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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FMMTH10TC Diodes Incorporated fmmth10tc -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fmmth10 330MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 25V 25MA NPN 60 @ 4ma, 10V 650MHz 3DB ~ 5dB @ 500MHz
MMST5551-7-F Diodes Incorporated MMST5551-7-F 0.3200
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST5551 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
ZX3CD1S1M832TA Diodes Incorporated ZX3CD1S1M832TA 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-zx3cd1s1m832tadkr 귀 99 8541.29.0075 3,000
DDTC115TUA-7-F Diodes Incorporated DDTC115TUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC115 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 100 KOHMS
DDTA115ECA-7 Diodes Incorporated DDTA115ECA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA115 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA115ECA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDE-13 0.4300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 730MW (TA)
FMMT591QTA Diodes Incorporated FMMT591QTA 0.3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT591 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA PNP 350MV @ 100MA, 1A 100 @ 500ma, 5V 150MHz
DDTC124TE-7 Diodes Incorporated DDTC124TE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTC124 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZTX949STZ Diodes Incorporated ZTX949STZ 1.0200
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX949 1.58 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 30 v 4.5 a 50NA (ICBO) PNP 320mv @ 300ma, 5a 100 @ 1a, 1v 100MHz
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ-13 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH43 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 22A (TA), 100A (TC) 5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3367 pf @ 20 v - 2.7W (TA)
MMDT4124-7 Diodes Incorporated MMDT4124-7 -
RFQ
 ECAD 1759 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4124 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 300MHz
BFS17HTC Diodes Incorporated BFS17HTC -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 330MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25MA NPN 70 @ 2MA, 1V 1.3GHz 4.5dB @ 500MHz
ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated zxt11n20dfta 0.6100
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 zxt11n20 625 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2.5 a 100NA NPN 130mv @ 250ma, 2.5a 300 @ 100MA, 2V 160MHz
DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated DMP26M7UFG-13 0.3197
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP26 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP26M7UFG-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 18A (TA), 40A (TC) 1.8V, 4.5V 6.7mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 156 NC @ 10 v ± 10V 5940 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2160 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.8a 70mohm @ 2.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.5NC @ 4.5V 536pf @ 10V -
DXT690BP5Q-13 Diodes Incorporated DXT690BP5Q-13 0.2700
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerDI ™ 5 DXT690 740 MW PowerDI ™ 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 3 a 20NA NPN 350MV @ 150MA, 3A 400 @ 1a, 2v 150MHz
BC817-25W-7 Diodes Incorporated BC817-25W-7 0.2400
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
DDTC143FUA-7 Diodes Incorporated DDTC143FUA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTC143FUA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTC144VUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144VUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
DSS30101L-7 Diodes Incorporated DSS30101L-7 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS30101 600MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 250MHz
DDTC143FKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143FKA-7-F -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
DMJ70H1D3SK3-13 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SK3-13 -
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMJ70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMJ70H1D3SK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 4.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 30V 264 pf @ 100 v - 57W (TC)
ZXMN3A01FTC Diodes Incorporated zxmn3a01ftc -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA 3.9 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 625MW (TA)
DMP3007SCGQ-7 Diodes Incorporated DMP3007SCGQ-7 1.3800
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3007 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 1W (TA)
ZVP3310FTC Diodes Incorporated zvp3310ftc -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 100 v 75MA (TA) 10V 20ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 330MW (TA)
BCX6825TA Diodes Incorporated BCX6825TA 0.4400
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX6825 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 100MHz
FZT591AQTA Diodes Incorporated FZT591AQTA 0.3680
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT591 2 w SOT-223-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 100MA, 5V 150MHz
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3110 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 1.8V, 8V 69mohm @ 500ma, 8v 1.1V @ 250µA 1.52 NC @ 4.5 v 12V 150 pf @ 15 v - 1.38W
ZTX657STOB Diodes Incorporated ZTX657STOB -
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX657 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated DMN2400UFD-7 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN2400 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 500 NC @ 4.5 v ± 12V 37 pf @ 16 v - 400MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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