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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC847CDLP-7	0.3700	RFQ	13	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	BC847		350MW	X2-DFN1310-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														45V	100ma	15NA	2 NPN (()	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
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DMP22D5UFB4-7R	0.0343	RFQ	8221	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMP22	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드				31-DMP22D5UFB4-7R	귀 99	8541.21.0095	10,000		p 채널		20 v	400MA (TA)	1.5V, 4.5V	1.9ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.3 nc @ 4.5 v	± 8V	17 pf @ 15 v	-	460MW (TA)
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MMBTA06-7-F	0.2200	RFQ	258	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA06		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														80 v	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1v	100MHz
DMT6016LPSW-13	0.2261	RFQ	3498	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMT6016	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT6016LPSW-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		60 v	11.2A (TA), 43A (TC)	4.5V, 10V	16.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	864 pf @ 30 v	-	2.84W (TA), 41.67W (TC)
DMT47M2SFVWQ-13	0.3546	RFQ	9283	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMT47	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT47M2SFVWQ-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	15.4A (TA), 49.1A (TC)	10V	7.5mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 v	± 20V	897 pf @ 20 v	-	2.67W (TA), 27.1W (TC)
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DMC2990UDJ-7	0.4100	RFQ	184	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-963	DMC2990	MOSFET (금속 (()	350MW	SOT-963	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	n 및 p 채널			20V	450MA, 310MA		990mohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		27.6pf @ 15V	논리 논리 게이트
MMBT3906LP-7	0.3800	RFQ	103	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn	MMBT3906		250 MW	X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														40 v	200 MA	50NA (ICBO)	PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²