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH8028LFVW-13 0.2498
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8028LFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 27A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 631 pf @ 40 v - 1.5W (TA)
ZTX1056ASTZ Diodes Incorporated ztx1056astz -
RFQ
 ECAD 8283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1056A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 160 v 3 a 10NA NPN 300mv @ 200ma, 3a 300 @ 500ma, 10V 120MHz
ACX114EUQ-7R Diodes Incorporated ACX114EUQ-7R 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX114 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DMN5L06KQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06KQ-7 -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN5L06 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 300MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW
DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 0.4400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4496 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 10.2 NC @ 10 v ± 25V 493.5 pf @ 15 v - 1.42W (TA)
MMDT2907VQ-7 Diodes Incorporated MMDT2907VQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT2907 150MW SOT-563 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 50NA 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
DCX55-13 Diodes Incorporated DCX55-13 -
RFQ
 ECAD 6274 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX55 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 200MHz
DDTC124EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC124EUAQ-7-F 0.0476
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DDTC124EUAQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMC21D1UDA-7B 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMC21 MOSFET (금속 (() 300MW X2-DFN0806-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 및 p 채널 20V 455MA (TA), 328MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v, 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V, 0.4NC @ 4.5V 31pf @ 15v, 28.5pf @ 15v -
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated DMN2029USD-13 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN2029 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.8A 25mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18.6NC @ 8V 1171pf @ 10V 논리 논리 게이트
ADTC143TUAQ-13 Diodes Incorporated ADTC143TUAQ-13 0.0320
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTC143 330 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
ZTX601STOB Diodes Incorporated ZTX601STOB -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX601 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
BC848BW-7-F Diodes Incorporated BC848BW-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
ZXTP25020BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25020BFHTA 0.5600
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25020 1.25 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20 v 4 a 50NA (ICBO) PNP 210mv @ 500ma, 5a 100 @ 10ma, 2v 250MHz
ZTX553STOA Diodes Incorporated ZTX553STOA -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX553 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V 150MHz
DDTA115ECA-7 Diodes Incorporated DDTA115ECA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA115 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA115ECA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
FZT690BTA Diodes Incorporated FZT690BTA 0.8300
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT690 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 1a 150 @ 2a, 2v 150MHz
ZTX603 Diodes Incorporated ZTX603 0.8700
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX603 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 10µA npn-달링턴 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
ADTC114YUAQ-7 Diodes Incorporated ADTC114YUAQ-7 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 ADTC114 330 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 MA - npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
ZXTN4006ZTA Diodes Incorporated ZXTN4006ZTA 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN4006 1.5 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 200 v 1 a 50NA (ICBO) NPN - 100 @ 150ma, 320MV -
DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated DMN21D2UFB-7 0.0828
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN21 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN21D2UFB-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 760MA (TA) 1.5V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.93 nc @ 10 v ± 12V 27.6 pf @ 16 v - 380MW (TA)
FMMT493ATC Diodes Incorporated FMMT493ATC -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT493A 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 250ma, 10V 150MHz
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 0.5200
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMN2014 MOSFET (금속 (() 800MW u-dfn2030-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 9a 13mohm @ 4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5v 1550pf @ 10V 논리 논리 게이트
ZVP4105A Diodes Incorporated ZVP4105A -
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZVP4105A-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 50 v 175MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 625MW (TA)
UMC4NQ-7 Diodes Incorporated UMC4NQ-7 0.0724
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC4 290MW SOT-353 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) - - 250MHz 47kohms, 10kohms 47kohms, 47kohms
BC847BVN-7 Diodes Incorporated BC847BVN-7 0.4300
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BC847 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 300MHz, 200MHz
ZTX955STZ Diodes Incorporated ZTX955STZ 0.4970
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX955 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 140 v 3 a 50NA (ICBO) PNP 300ma, 3a. 3A 100 @ 1a, 5V 110MHz
ZXTN23015CFHTA Diodes Incorporated ZXTN23015CFHTA 0.7900
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN23015 1.25 w SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 15 v 6 a 20NA (ICBO) NPN 180mv @ 120ma, 6a 200 @ 500ma, 2v 235MHz
DMN3030LFG-13 Diodes Incorporated DMN3030LFG-13 -
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3030 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 31-DMN3030LFG-13 쓸모없는 1 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 25V 751 pf @ 10 v - 900MW (TA)
FMMT497TA Diodes Incorporated FMMT497TA 0.4400
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT497 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 25ma, 250ma 80 @ 100MA, 10V 75MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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