SIC
close

트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZTX601 Diodes Incorporated ZTX601 0.8700
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX601 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX601-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
FZT851TC Diodes Incorporated FZT851TC -
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT851 3 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 6 a 50NA (ICBO) NPN 375mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DDTA125TUA-7 Diodes Incorporated DDTA125TUA-7 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA125 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZXT10N50DE6TA Diodes Incorporated zxt10n50de6ta 0.5600
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 zxt10n50 1.1 w SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 3 a 100NA NPN 300mv @ 100ma, 3a 100 @ 2a, 2v 165MHz
2DD1621T-13 Diodes Incorporated 2DD1621T-13 -
RFQ
 ECAD 6429 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD1621 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 25 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 75ma, 1.5a 200 @ 100ma, 2v 300MHz
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated DMN2400UFD-7 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN2400 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 500 NC @ 4.5 v ± 12V 37 pf @ 16 v - 400MW (TA)
BCX5110TA Diodes Incorporated BCX5110TA 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5110 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 150MHz
ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated zxmp10a13fta 0.5800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 600MA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 3.5 nc @ 10 v ± 20V 141 pf @ 50 v - 625MW (TA)
ZXTN2010ZTA Diodes Incorporated ZXTN2010ZTA 0.8600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN2010 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 230mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DXTP22040CFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP22040CFGQ-7 0.2175
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.07 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DXTP22040CFGQ-7TR 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 20NA PNP 600mv @ 300ma, 3a 200 @ 500ma, 2v 120MHz
FZT605TA Diodes Incorporated FZT605TA 0.6800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT605 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 120 v 1.5 a 10µA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMN3112SSS-13 Diodes Incorporated DMN3112SSS-13 -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN3112 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 5.8a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 268 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
DMP2010UFG-13 Diodes Incorporated DMP2010UFG-13 0.3197
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2010 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 12.7A (TA), 42A (TC) 2.5V, 4.5V 9.5mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 10V 3350 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated DMC1016UPD-13 0.7900
RFQ
 ECAD 846 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMC1016 MOSFET (금속 (() 2.3W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 12V, 20V 9.5A, 8.7A 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 32NC @ 8V 1454pf @ 6v -
ZUMT717TC Diodes Incorporated ZUMT717TC -
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 Zumt717 500MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 1.25 a 10NA PNP 240MV @ 100MA, 1.25A 200 @ 500ma, 2v 220MHz
DMP3017SFG-13 Diodes Incorporated DMP3017SFG-13 -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3017 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3017SFG-13DITR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 25V 2246 pf @ 15 v - 940MW (TA)
DMTH45M5SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVW-7 0.2842
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMTH45M5SFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 3.5V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 1083 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 51W (TC)
DDTA143EE-7-F Diodes Incorporated DDTA143EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA143 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
ZDT694TC Diodes Incorporated ZDT694TC -
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT694 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 120V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 5ma, 400ma 400 @ 200ma, 2v 130MHz
DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated DP0150BLP4-7 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
ZTX1051ASTZ Diodes Incorporated ztx1051astz 0.4494
RFQ
 ECAD 3449 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX1051 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 4 a 10NA NPN 210MV @ 100MA, 4A 300 @ 1a, 2v 155MHz
DST3904DJ-7 Diodes Incorporated DST3904DJ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DST3904 300MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DMG1013T-7 Diodes Incorporated DMG1013T-7 0.3000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMG1013 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 460MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 350ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.622 NC @ 4.5 v ± 6V 59.76 pf @ 16 v - 270MW (TA)
DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4025LSSQ-13 0.5054
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP4025 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 6A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 1640 pf @ 20 v - 1.52W (TA)
BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 200MW (TA)
DDA142JH-7 Diodes Incorporated DDA142JH-7 -
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDA142 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 470ohms 10kohms
DPLS320A-7 Diodes Incorporated DPLS320A-7 -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DPLS320 600MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 300ma, 3a. 3A 200 @ 1a, 2v 215MHz
BC817-25W-7 Diodes Incorporated BC817-25W-7 0.2400
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
ZXMD65N02N8TA Diodes Incorporated zxmd65n02n8ta -
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - Digi-Reel® 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMD65N02 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 25mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA - - -
DDTC124TE-7-F Diodes Incorporated DDTC124TE-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC124 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다