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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMP4025SFG-13 Diodes Incorporated DMP4025SFG-13 0.6000
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 ECAD 27 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMP4025 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 40V 4.65A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 3A, 10V 250μA에서 1.8V 33.7nC @ 10V ±20V 20V에서 1643pF - 810mW(타)
DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UVQ-7 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN2710 MOSFET(금속) 500mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 920mA(타) 450m옴 @ 600mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V 42pF @ 16V 기준
DMT12H090LFDF4-13 Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-13 0.3227
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 ECAD 5445 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerXDFN DMT12 MOSFET(금속) X2-DFN2020-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT12H090LFDF4-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 115V 3.4A(타) 3V, 10V 90mΩ @ 3.5A, 10V 2.2V @ 250μA 6nC @ 10V ±12V 50V에서 251pF - 900mW(타)
DDC114YUQ-13-F Diodes Incorporated DDC114YUQ-13-F 0.0528
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 ECAD 9992 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101, DDC(XXXX) U 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200mW SOT-363 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DDC114YUQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 5mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
DMN2310UW-7 Diodes Incorporated DMN2310UW-7 0.0469
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 ECAD 5764 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN2310 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2310UW-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.3A(타) 1.8V, 4.5V 200m옴 @ 300mA, 4.5V 250μA에서 950mV 0.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 38pF - 450mW(타)
BC847BVCQ-7 Diodes Incorporated BC847BVCQ-7 0.1203
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 ECAD 8295 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BC847 150mW SOT-563 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BC847BVCQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN65D7LFR4-7 Diodes Incorporated DMN65D7LFR4-7 0.1139
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 ECAD 6078 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XDFN옆패드 DMN65 MOSFET(금속) X2-DFN1010-4(유형B) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN65D7LFR4-7TR EAR99 8541.21.0095 5,000 N채널 60V 260mA(타) 4.5V, 10V 5옴 @ 40mA, 10V 2.5V @ 250μA 1.04nC @ 10V ±20V 30V에서 41pF - 600mW(타)
ACX114YUQ-13R Diodes Incorporated ACX114YUQ-13R 0.0480
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 ECAD 4008 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX114 270mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) - - 250MHz 10k옴 47k옴
MMBT2222A-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT2222A-7-F-52 0.0217
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 ECAD 5342 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310mW SOT-23-3 다운로드 31-MMBT2222A-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 10nA NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMST4401-7-F Diodes Incorporated MMST4401-7-F 0.2500
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 ECAD 15 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MMST4401 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA - NPN 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
MMBT4403T-7-F Diodes Incorporated MMBT4403T-7-F 0.2800
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 ECAD 23 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 MMBT4403 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA - PNP 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
DMP2541UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2541UCP9-7 0.2491
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 ECAD 5783 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-XFBGA, DSBGA DMP2541 MOSFET(금속) X2-DSN1515-9(유형B) - 31-DMP2541UCP9-7 EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 25V 3.8A(타) 1.8V, 4.5V 40m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.1V 4.7nC @ 4.5V -6V 10V에서 566pF - 900mW(타)
DDTA115TUA-7 Diodes Incorporated DDTA115TUA-7 0.2400
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 DDTA115 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
BCP53QTA Diodes Incorporated BCP53QTA 0.1198
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 ECAD 5698 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BCP53 2W SOT-223-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BCP53QTATR EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ-13 1.1600
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 ECAD 2237 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMTH43 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 24A(Ta), 100A(Tc) 5V, 10V 3m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 40.1nC @ 10V ±20V 2798pF @ 20V - 2.62W(Ta), 65.2W(Tc)
DMP3018SFK-13 Diodes Incorporated DMP3018SFK-13 0.3249
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 ECAD 6606 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMP3018 MOSFET(금속) U-DFN2523-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMP3018SFK-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 30V 10.2A(타) 4.5V, 10V 14.5m옴 @ 9.5A, 10V 3V @ 250μA 90nC @ 10V ±25V 15V에서 4414pF - 1W(타)
DMNH10H028SCT Diodes Incorporated DMNH10H028SCT 1.4600
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 ECAD 95 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 DMNH10 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 60A(Tc) 10V 28m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 31.9nC @ 10V ±20V 50V에서 1942pF - 2.8W(타)
DMP3004SSS-13 Diodes Incorporated DMP3004SSS-13 0.5755
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 ECAD 4331 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMP3004 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 16.2A(타) 4.5V, 10V 4m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 156nC @ 10V ±20V 7693pF @ 15V - 1.2W(타)
DDTC114YCAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114YCAQ-7-F 0.0524
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 ECAD 3474 0.00000000 다이 통합 DDTC(R1≠R2 시리즈) CA 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200mW SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DDTC114YCAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TA 0.5800
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXMN2 MOSFET(금속) SOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 120m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 3nC @ 4.5V ±12V 15V에서 303pF - 1.1W(타)
DMP2101UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCP9-7 0.2639
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 ECAD 3921 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-XFBGA, DSBGA DMP2101 MOSFET(금속) 970mW(타) X2-DSN1515-9(유형B) - 31-DMP2101UCP9-7 EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 2.5A(타) 100m옴 @ 1A, 4.5V 250μA에서 900mV 3.2nC @ 4.5V 392pF @ 10V 기준
FZT658TC Diodes Incorporated FZT658TC -
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 ECAD 6872 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT658 2W SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 400V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 10mA, 100mA 40 @ 200mA, 10V 50MHz
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated ZVNL110ASTOB -
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 ECAD 1298 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 100V 320mA(타) 5V, 10V 3옴 @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA ±20V 25V에서 75pF - 700mW(타)
BC856AQ-7-F Diodes Incorporated BC856AQ-7-F 0.2100
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 15nA PNP 650mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 200MHz
DMT64M2LPSW-13 Diodes Incorporated DMT64M2LPSW-13 0.4054
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 ECAD 9664 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT64 MOSFET(금속) PowerDI5060-8(Q형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 31-DMT64M2LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 20.7A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.4m옴 @ 50A, 10V 2.5V @ 250μA 46.7nC @ 10V ±20V 30V에서 2799pF - 2.8W(Ta), 83.3W(Tc)
ZVN0124ZSTOB Diodes Incorporated ZVN0124ZSTOB -
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 ECAD 5680 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 E-라인-3 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 240V 160mA(타) 10V 16옴 @ 250mA, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 85pF - -
DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-7 0.1069
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 ECAD 8230 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN53 MOSFET(금속) 400mW(타) SOT-363 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN53D0LDWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 50V 460mA(타) 1.6옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 1.5V 1.4nC @ 10V 49.5pF @ 25V -
DDTC114YCAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC114YCAQ-13-F 0.0388
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 ECAD 9985 0.00000000 다이 통합 DDTC(R1≠R2 시리즈) CA 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200mW SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DDTC114YCAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13 0.1616
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 ECAD 7928 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 300V 250mA(타) 2.7V, 10V 4옴 @ 300mA, 10V 3V @ 250μA 7.6nC @ 10V ±20V 25V에서 187.3pF - 310mW(타)
ADTA123JUAQ-7 Diodes Incorporated ADTA123JUAQ-7 -
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 ECAD 9915 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ADTA123 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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