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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZDT690TC Diodes Incorporated ZDT690TC -
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT690 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 45V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150MHz
ZXTP2012ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2012ZQTA 0.9200
RFQ
ECAD 900 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP2012 1.5 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 4.3 a 20NA (ICBO) PNP 215MV @ 500MA, 5A 100 @ 2a, 1v 120MHz
DMP2042UCB4-7 Diodes Incorporated DMP2042UCB4-7 -
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLBGA DMP2042 MOSFET (금속 (() U-WLB1010-4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.5 NC @ 4.5 v -6V 218 pf @ 10 v - 1.4W
ZX5T955ZTA Diodes Incorporated ZX5T955ZTA 0.8800
RFQ
ECAD 8186 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZX5T955 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 140 v 3 a 20NA (ICBO) PNP 300ma, 3a. 3A 100 @ 1a, 5V 120MHz
DMP1045UFY4-7 Diodes Incorporated DMP1045UFY4-7 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP1045 MOSFET (금속 (() DFN2015H4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 23.7 NC @ 8 v ± 8V 1291 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated DDTC115TE-7-F 0.0605
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC115 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XKA-7-F -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DMN2004WK-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WK-7-52 0.0724
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 31-DMN2004WK-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
DDTC144GCA-7-F Diodes Incorporated DDTC144GCA-7-F 0.0386
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
DMP2900UW-13 Diodes Incorporated DMP2900UW-13 0.0498
RFQ
ECAD 2364 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2900 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2900UW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
BCP5216TA Diodes Incorporated BCP5216TA 0.3700
RFQ
ECAD 753 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5216 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated DDTB114GC-7-F -
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB114 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS
ZX5T851ZTA Diodes Incorporated ZX5T851ZTA -
RFQ
ECAD 8141 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZX5T851 2.1 w SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 5 a 20NA (ICBO) NPN 230mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
BC857CWQ-7 Diodes Incorporated BC857CWQ-7 0.3400
RFQ
ECAD 7880 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 - 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
FMMT449TA Diodes Incorporated FMMT449TA 0.4400
RFQ
ECAD 112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT449 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 150MHz
ZTX789A Diodes Incorporated ZTX789A 0.4494
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX789 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX789A-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 3a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated DMN4027SSD-13 0.3350
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN4027 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.4A 27mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 12.9NC @ 10V 604pf @ 20V 논리 논리 게이트
DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated DMN3016LK3-13 0.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN3016 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.4A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2.3V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
DDTA114WCA-7 Diodes Incorporated DDTA114WCA-7 0.3900
RFQ
ECAD 451 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA114WCA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMN5L06DW-7 Diodes Incorporated DMN5L06DW-7 -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 280ma 3ohm @ 200ma, 2.7v 1.2V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated DMC3016LNS-7 0.2475
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMC3016 MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 보완 p 채널 및 30V 9A (TA), 6.8A (TA) 16mohm @ 7a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15v, 1188pf @ 15v -
ADTC124ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTC124ECAQ-7 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTC124 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA - npn-사전- - - 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
DDTA115TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA115TUA-7-F 0.0435
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
ZTX953STZ Diodes Incorporated ZTX953STZ 0.4970
RFQ
ECAD 6930 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX953 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 3.5 a 50NA (ICBO) PNP 330mv @ 400ma, 4a 100 @ 1a, 1v 125MHz
DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-13 0.1580
RFQ
ECAD 3587 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT6017 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT6017LFDF-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 65 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 6a, 10V 2.3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 16V 891 pf @ 30 v - 800MW (TA)
DXTP07040CFG-7 Diodes Incorporated DXTP07040CFG-7 0.1911
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DXTP07040 900 MW PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 3 a 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 2a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
MMBTA56-7-F Diodes Incorporated MMBTA56-7-F 0.2200
RFQ
ECAD 607 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA56 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
DDTC144ECA-7-F Diodes Incorporated DDTC144ECA-7-F 0.2200
RFQ
ECAD 2633 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1022UFDF-13 0.1733
RFQ
ECAD 2401 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1022 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 9.5A (TA) 1.2V, 4.5V 14.8mohm @ 4a, 4.5v 800MV @ 250µA 48.3 NC @ 4.5 v ± 8V 2712 pf @ 10 v - 730MW (TA)
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated DMC2400UV-7 0.4000
RFQ
ECAD 258 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMC2400 MOSFET (금속 (() 450MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.03a, 700ma 480mohm @ 200ma, 5V 900MV @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고