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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN-7 0.3800
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3401 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 1.3V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 12V 1326 pf @ 15 v - 800MW (TA)
DMTH62M8SPS-13 Diodes Incorporated DMTH62M8SPS-13 0.5722
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH62 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 95.4 NC @ 10 v ± 20V 4556 pf @ 30 v - 3.2W
DCX100NS-7 Diodes Incorporated DCX100NS-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 DCX100 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMTH3004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH3004LPSQ-13 0.5292
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH3004 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 22A (TA), 145A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 43.7 NC @ 15 v +20V, -16V 2370 pf @ 15 v - 136W (TC)
DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated DMT6002LPS-13 1.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 100A (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 50A, 10V 3V @ 250µA 130.8 NC @ 10 v ± 20V 6555 pf @ 30 v - 2.3W
DDTA114WCA-7 Diodes Incorporated DDTA114WCA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA114WCA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTA123EUA-7 Diodes Incorporated DDTA123EUA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTA123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTA123EUA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3110 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 1.8V, 8V 69mohm @ 500ma, 8v 1.1V @ 250µA 1.52 NC @ 4.5 v 12V 150 pf @ 15 v - 1.38W
DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2080UCB4-7 0.1300
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLBGA DMN2080 MOSFET (금속 (() X2-WLB0606-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3A (TA) 1.5V, 4.5V 56mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 7.4 NC @ 4.5 v ± 8V 540 pf @ 10 v - 710MW
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC 1.1100
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A18 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 30 v - 2.15W (TA)
ZVN4210GTA Diodes Incorporated ZVN4210GTA 0.9400
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVN4210 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 800MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
BC856AW-7-F Diodes Incorporated BC856AW-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 200MHz
FMMT614QTC Diodes Incorporated FMMT614QTC 0.2087
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FMMT614QTCTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 100 v 500 MA 10µA npn-달링턴 1V @ 5MA, 500MA 15000 @ 100ma, 5V -
DMN2014LHAB-13 Diodes Incorporated DMN2014LHAB-13 0.1592
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMN2014 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) u-dfn2030-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2014LHAB-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 9A (TA) 13mohm @ 4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 16nc @ 4.5v 1550pf @ 10V -
DMTH4M95SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4M95SPS-13 -
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMTH4M95 - 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4M95SPS-13TR 1
DZT851-13 Diodes Incorporated DZT851-13 -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DZT851 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 6 a 50NA (ICBO) NPN 375mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
ZTX1151ASTZ Diodes Incorporated ztx1151astz -
RFQ
 ECAD 2579 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1151A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 3 a 100NA PNP 240mv @ 250ma, 3a 250 @ 500ma, 2V 145MHz
DMN4020LFDEQ-13 Diodes Incorporated DMN4020LFDEQ-13 0.1279
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN4020 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN4020LFDEQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 40 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2.4V @ 250µA 25.3 NC @ 10 v ± 20V 1201 pf @ 20 v - 850MW (TA)
ADTA124ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTA124ECAQ-13 0.0526
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA124 310 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ADTA124ECAQ-13TR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA 1.8000
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 2.6A (TA) 6V, 10V 150mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 26.9 NC @ 10 v ± 20V 1055 pf @ 50 v - 2W (TA)
DDTA113ZE-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA113 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DMN3066L-7 Diodes Incorporated DMN3066L-7 0.0918
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3066 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN3066L-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 353 pf @ 10 v - 810MW (TA)
DDTC144EE-7-F Diodes Incorporated DDTC144EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC144 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7 0.4100
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN32 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.8V, 4V 1.2ohm @ 100ma, 4v 1.2V @ 250µA ± 10V 39 pf @ 3 v - 350MW (TA)
DMN2004WKQ-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WKQ-7-52 0.0848
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 31-DMN2004WKQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated DMP1555UFA-7B 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP1555 MOSFET (금속 (() X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 800mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.84 nc @ 4.5 v ± 8V 55.4 pf @ 10 v - 360MW (TA)
ZTX453 Diodes Incorporated ZTX453 0.6000
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX453 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX453-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V 150MHz
DZT2222A-13 Diodes Incorporated DZT2222A-13 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DZT2222 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
ZXTN26070CV-7 Diodes Incorporated ZXTN26070CV-7 0.2320
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 ZXTN26070 600MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZXTN26070CV-7DI 귀 99 8541.21.0075 3,000 70 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 330mv @ 200ma, 2a 200 @ 100ma, 5V 200MHz
ZVP3310FTA-50 Diodes Incorporated ZVP3310fta-50 0.1328
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZVP3310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-zvp3310fta-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 75MA (TA) 10V 20ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 330MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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