SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6042SSD-13 0.3830
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH6042 MOSFET (금속 (() 2.1W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 16.7A (TC) 50mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 584pf @ 25v -
BC847BLP-7B Diodes Incorporated BC847BLP-7B 0.3700
RFQ
ECAD 802 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn BC847 250 MW X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated DMNH4026SSD-13 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH4026 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 7.5A (TA) 24mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 1060pf @ 20V -
DDTC143ZUA-7 Diodes Incorporated DDTC143ZUA-7 0.0691
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated zxmn2a04dn8ta 1.9200
RFQ
ECAD 674 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN2 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 20V 5.9A 25mohm @ 5.9a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 22.1NC @ 5V 1880pf @ 10V 논리 논리 게이트
ZXMN2A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN2A02X8TC -
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 6.2A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 11a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 18.6 NC @ 4.5 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
ZTX851STOA Diodes Incorporated ZTX851STOA -
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX851 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 250mv @ 200ma, 5a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DDTA114TKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114TKA-7-F -
RFQ
ECAD 2661 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
DVR3V3W-7 Diodes Incorporated DVR3V3W-7 -
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DVR3V3 200 MW SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18 v 1 a 1µA (ICBO) NPN + ZENER + (분리) 500mv @ 30ma, 300ma 150 @ 100MA, 1V 100MHz
DMN6140L-13 Diodes Incorporated DMN6140L-13 0.3900
RFQ
ECAD 205 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 40 v - 700MW (TA)
BCV47TC Diodes Incorporated BCV47TC 0.3500
RFQ
ECAD 1930 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 500 MA - npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 170MHz
DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated DDTC123JE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 9914 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC123 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
MMBT4403T-7-F Diodes Incorporated MMBT4403T-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 23 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT4403 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA - PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
FCX1149ATA Diodes Incorporated fcx1149ata 0.7400
RFQ
ECAD 466 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX1149 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 25 v 3 a 100NA PNP 350mv @ 140ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 135MHz
DMP2104LP-7-52 Diodes Incorporated DMP2104LP-7-52 0.1007
RFQ
ECAD 9075 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMP2104 MOSFET (금속 (() X1-DFN1411-3 다운로드 31-DMP2104LP-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 950ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 320 pf @ 16 v - 500MW (TA)
BSS84Q-13-F Diodes Incorporated BSS84Q-13-F 0.2935
RFQ
ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS84Q-13-FTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA 0.59 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 300MW (TA)
FZT955TA Diodes Incorporated FZT955TA 0.9900
RFQ
ECAD 67 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT955 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 140 v 4 a 50NA (ICBO) PNP 370mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 5V 110MHz
FZT789ATA-79 Diodes Incorporated FZT789ATA-79 -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 FZT789A - rohs 준수 1 (무제한) 31-FZT789ata-79tr 쓸모없는 3,000
FZT968TC Diodes Incorporated FZT968TC -
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT968 3 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 6 a 10NA (ICBO) PNP 450MV @ 250MA, 6A 300 @ 500ma, 1V 80MHz
DDTA144TCA-7 Diodes Incorporated DDTA144TCA-7 0.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTA123YE-7-F Diodes Incorporated DDTA123YE-7-F 0.0605
RFQ
ECAD 1677 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA123 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
BCX5616QTC Diodes Incorporated BCX5616QTC 0.0945
RFQ
ECAD 1381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5616 1 W. SOT-89-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BCX5616QTCTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 0.3600
RFQ
ECAD 255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN33 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 115MA (TA) 2.5V, 4V 5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 0.55 nc @ 10 v ± 20V 48 pf @ 5 v - 240MW (TA)
FMMT589TA Diodes Incorporated FMMT589TA 0.4400
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT589 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA PNP 650MV @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 100MHz
ZTX558 Diodes Incorporated ZTX558 0.6000
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX558 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX558-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 200 MA 100NA PNP 500mv @ 6ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 50MHz
DMTH10H032LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LPDWQ-13 0.4173
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() 3W (TA), 37W (TC) PowerDi5060-8 (유형 UXD) 다운로드 31-DMTH10H032LPDWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 100V 24A (TC) 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50v 기준
BC847AW-7-F Diodes Incorporated BC847AW-7-F 0.0349
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
DDTB122LU-7 Diodes Incorporated DDTB122LU-7 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTB122 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6TA 0.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTD09 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50V 1A 10NA 2 NPN (() 270mv @ 50ma, 1a 200 @ 500ma, 2v 215MHz
DDC115EU-7-F Diodes Incorporated DDC115EU-7-F 0.1040
RFQ
ECAD 7243 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC115 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100kohms 100kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고