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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7 0.4100
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 ECAD 23 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UFDFN DMP58 MOSFET(금속) X1-DFN1006-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 50V 180mA(타) 2.5V, 5V 8옴 @ 100mA, 5V 2.1V @ 250μA ±20V 27pF @ 25V - 470mW(타)
DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XKA-7-F -
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 ECAD 9665 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200mW SC-59-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
DMP3036SFV-7 Diodes Incorporated DMP3036SFV-7 0.2035
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 ECAD 2702 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMP3036 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 30V 30A(타) 5V, 10V 20m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 16.5nC @ 10V ±25V 15V에서 1931pF - 2.3W(타)
DMN53D0LQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LQ-7 0.3800
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 ECAD 277 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN53 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 500mA(타) 2.5V, 10V 1.6옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 1.5V 0.6nC @ 4.5V ±20V 25V에서 46pF - 370mW(타)
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE-7 0.1547
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 ECAD 5814 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMP2039 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 25V 6.7A(타) 1.8V, 4.5V 27m옴 @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250μA 48.7nC @ 8V ±8V 2530pF @ 15V - 800mW(타)
FMMT38CTC Diodes Incorporated FMMT38CTC -
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 ECAD 9667 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT38C 330mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 60V 300mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.25V @ 8mA, 800mA 5000 @ 100mA, 5V -
ZXMN2A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN2A02X8TC -
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 ECAD 5271 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) MOSFET(금속) 8-MSOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 20V 6.2A(타) 2.5V, 4.5V 20m옴 @ 11A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 18.6nC @ 4.5V ±20V 1900pF @ 10V - 1.1W(타)
ZVNL120A Diodes Incorporated ZVNL120A 0.7700
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 ECAD 7790 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVNL120 MOSFET(금속) TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. ZVNL120A-NDR EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 200V 180mA(타) 3V, 5V 10옴 @ 250mA, 5V 1.5V @ 1mA ±20V 25V에서 85pF - 700mW(타)
ZVP3306ASTOB Diodes Incorporated ZVP3306ASTOB -
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 ECAD 6162 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 60V 160mA(타) 10V 14옴 @ 200mA, 10V 3.5V @ 1mA ±20V 18V에서 50pF - 625mW(타)
FMMT493W Diodes Incorporated FMMT493W -
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 ECAD 4652 0.00000000 다이 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mW SOT-23(DN 형식) - 31-FMMT493W EAR99 8541.21.0075 1 100V 1A 100nA NPN 600mV @ 100mA, 1A 100 @ 250mA, 10V 150MHz
ZTX451STZ Diodes Incorporated ZTX451STZ 0.2320
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 ECAD 7578 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX451 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 60V 1A 100nA(ICBO) NPN 350mV @ 15mA, 150mA 50 @ 150mA, 10V 150MHz
ZXMHC10A07T8TA Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA 0.9171
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 ECAD 2342 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-223-8 ZXMHC10 MOSFET(금속) 1.3W SM8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 2 N 및 2 P 채널(하프 다리) 100V 1A, 800mA 700m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 2.9nC @ 10V 60V에서 138pF -
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-7 0.1279
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 ECAD 4081 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMC67 MOSFET(금속) 580mW(타) U-DFN2020-6(B형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMC67D8UFDBQ-7DI EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 60V, 20V 390mA(타), 2.9A(타) 4옴 @ 500mA, 10V, 72m옴 @ 3.5A, 4.5V 2.5V @ 250μA, 1.25V @ 250μA 0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V 41pF @ 25V, 443pF @ 16V -
ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated ZXMN3B01FTA 0.5300
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 ECAD 4 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.7A(타) 2.5V, 4.5V 150mΩ @ 1.7A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 2.93nC @ 4.5V ±12V 15V에서 258pF - 625mW(타)
DMTH3004LK3-13 Diodes Incorporated DMTH3004LK3-13 0.4521
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 ECAD 5038 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMTH3004 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 21A(타), 75A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 44nC @ 10V +20V, -16V 15V에서 2370pF - 1.9W(타)
BCP5616QTC Diodes Incorporated BCP5616QTC 0.3600
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 ECAD 4 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2W SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BCP5616QTCDKR EAR99 8541.29.0075 4,000 80V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ-13 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MJD31 1.45W TO-252, (D-박) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 2,500 100V 3A 1μA NPN 500μA, 50mA에서 400mV 120 @ 100mA, 3V
DMP2040UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-7 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMP2040 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 13A(티씨) 2.5V, 4.5V 32m옴 @ 8.9A, 4.5V 250μA에서 1.5V 19nC @ 8V ±12V 10V에서 834pF - 1.8W(타)
DXTN07060BFG-7 Diodes Incorporated DXTN07060BFG-7 0.5400
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 ECAD 8933 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN DXTN07060 900mW PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 60V 3A 20nA(ICBO) NPN 500mV @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 2V 175MHz
DDTA144TCA-7 Diodes Incorporated DDTA144TCA-7 0.1000
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 DDTA144 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
ZXMN10B08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA 0.7500
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 ECAD 1913년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXMN10 MOSFET(금속) SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 1.6A(타) 4.3V, 10V 230m옴 @ 1.6A, 10V 3V @ 250μA 9.2nC @ 10V ±20V 50V에서 497pF - 1.1W(타)
DMN2004TK-7 Diodes Incorporated DMN2004TK-7 0.5200
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 ECAD 496 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMN2004 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 540mA(타) 1.8V, 4.5V 550m옴 @ 540mA, 4.5V 1V @ 250μA ±8V 150pF @ 16V - 150mW(타)
DMN31D5L-13 Diodes Incorporated DMN31D5L-13 0.0474
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 ECAD 9497 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN31 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 500mA(타) 2.5V, 4V 1.5옴 @ 10mA, 4V 250μA에서 1.6V 1.2nC @ 10V ±20V 15V에서 50pF - 350mW(타)
DMN3016LDV-7 Diodes Incorporated DMN3016LDV-7 0.6300
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 ECAD 2274 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN3016 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 2 N채널(듀얼) 21A(TC) 12m옴 @ 7A, 10V 2V @ 250μA 9.5nC @ 4.5V 1184pF @ 15V -
DMT69M8LPS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13 -
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 ECAD 1522 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 10.2A(Ta), 70A(Tc) 4.5V, 10V 12m옴 @ 13.5A, 10V 2V @ 250μA 33.5nC @ 10V ±16V 30V에서 1925pF - 2.3W(Ta), 113W(Tc)
DMJT9435-13 Diodes Incorporated DMJT9435-13 0.1550
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 ECAD 3485 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DMJT9435 1.2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 30V 3A - PNP 550mV @ 300mA, 3A 125 @ 800mA, 1V 160MHz
DMN2011UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN2011 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 20V 14.2A(타) 1.5V, 4.5V 9.5m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 56nC @ 10V ±12V 10V에서 2248pF - 2.1W(타)
2DB1132P-13 Diodes Incorporated 2DB1132P-13 -
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 ECAD 2273 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2DB1132 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 32V 1A 500nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 82 @ 100mA, 3V 190MHz
DMP6110SVT-7 Diodes Incorporated DMP6110SVT-7 0.6000
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 ECAD 93 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET(금속) TSOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 7.3A(Tc) 4.5V, 10V 105m옴 @ 4.5A, 10V 3V @ 250μA 17.2nC @ 10V ±20V 30V에서 969pF - 1.2W(타)
FZT688BTA Diodes Incorporated FZT688BTA 0.7300
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 ECAD 3122 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT688 2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 12V 4A 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 4A 400 @ 3A, 2V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

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