SIC
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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMN3009LFV-13 Diodes Incorporated DMN3009LFV-13 0.1725
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 ECAD 7211 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN3009 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 60A(Tc) 4.5V, 10V 5.5m옴 @ 30A, 10V 3V @ 250μA 42nC @ 10V ±20V 2000pF @ 15V - 2W(타)
DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ-7 0.0993
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 ECAD 8969 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN62 MOSFET(금속) 320mW(타) SOT-363 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN62D0UDWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 350mA(타) 2옴 @ 100mA, 4.5V 250μA에서 1.1V 0.5nC @ 4.5V 32pF @ 30V -
DMP3130L-7 Diodes Incorporated DMP3130L-7 0.4300
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 ECAD 81 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3130 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 3.5A(타) 2.5V, 10V 77m옴 @ 4.2A, 10V 250μA에서 1.3V 12nC @ 10V ±12V 15V에서 432pF - 700mW(타)
FZT657QTA Diodes Incorporated FZT657QTA 0.4050
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 ECAD 2319 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT657 3W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 300V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 5V 30MHz
DMT8030LFDF-7 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-7 0.2915
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 ECAD 6806 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT8030LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 80V 7.5A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 250μA 10.4nC @ 10V ±20V 25V에서 641pF - 1.2W(타)
ZVP3310FTA-50 Diodes Incorporated ZVP3310FTA-50 0.1328
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 ECAD 9890 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZVP3310 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 31-ZVP3310FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 100V 75mA(타) 10V 20옴 @ 150mA, 10V 3.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 330mW(타)
DDTC114WCA-7 Diodes Incorporated DDTC114WCA-7 -
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 ECAD 7397 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 24 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
FCX1047ATA Diodes Incorporated FCX1047ATA 0.7100
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 ECAD 57 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA FCX1047 2W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 10V 4A 10nA NPN 350mV @ 25mA, 5A 300 @ 1A, 2V 150MHz
DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated DMP2066LSN-7 0.4600
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 ECAD 143 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2066 MOSFET(금속) SC-59-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4.6A(타) 2.5V, 4.5V 40m옴 @ 4.6A, 4.5V 1.2V @ 250μA 10.1nC @ 4.5V ±12V 15V에서 820pF - 1.25W(타)
ZTX788B Diodes Incorporated ZTX788B 1.0600
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 ECAD 1 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 ZTX788 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 15V 3A - PNP 450mV @ 10mA, 2A 500 @ 10mA, 2V 100MHz
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated DMC6070LND-13 0.3045
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 ECAD 2262 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMC6070 MOSFET(금속) 1.4W PowerDI3333-8(유형UXB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 60V 3.1A, 2.4A 85m옴 @ 1.5A, 10V 3V @ 250μA 11.5nC @ 10V 731pF @ 20V -
DMTH10H4M5LPSW Diodes Incorporated DMTH10H4M5LPSW -
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 ECAD 5271 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8파워TDFN DMTH10 MOSFET(금속) PowerDI5060-8(UX부) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 20A(타), 107A(Tc) 4.5V, 10V 4.9m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 80nC @ 10V ±20V 50V에서 4843pF - 4.7W(Ta), 136W(Tc)
ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC 1.0400
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 ECAD 26 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ZXMHC3A01 MOSFET(금속) 870mW 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N 및 2 P 채널(하프 다리) 30V 2.17A, 1.64A 125m옴 @ 2.5A, 10V 3V @ 250μA 3.9nC @ 10V 190pF @ 25V 게임 레벨 레벨
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated DMP6023LFGQ-13 0.7800
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 ECAD 642 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 155°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMP6023 MOSFET(금속) POWERDI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 7.7A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 5A, 10V 3V @ 250μA 53.1nC @ 10V ±20V 30V에서 2569pF - 1W(타)
DRDPB16W-7 Diodes Incorporated DRDPB16W-7 -
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 ECAD 1056 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DRDPB16 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 600mA 500nA PNP - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
FZT689BTA Diodes Incorporated FZT689BTA 0.7300
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 ECAD 35 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT689 2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) NPN 450mV @ 20mA, 3A 400 @ 2A, 2V 150MHz
FCX495TC Diodes Incorporated FCX495TC 0.2320
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 ECAD 3220 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA FCX495 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 150V 1A 100nA NPN 300mV @ 50mA, 500mA 100 @ 1mA, 10V 100MHz
FZT1048ATC Diodes Incorporated FZT1048ATC -
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 ECAD 6434 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT1048A 2.5W SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 17.5V 5A 10nA NPN 350mV @ 25mA, 5A 300 @ 1A, 2V 150MHz
DMN62D0U-13 Diodes Incorporated DMN62D0U-13 0.3200
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 ECAD 60 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN62 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 380mA(타) 1.8V, 4.5V 2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.5nC @ 4.5V ±20V 32pF @ 30V - 380mW(타)
DDTC124TE-7-F Diodes Incorporated DDTC124TE-7-F 0.0605
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 ECAD 4709 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTC124 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 22kΩ
BC807-16-7-F Diodes Incorporated BC807-16-7-F 0.2100
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 ECAD 220 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 310mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
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 ECAD 44 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN65 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 300mA(타) 5V, 10V 3옴 @ 115mA, 10V 2V @ 250μA 10V에서 0.87nC ±20V 22pF @ 25V - 300mW(타)
DDA142TH-7 Diodes Incorporated DDA142TH-7 -
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 ECAD 8722 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DDA142 150mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 200MHz 470옴 -
ZXTC2063E6TA Diodes Incorporated ZXTC2063E6TA 0.7600
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 ECAD 2359 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXTC2063 1.1W SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 40V 3.5A, 3A 50nA(ICBO) NPN, PNP 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V 190MHz, 270MHz
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated DMG6968UDM-7 0.4600
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 ECAD 70 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 DMG6968 MOSFET(금속) 850mW SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 20V 6.5A 24m옴 @ 6.5A, 4.5V 250μA에서 900mV 8.8nC @ 4.5V 143pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2N7002-7 Diodes Incorporated 2N7002-7 -
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 ECAD 3190 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 115mA(타) 5V, 10V 7.5옴 @ 50mA, 5V 2.5V @ 250μA ±20V 25V에서 50pF - 370mW(타)
DMP2165UW-7 Diodes Incorporated DMP2165UW-7 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMP2165 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.5A(타) 1.8V, 4.5V 90m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250μA 3.5nC @ 4.5V ±12V 15V에서 335pF - 500mW(타)
DDTA114TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA114TUA-7-F 0.2500
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 ECAD 1680 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTA114 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ
APT13005STF-G1 Diodes Incorporated APT13005STF-G1 -
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 ECAD 7404 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 APT13005 28W ITO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. APT13005STF-G1DI EAR99 8541.29.0095 1,000 450V 3.2A - NPN 1V @ 750mA, 3A 8 @ 2A, 5V 4MHz
ZXTS1000E6TC Diodes Incorporated ZXTS1000E6TC -
보상요청
 ECAD 6268 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXTS1000 885mW SOT-23-6 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 12V 1.25A 10nA PNP + 다이오드(절연) 240mV @ 100mA, 1.25A 200 @ 500mA, 2V 220MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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