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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DCX115EU-7-F-50	0.0357	RFQ	9220	다이오드가 다이오드가	DCX (xxxx) u	대부분	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX115		200MW	SOT-363	다운로드				31-DCX115EU-7-F-50	귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	500NA (ICBO)	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 500µA, 10MA	82 @ 5MA, 5V	250MHz	100kohms	100kohms
DMN61D9U-7	-	RFQ	5313	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN61	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	380MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.4 nc @ 4.5 v	± 20V	28.5 pf @ 30 v	-	370MW (TA)
DMG1024UV-7	0.4000	RFQ	44	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1024	MOSFET (금속 (()	530MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	1.38a		450mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.74NC @ 4.5V		60.67pf @ 16v	논리 논리 게이트
AC847BQ-7	0.0366	RFQ	8575	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AC847		310 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-AC847BQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 MA	15NA	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
ZXMP10A13FQTA	0.7600	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMP10	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	100 v	600MA (TA)	6V, 10V	1ohm @ 600ma, 10V	4V @ 250µA	1.8 nc @ 5 v	± 20V	141 pf @ 50 v	-	625MW (TA)
ADTA113ZCAQ-13	-	RFQ	3234	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	adta113		310 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-ADTA113ZCAQ-13TR	쓸모없는		10,000													50 v	100 MA	-	pnp- 사전-	-	33 @ 10ma, 5V	250MHz	1 KOHMS	10 KOHMS
ZVN2120A	-	RFQ	5373	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (금속 (()		To-92	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	200 v	180MA (TA)	10V	10ohm @ 250ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	85 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
DMN3022LDG-7	0.3891	RFQ	6542	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3022	MOSFET (금속 (()	1.96W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 D)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000	2 n 채널 (채널)		30V	7.6A (TA), 15A (TC)		22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5v	2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA	3.7nc @ 4.5v, 8nc @ 4.5v		481pf @ 15v, 996pf @ 15v	-
DXTP03060BFG-7	0.5900	RFQ	6403	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn			1.07 w	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000													60 v	5.5 a	50NA	PNP	250mv @ 500ma, 50a	100 @ 2a, 2v	120MHz
DMC2041UFDB-7	0.8300	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMC2041	MOSFET (금속 (()	1.4W	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	4.7A, 3.2A		4.2A, 4.5V 40mohm	1.4V @ 250µA	15nc @ 8v		713pf @ 10V	-
ZXTP5240F-7	0.4000	RFQ	104	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTP5240		730 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													40 v	2 a	100NA (ICBO)	PNP	350MV @ 200MA, 2A	300 @ 100MA, 2V	100MHz
DMN4035LQ-7	0.4000	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN4035	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	40 v	4.6A (TA)	4.5V, 10V	42MOHM @ 4.3A, 10V	3V @ 250µA	12.5 nc @ 10 v	± 20V	574 pf @ 20 v	-	720MW
fzta14ta	0.4800	RFQ	10	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZTA14		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													30 v	1 a	100NA (ICBO)	npn-달링턴	1.6V @ 1ma, 1a	20000 @ 100MA, 5V	170MHz
DMTH6005LCT	1.0438	RFQ	7103	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	100A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	2.8W (TA), 125W (TC)
DMTH6009LPSQ-13	0.3716	RFQ	8197	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6009	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	11.76A (TA), 89.5A (TC)	4.5V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	2V @ 250µA	33.5 nc @ 10 v	± 16V	1925 pf @ 30 v	-	2.8W (TA), 136W (TC)
DMTH6004SK3-13	1.2500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH6004	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	100A (TC)	10V	3.8mohm @ 90a, 10V	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 v	± 20V	4556 pf @ 30 v	-	3.9W (TA), 180W (TC)
BC848BW-7-F	0.0386	RFQ	9092	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													30 v	100 MA	20NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	300MHz
DMN31D5L-13	0.0474	RFQ	9497	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN31	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	500MA (TA)	2.5V, 4V	1.5ohm @ 10ma, 4v	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 v	± 20V	50 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
BC817-25-7-F	0.2100	RFQ	7	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz
DSS60600MZ4Q-13	0.5700	RFQ	5871	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			1.2 w	SOT-223-3	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500													60 v	6 a	100NA (ICBO)	PNP	350MV @ 600MA, 6A	150 @ 500ma, 2V	100MHz
DMN2450UFD-7	0.3300	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn	DMN2450	MOSFET (금속 (()		X1-DFN1212-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	900MA (TA)	1.5V, 4.5V	600mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.7 nc @ 4.5 v	± 12V	52 pf @ 16 v	-	400MW (TA)
DMTH6006SPS-13	0.3837	RFQ	6310	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6006	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMTH6006SPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	17.8A (TA), 100A (TC)	10V	6.2MOHM @ 10.5A, 10V	4V @ 250µA	27.9 NC @ 10 v	± 20V	1721 pf @ 30 v	-	2.94W (TA), 107W (TC)
DMTH6005LFG-7	0.5078	RFQ	2590	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	31-DMTH6005LFG-7TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	60 v	19.7A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	48.7 NC @ 10 v	± 20V	3150 pf @ 30 v	-	2.38W (TA), 75W (TC)
ZXTDAM832TA	-	RFQ	7737	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	ZXTDAM832		1.7W	8MLP (3x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													15V	4.5A	25NA	2 NPN (()	280MV @ 50MA, 4.5A	200 @ 3a, 2v	120MHz
BST16TA	-	RFQ	6952	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BST16		1 W.	SOT-89-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000													300 v	500 MA	50µA	PNP	2V @ 5MA, 50MA	30 @ 50MA, 10V	15MHz
zxtn07045effta	0.6300	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-3 3 리드	ZXTN07045		1.5 w	SOT-23F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													45 v	4 a	50NA (ICBO)	NPN	280mv @ 80ma, 4a	500 @ 100MA, 2V	190mhz
DXTN07100BFG-7	0.5400	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DXTN07100		900 MW	PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000													100 v	2 a	50NA (ICBO)	NPN	400mv @ 200ma, 2a	100 @ 500ma, 2v	175MHz
DMN3025LFDF-13	0.1257	RFQ	6044	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMN3025	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	30 v	9.9A (TA)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 7a, 10V	2V @ 250µA	13.2 NC @ 10 v	± 20V	641 pf @ 15 v	-	2.1W (TA)
BC856A-7-F	0.2000	RFQ	188	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 MA	15NA	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	125 @ 2MA, 5V	200MHz
DDTA123YUA-7	0.1000	RFQ	753	다이오드가 다이오드가	*	컷 컷 (CT)	활동적인				DDTA123				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1034-DDTA123YUA-7DKR	귀 99	8541.21.0075	3,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²