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트랜지스터 (6028)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2005LPK-7 | 0.4700 |  | 64 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | DMN2005 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1006-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 440MA (TA) | 1.5V, 4V | 1.5ohm @ 10ma, 4v | 1.2V @ 100µa | ± 10V | - | 450MW (TA) | |||||||||||||||
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 | DMN2400UFD-7 | 0.4000 | | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-udfn | DMN2400 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1212-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 900MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 600mohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 500 NC @ 4.5 v | ± 12V | 37 pf @ 16 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||||
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 | DMP2010UFG-13 | 0.3197 | | 3566 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMP2010 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12.7A (TA), 42A (TC) | 2.5V, 4.5V | 9.5mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 103 NC @ 10 v | ± 10V | 3350 pf @ 10 v | - | 900MW (TA) | |||||||||||||
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| DMP3017SFG-13 | - | | 9396 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMP3017 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMP3017SFG-13DITR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 11.5A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 25V | 2246 pf @ 15 v | - | 940MW (TA) | ||||||||||||
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| DDTA143EE-7-F | 0.3500 | | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-523 | DDTA143 | 150 MW | SOT-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 20 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
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| ztx1051astz | 0.4494 | | 3449 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | ZTX1051 | 1 W. | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 v | 4 a | 10NA | NPN | 210MV @ 100MA, 4A | 300 @ 1a, 2v | 155MHz | |||||||||||||||||
 | DMP4025LSSQ-13 | 0.5054 | | 6386 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP4025 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 3a, 10V | 1.8V @ 250µA | 33.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1640 pf @ 20 v | - | 1.52W (TA) | |||||||||||||
 | BSS123WQ-7-F | 0.3500 | | 635 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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