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트랜지스터 (6028)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTB114GU-7-F | - |  | 3223 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DDTB114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 56 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
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| DDTB123EU-7-F | - | | 9455 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DDTB123 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 39 @ 50MA, 5V | 200MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||
 | DMTH47M2SPSWQ-13 | 0.3045 | | 6286 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | DMTH47 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (유형 ux) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH47M2SPSWQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 73A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 12.1 NC @ 10 v | ± 20V | 897 pf @ 20 v | - | 3.3W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||
| BST16TA | - | | 6952 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BST16 | 1 W. | SOT-89-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300 v | 500 MA | 50µA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | 15MHz | ||||||||||||||||||
 | DMP2541UCP9-7 | 0.2491 | | 5783 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-XFBGA, DSBGA | DMP2541 | MOSFET (금속 (() | X2-DSN1515-9 (유형 b) | - | 31-DMP2541UCP9-7 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 25 v | 3.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 2a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 4.7 NC @ 4.5 v | -6V | 566 pf @ 10 v | - | 900MW (TA) | |||||||||||||||
| ZTX955 | 0.4970 | | 3283 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | ZTX955 | 1.2 w | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 140 v | 3 a | 50NA (ICBO) | PNP | 300ma, 3a. 3A | 100 @ 1a, 5V | 110MHz | |||||||||||||||||
 | DMN26D0UFB4-7 | - | | 2494 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMN26 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 230MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 3ohm @ 100ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | ± 10V | 14.1 pf @ 15 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||
| zvp2120astob | - | | 8830 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | ZVP2120 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 200 v | 120MA (TA) | 10V | 25ohm @ 150ma, 10V | 3.5V @ 1mA | ± 20V | 100 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
| DMPH6250S-13 | 0.4200 | | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMPH6250 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 60 v | 2.4A (TA) | 4.5V, 10V | 155mohm @ 2a, 10V | 3V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 512 pf @ 30 v | - | 920MW | |||||||||||||
 | zxmp6a18dn8ta | 1.5600 | | 4 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMP6A18 | MOSFET (금속 (() | 1.8W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 3.7a | 55mohm @ 3.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 44NC @ 10V | 1580pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
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 | ZXM62P02E6TA | 0.7500 | | 98 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | ZXM62P02 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 2.7V, 4.5V | 200mohm @ 1.6a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 5.8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 320 pf @ 15 v | - | 1.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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