SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated DMP26M7UFG-13 0.3197
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP26 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP26M7UFG-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 18A (TA), 40A (TC) 1.8V, 4.5V 6.7mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 156 NC @ 10 v ± 10V 5940 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated ZXMN3B14FTA 0.6100
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.9A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.1a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 6.7 NC @ 4.5 v ± 12V 568 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMT67M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT67M8LSSSS-13 0.3274
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LSS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 1.4W (TA)
DCP69A-13 Diodes Incorporated DCP69A-13 0.1395
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP69A 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 250MHz
FMMT718TA Diodes Incorporated FMMT718TA 0.4000
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT718 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 1.5 a 100NA PNP 220MV @ 50MA, 1.5A 300 @ 100MA, 2V 180MHz
ZVN4525GTC Diodes Incorporated ZVN4525GTC -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 250 v 310MA (TA) 2.5V, 10V 8.5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 1mA 3.65 nc @ 10 v ± 40V 72 pf @ 25 v - 2W (TA)
DDTC144ECA-7-F Diodes Incorporated DDTC144ECA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMP3007SPS-13 Diodes Incorporated DMP3007SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3007 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 2.7W (TA)
ZXMN10B08E6TC Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TC -
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.3V, 10V 230mohm @ 1.6a, 10V 3V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 497 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
DSS5160FDB-7 Diodes Incorporated DSS5160FDB-7 -
RFQ
 ECAD 3203 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DSS5160 405MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60V 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 550MV @ 50MA, 1A 120 @ 500ma, 2V 65MHz
ZTX614STOB Diodes Incorporated ZTX614STOB -
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX614 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 800 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.25V @ 8ma, 800ma 10000 @ 500ma, 5V -
BC817-16-7 Diodes Incorporated BC817-16-7 -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC817167 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
ZVN1409ASTOB Diodes Incorporated ZVN1409ASTOB -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN1409A MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 90 v 10MA (TA) 10V 250ohm @ 5ma, 10V 2.4V @ 100µa ± 20V 6.5 pf @ 25 v - 625MW (TA)
ZTX455STOA Diodes Incorporated ZTX455STOA -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX455 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 140 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 100MHz
BC817-25W-7 Diodes Incorporated BC817-25W-7 0.2400
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
DDA114TU-7 Diodes Incorporated DDA114TU-7 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDA114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDA114TU-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTC144VUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144VUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
ZUMTS17HTC Diodes Incorporated Zumts17htc -
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumts17 330MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25MA NPN 70 @ 2MA, 1V 1.3GHz 4.5dB @ 500MHz
BCP5316TC Diodes Incorporated BCP5316TC -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5316 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a - PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
ZXTC2063E6TA Diodes Incorporated ZXTC2063E6TA 0.7600
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTC2063 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40V 3.5a, 3a 50NA (ICBO) NPN, PNP 195mv @ 350ma, 3.5a / 175mv @ 300ma, 3a 300 @ 10ma, 2v / 200 @ 1a, 2v 190MHz, 270MHz
ZDT651TA Diodes Incorporated ZDT651TA -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT651 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60V 2A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 175MHz
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0.5800
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMG4800 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 1.6V @ 250µA 8.7 NC @ 5 v ± 25V 798 pf @ 10 v - 1.71W (TA)
DMN2050L-7 Diodes Incorporated DMN2050L-7 0.4600
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2050 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.9A (TA) 2V, 4.5V 29mohm @ 5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 6.7 NC @ 4.5 v ± 12V 532 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
DDA143TK-7-F Diodes Incorporated DDA143TK-7-F -
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 DDA143 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
ZXTN19060CFFTA Diodes Incorporated ZXTN19060CFFTA 0.6900
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 ZXTN19060 1.5 w SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 5.5 a 50NA (ICBO) NPN 175MV @ 550MA, 5.5A 200 @ 100ma, 2v 130MHz
BC807-16-7 Diodes Incorporated BC807-16-7 -
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 310 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
ZXT10N50DE6TA Diodes Incorporated zxt10n50de6ta 0.5600
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 zxt10n50 1.1 w SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 3 a 100NA NPN 300mv @ 100ma, 3a 100 @ 2a, 2v 165MHz
DMHC4035LSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13-52 0.4578
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMHC4035 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 도 8- 다운로드 31-DMHC4035LSDQ-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 40V 4.5A (TA), 3.7A (TA) 45mohm @ 3.9a, 10v, 65mohm @ 4.2a, 10v 3V @ 250µA 12.5NC @ 10V, 11.1NC @ 10V 574pf @ 20V, 587pf @ 20V 기준
DMMT2907A-7 Diodes Incorporated DMMT2907A-7 0.1238
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMMT2907 900MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 10NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 307MHz
ZXTD718MCTA Diodes Incorporated ZXTD718MCTA 0.3190
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 ZXTD718 1.7W W-DFN3020-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 20V 3.5a 100NA 2 PNP (() 300MV @ 350MA, 3.5A 300 @ 100MA, 2V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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