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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0.4000
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 ECAD 6 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-963 DST857 300mW SOT-963 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15nA(ICBO) 2 PNP(이중) 500mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 340MHz
DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated DMP2021UTS-13 0.3045
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 ECAD 5048 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) DMP2021 MOSFET(금속) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 18A(TC) 1.8V, 4.5V 16m옴 @ 4.5A, 4.5V 1V @ 250μA 59nC @ 8V ±10V 2760pF @ 15V - 1.3W(타)
DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZCA-7-F 0.0386
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 ECAD 2785 0.00000000 다이 통합 DDTA(R1≠R2 시리즈) CA 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA113 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated ZXTN08400BNS-7 0.3500
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 ECAD 3830 0.00000000 다이 통합 파워DI® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 ZXTN08400 830mW 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-ZXTN08400BNS-7TR EAR99 8541.21.0095 2,000 400V 500mA 50nA(ICBO) 2 NPN(이중) 175mV @ 100mA, 500mA 10 @ 500mA, 5V 40MHz
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated DMP57D5UV-7 -
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 ECAD 3576 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMP57D5UV MOSFET(금속) 400mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 50V 160mA 6옴 @ 100mA, 4V 1V @ 250μA - 29pF @ 25V 게임 레벨 레벨
ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA 0.4900
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 ECAD 61 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.9A(타) 2.5V, 4.5V 120m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 3nC @ 4.5V ±12V 15V에서 303pF - 625mW(타)
DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated DMC3400SDW-7 0.4100
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 ECAD 186 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC3400 MOSFET(금속) 310mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 650mA, 450mA 400m옴 @ 590mA, 10V 250μA에서 1.6V 1.4nC @ 10V 55pF @ 15V -
ZXTP2039FTA Diodes Incorporated ZXTP2039FTA 0.4000
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP2039 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100nA PNP 600mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 5V 150MHz
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT32 MOSFET(금속) 1.1W(타) PowerDI3333-8(타입 G) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 2 N채널(듀얼) 30V 21A(타), 47A(Tc) 2.5m옴 @ 18A, 10V 400μA에서 2.2V 15.6nC @ 4.5V 2101pF @ 15V 기준
DMT6006LK3-13 Diodes Incorporated DMT6006LK3-13 0.3508
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 ECAD 7132 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT6006LK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 88A(Tc) 4.5V, 10V 6.5m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 34.9nC @ 10V ±20V 30V에서 2162pF - 3.1W(Ta), 89.3W(Tc)
MMBT3904FA-7B Diodes Incorporated MMBT3904FA-7B 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN MMBT3904 435mW X2-DFN0806-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 200mA - NPN 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
DMN13H750S-7 Diodes Incorporated DMN13H750S-7 0.5500
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 ECAD 5911 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN13 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 130V 1A(타) 6V, 10V 750m옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 5.6nC @ 10V ±20V 231pF @ 25V - 770mW(타)
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated DMT34M1LPS-13 0.2440
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 ECAD 4970 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT34 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 39nC @ 10V ±20V 15V에서 2242pF - 42W(Tc)
DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7 0.6400
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 ECAD 62 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN10 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 3.8A(타) 6V, 10V 110m옴 @ 3.3A, 10V 3V @ 250μA 10.6nC @ 10V ±20V 549pF @ 50V - 1W(타)
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated DMN2004VK-7 0.4300
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 ECAD 53 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN2004 MOSFET(금속) 250mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 540mA 550m옴 @ 540mA, 4.5V 1V @ 250μA - 150pF @ 16V 게임 레벨 레벨
FMMT589TA Diodes Incorporated FMMT589TA 0.4400
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 ECAD 8252 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT589 500mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100nA PNP 650mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
DMN2024UFX-7 Diodes Incorporated DMN2024UFX-7 0.1962
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 ECAD 3850 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-VFDFN 옆형 패드 DMN2024 MOSFET(금속) 920mW V-DFN2050-4 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2024UFX-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 8A(TC) 22m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 250μA 14.8nC @ 10V 647pF @ 10V -
DMN3032LE-13 Diodes Incorporated DMN3032LE-13 0.5800
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 ECAD 192 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DMN3032 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 5.6A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 3.2A, 10V 2V @ 250μA 11.3nC @ 10V ±20V 15V에서 498pF - 1.8W(타)
2N7002DW-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F-79 -
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 ECAD 1541 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 2N7002 - - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2N7002DW-7-F-79DI EAR99 8541.21.0095 3,000 -
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated DMN3016LPS-13 0.4600
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMN3016 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 10.8A(타) 4.5V, 10V 12m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 25.1nC @ 10V ±20V 15V에서 1415pF - 1.18W(타)
ZXT690BKTC Diodes Incorporated ZXT690BKTC 1.0100
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 ECAD 7537 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 ZXT690 3.9W TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 45V 3A 20nA NPN 350mV @ 150mA, 3A 150 @ 2A, 2V -
DMTH45M5SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVW-7 0.2842
보상요청
 ECAD 8192 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 31-DMTH45M5SFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 18A(타), 71A(Tc) 10V 5.5m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 3.5V 13.2nC @ 10V ±20V 20V에서 1083pF - 3.5W(Ta), 51W(Tc)
APT27XZTR-G1 Diodes Incorporated APT27XZTR-G1 -
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 ECAD 2947 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 APT27 - RoHS 준수 1(무제한) 31-APT27XZTR-G1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 2,000
DMP2110U-7 Diodes Incorporated DMP2110U-7 0.3700
보상요청
 ECAD 551 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2110 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 80m옴 @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250μA 6nC @ 4.5V ±10V 10V에서 443pF - 800mW(타)
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0.4700
보상요청
 ECAD 97 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN2400 MOSFET(금속) 530mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 1.33A 480m옴 @ 200mA, 5V 250μA에서 900mV 0.5nC @ 4.5V 36pF @ 16V 게임 레벨 레벨
AC857BQ-7 Diodes Incorporated AC857BQ-7 0.2100
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AC857 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA PNP 650mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2mA, 5V 100MHz
MMST2907AQ-7 Diodes Incorporated MMST2907AQ-7 0.3000
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MMST2907 200mW SOT-323 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 600mA 50nA PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS-13 0.7900
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 ECAD 3613 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH6009 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 11.76A(Ta), 89.5A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 15.6nC @ 4.5V ±16V 30V에서 1925pF - 2.8W(Ta), 136W(Tc)
ZXMP10A18GTA Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA 1.8000
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 ECAD 8590 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXMP10 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 100V 2.6A(타) 6V, 10V 150m옴 @ 2.8A, 10V 4V @ 250μA 26.9nC @ 10V ±20V 50V에서 1055pF - 2W(타)
DMN2011UFDE-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDE-13 0.2150
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 ECAD 7969 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMN2011 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 11.7A(타) 1.5V, 4.5V 9.5m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 84nC @ 10V ±12V 10V에서 3372pF - 610mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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