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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZXMD63N02XTC Diodes Incorporated ZXMD63N02XTC -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMD63 MOSFET (금속 (() 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.5A 130mohm @ 1.7a, 4.5v 3V @ 250µA 6NC @ 4.5V 700pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated DMS3015SSS-13 0.4400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMS3015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.9mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 30.6 NC @ 10 v ± 12V 1276 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 1.55W (TA)
DMP31D7LDW-7 Diodes Incorporated DMP31D7LDW-7 0.0706
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP31 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP31D7LDW-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 550MA (TA) 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA -
DPLS320A-7 Diodes Incorporated DPLS320A-7 -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DPLS320 600MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 300ma, 3a. 3A 200 @ 1a, 2v 215MHz
DMC2710UV-7 Diodes Incorporated DMC2710UV-7 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMC2710 MOSFET (금속 (() 460MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 1.1A (TA), 800ma (TA) 400mohm @ 600ma, 4.5v, 700mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v 42pf @ 16v, 49pf @ 16v -
ZVN3310FTC Diodes Incorporated zvn3310ftc -
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 100MA (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 330MW (TA)
ZXTP25015DFH Diodes Incorporated ZXTP25015DFH -
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25015D 1.25 w SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 15 v 4 a 50NA (ICBO) PNP 220MV @ 500MA, 5A 300 @ 10ma, 2v 295MHz
DDTA143FKA-7-F Diodes Incorporated DDTA143FKA-7-F -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA143 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
DXTP3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTP3C60PS-13 0.5600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DXTP3 5 w PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 60 v 3 a 100NA PNP 360mv @ 300ma, 3a 150 @ 500ma, 2V -
ZXTN649FTA Diodes Incorporated zxtn649fta 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN649 725 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 25 v 3 a 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 200 @ 100ma, 2v -
MMSTA42-7-F Diodes Incorporated MMSTA42-7-F 0.3300
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSTA42 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
LBN150B01-7 Diodes Incorporated LBN150B01-7 -
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 LBN150 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA NPN, PNP 360mv @ 20ma, 200ma / 500mv @ 20ma, 200ma 30 @ 100MA, 1V / 32 @ 100MA, 1V 250MHz
DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ-13 0.4767
RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powervdfn DMHT10 MOSFET (금속 (() 900MW V-DFN5045-12 (C 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMHT10H032LFJ-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 4 n 채널 (채널 교량) 100V 6A (TA) 33mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50v -
DMP3130L-7 Diodes Incorporated DMP3130L-7 0.4300
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3130 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 2.5V, 10V 77mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 432 pf @ 15 v - 700MW (TA)
FCX789ATA Diodes Incorporated fcx789ata 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA FCX789 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 320mv @ 100ma, 3a 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN66 MOSFET (금속 (() 250MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 115MA (TA) 6ohm @ 115ma, 5V 2V @ 250µA - 23pf @ 25V -
ZTX751STZ Diodes Incorporated ZTX751STZ 0.8600
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX751 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN3033 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 20mohm @ 6.9a, 10V 2.1V @ 250µA 13NC @ 10V 725pf @ 15V -
BC847BVN-7 Diodes Incorporated BC847BVN-7 0.4300
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BC847 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 300MHz, 200MHz
FZT593TA Diodes Incorporated FZT593TA 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT593 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 50ma, 500ma 100 @ 500ma, 5V 50MHz
DMNH6021SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDWQ-13 0.7046
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMNH6021 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) PowerDi5060-8 (유형 r) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMNH6021SPDWQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8.2A (TA), 32A (TC) 25mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25v -
DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 - 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
ZTX415 Diodes Incorporated ZTX415 11.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX415 680 MW e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX415-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 100 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-눈사태- 500mv @ 1ma, 10ma 25 @ 10MA, 10V 40MHz
DMC3036LSD-13 Diodes Incorporated DMC3036LSD-13 -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC3036 MOSFET (금속 (() 1.5W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 36mohm @ 6.9a, 10V 2.1V @ 250µA 7.9NC @ 10V 431pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated DMN63D1L-13 0.0340
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN63 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 370MW (TA)
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated DDTC114EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC114 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated ZVP0120ASTZ -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated DMG1013UWQ-13 0.3500
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMG1013 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 820MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.62 nc @ 4.5 v ± 6V 59.76 pf @ 16 v - 310MW (TA)
DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated DXTN58100CFDB-7 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 DXTN58100 690 MW u-dfn2020-3 (유형 b) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 4 a 100NA NPN 260mv @ 400ma, 4a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
DDTC143FKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143FKA-7-F -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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