SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDC142JH-7 Diodes Incorporated DDC142JH-7 -
RFQ
 ECAD 1627 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDC142 150MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 470ohms 10kohms
DMP2088LCP3-7 Diodes Incorporated DMP2088LCP3-7 -
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP2088 MOSFET (금속 (() X2-DSN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 8V 88mohm @ 500ma, 8v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v -12V 160 pf @ 10 v - 1.13W
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B 0.1017
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMN21 MOSFET (금속 (() 310MW X2-DFN0806-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 455MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.41NC @ 4.5V 31pf @ 15V -
ZTX1047ASTOB Diodes Incorporated ztx1047astob -
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1047A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 10 v 4 a 10NA NPN 190mv @ 20ma, 4a 300 @ 1a, 2v 150MHz
ZTX605 Diodes Incorporated ZTX605 0.8700
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX605 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX605-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 120 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
ZVP3310ASTOA Diodes Incorporated zvp3310astoa -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 100 v 140MA (TA) 10V 20ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 625MW (TA)
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated DMN63D1LV-7 0.1474
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN63 MOSFET (금속 (() 940MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 550MA (TA) 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.392NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
MMBT123S-7-F Diodes Incorporated MMBT123S-7-F 0.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT123 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 30ma, 300ma 150 @ 100MA, 1V 100MHz
ZTX1149ASTOB Diodes Incorporated ztx1149astob -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1149A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 3 a 100NA PNP 300mv @ 70ma, 3a 250 @ 500ma, 2V 135MHz
FMMTA13TA Diodes Incorporated fmmta13ta -
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMTA13 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 300 MA 100NA npn-달링턴 900mv @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V -
ZXTN4004ZQTA Diodes Incorporated ZXTN4004ZQTA 0.2040
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN4004 2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 150 v 1 a 50NA NPN 250mv @ 5ma, 100ma 100 @ 150ma, 250mv -
ZTX653STZ Diodes Incorporated ZTX653STZ 0.8600
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX653 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a - 175MHz
DMN3009LFV-13 Diodes Incorporated DMN3009LFV-13 0.1725
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 15 v - 2W (TA)
ZVN4424ASTZ Diodes Incorporated ZVN4424ASTZ 0.4719
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN4424 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
DN0150BLP4-7 Diodes Incorporated DN0150BLP4-7 -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 60MHz
ZXTD4591E6TC Diodes Incorporated ZXTD4591E6TC -
RFQ
 ECAD 3107 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTD4591 1.1W SOT-23-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 10,000 60V 1A 100NA NPN, PNP 600mv @ 100ma, 1a / 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 5V 150MHz
BC817-25-7 Diodes Incorporated BC817-25-7 -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
ZTX549STOA Diodes Incorporated ZTX549STOA -
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX549 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 100MHz
ZXMD63P02XTA Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMD63 MOSFET (금속 (() 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 p 채널 (채널) 20V - 270mohm @ 1.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 5.25NC @ 4.5V 290pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZTX690BSTOB Diodes Incorporated ZTX690BSTOB -
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX690B 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 45 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150MHz
DMN67D8LT-13 Diodes Incorporated DMN67D8LT-13 0.0476
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN67 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 821 NC @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 260MW (TA)
ZTX651STOB Diodes Incorporated ZTX651STOB -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX651 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a - 175MHz
MMSTA64-7 Diodes Incorporated MMSTA64-7 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
DDC143TU-7-F Diodes Incorporated DDC143TU-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 226 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC143 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
DMP2040UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-7 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2040 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 13A (TC) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19 NC @ 8 v ± 12V 834 pf @ 10 v - 1.8W (TA)
ZTX1147A Diodes Incorporated ZTX1147A -
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX1147A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 4 a 100NA PNP 235mv @ 70ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 115MHz
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H099SK3-13 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17A (TC) 6V, 10V 80mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 25.2 NC @ 10 v ± 20V 1172 pf @ 50 v - 34W (TC)
MMSTA63-7 Diodes Incorporated MMSTA63-7 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated DMG6968UDM-7 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMG6968 MOSFET (금속 (() 850MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6.5A 24mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 143pf @ 10V 논리 논리 게이트
FMMTA42QTA Diodes Incorporated FMMTA42QTA 0.0648
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-fmmta42Qtatr 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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