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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
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BCX38CSTOB	-	RFQ	2884	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3	BCX38		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000													60 v	800 MA	100NA (ICBO)	npn-달링턴	1.25V @ 8ma, 800ma	10000 @ 500ma, 5V	-
ZXT13P40DE6TC	-	RFQ	4995	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	ZXT13P40D		1.1 w	SOT-26	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	10,000													40 v	3 a	100NA	PNP	240mv @ 300ma, 3a	300 @ 1a, 2v	115MHz
DMN4027SSD-13	0.3350	RFQ	8082	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4027	MOSFET (금속 (()	1.8W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	5.4A		27mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	12.9NC @ 10V		604pf @ 20V	논리 논리 게이트
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DMTH10H015SK3Q-13	0.4733	RFQ	9728	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH10	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH10H015SK3Q-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	59A (TC)	6V, 10V	14mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	30.1 NC @ 10 v	± 20V	2343 pf @ 50 v	-	2W (TA)
DMP3007SFG-7	0.8600	RFQ	13	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP3007	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	30 v	70A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 11.5A, 10V	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 v	± 25V	2826 pf @ 15 v	-	2.8W (TA)
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AC857BQ-7	0.2100	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AC857		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 MA	15NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
ZXTN5551FLTA	0.4300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTN5551		330 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													160 v	600 MA	50NA (ICBO)	NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	130MHz
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DMN61D9U-7	-	RFQ	5313	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN61	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	380MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.4 nc @ 4.5 v	± 20V	28.5 pf @ 30 v	-	370MW (TA)
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AC847BQ-7	0.0366	RFQ	8575	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AC847		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-AC847BQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 MA	15NA	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
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ZVN2120A	-	RFQ	5373	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	200 v	180MA (TA)	10V	10ohm @ 250ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	85 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
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zxt13n50de6ta	0.6800	RFQ	196 년	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	ZXT13N50		1.1 w	SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													50 v	4 a	100NA	NPN	180mv @ 400ma, 4a	300 @ 1a, 2v	115MHz
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DMC2041UFDB-7	0.8300	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMC2041	MOSFET (금속 (()	1.4W	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	4.7A, 3.2A		4.2A, 4.5V 40mohm	1.4V @ 250µA	15nc @ 8v		713pf @ 10V	-
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fzta14ta	0.4800	RFQ	10	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZTA14		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													30 v	1 a	100NA (ICBO)	npn-달링턴	1.6V @ 1ma, 1a	20000 @ 100MA, 5V	170MHz
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DMTH6004SK3-13	1.2500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH6004	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	100A (TC)	10V	3.8mohm @ 90a, 10V	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 v	± 20V	4556 pf @ 30 v	-	3.9W (TA), 180W (TC)
BC848BW-7-F	0.0386	RFQ	9092	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													30 v	100 MA	20NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²