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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH6005LPSQ-13	1.5000	RFQ	4056	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	20.6A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 50a, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	3.2W (TA), 150W (TC)
DMP3018SSS-13	0.6300	RFQ	3241	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP3018	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	10.5A (TA), 25A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 11.5A, 10V	3V @ 250µA	57 NC @ 10 v	± 25V	2714 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
DMN3731UFB4-7B	0.3000	RFQ	9	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN3731	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	1.2A (TA)	1.8V, 4.5V	460mohm @ 200ma, 4.5v	950MV @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V	73 pf @ 25 v	-	520MW (TA)
DMN3061SVTQ-7	0.4700	RFQ	3057	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMN3061	MOSFET (금속 (()	880MW (TA)	TSOT-26	-				31-DMN3061SVTQ-7	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	3.4A (TA)		60mohm @ 3.1a, 10V	1.8V @ 250µA	6.6NC @ 10V		278pf @ 15V	기준
DMT10H017LPD-13	0.6938	RFQ	7312	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT10	MOSFET (금속 (()	2.2W (TA), 78W (TC)	PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		100V	54.7a (TC)		17.4mohm @ 17a, 10V	3V @ 250µA	28.6NC @ 10V		1986pf @ 50v	-
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DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMP2110	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	3.5A (TA)	2.5V, 4.5V	80mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 v	± 10V	443 pf @ 10 v	-	800MW (TA)
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zxtp2039fta	0.4000	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTP2039		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													60 v	1 a	100NA	PNP	600mv @ 100ma, 1a	100 @ 500ma, 5V	150MHz
DDA122TU-7-F	-	RFQ	2019	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDA122		200MW	SOT-363	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	-	2 pnp--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	200MHz	220ohms	-
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DMN2041L-7	0.3800	RFQ	206	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2041	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	6.4A (TA)	2.5V, 4.5V	28mohm @ 6a, 4.5v	1.2V @ 250µA	15.6 NC @ 10 v	± 12V	550 pf @ 10 v	-	780MW (TA)
DMTH6002LPSWQ-13	1.0319	RFQ	9232	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8 (SWP)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH6002LPSWQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	205A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 30A, 10V	3V @ 250µA	131 NC @ 10 v	± 20V	8289 pf @ 30 v	-	3W (TA), 167W (TC)
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DST857BDJ-7	0.4000	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-963	DST857		300MW	SOT-963	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000													45V	100ma	15NA (ICBO)	2 PNP (()	500mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	340MHz
DMN2310UFB4-7B	0.0425	RFQ	4685	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN2310	MOSFET (금속 (()		X2-DFN1006-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN2310UFB4-7BTR	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	20 v	2.1A (TA)	1.5V, 4.5V	175mohm @ 1a, 4.5v	950MV @ 250µA	0.7 nc @ 4.5 v	± 8V	38 pf @ 10 v	-	710MW (TA)
DMNH6012SPS-13	0.5513	RFQ	6134	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMNH6012	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	11mohm @ 50a, 10V	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 v	± 20V	1926 pf @ 30 v	-	1.6W (TA)
DMT12H065LFDF-7	0.3605	RFQ	3639	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMT12	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT12H065LFDF-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	115 v	4.3A (TA)	3V, 10V	65mohm @ 3a, 10V	2.2V @ 250µA	5.5 nc @ 10 v	± 12V	252 pf @ 50 v	-	1W (TA)
DXT690BP5Q-13	0.2700	RFQ	4173	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXT690		740 MW	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000													45 v	3 a	20NA	NPN	350MV @ 150MA, 3A	400 @ 1a, 2v	150MHz
DMN3013LFG-13	0.3080	RFQ	9401	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3013	MOSFET (금속 (()	2.16W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 D)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	9.5A (TA), 15A (TC)		14.3mohm @ 4a, 8v	1.2V @ 250µA	5.7nc @ 4.5v		600pf @ 15V	-
zxtn2031fta	0.7900	RFQ	8562	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXTN2031		1.2 w	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													50 v	5 a	20NA (ICBO)	NPN	170mv @ 250ma, 5a	200 @ 500ma, 2v	125MHz
DMN1019USN-7	0.4500	RFQ	7	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN1019	MOSFET (금속 (()		SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	12 v	9.3A (TA)	1.2V, 2.5V	10mohm @ 9.7a, 4.5v	800MV @ 250µA	50.6 NC @ 8 v	± 8V	2426 pf @ 10 v	-	680MW (TA)
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DMN61D9UWQ-13	0.3500	RFQ	212	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	DMN61	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	60 v	400MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.4 nc @ 4.5 v	± 20V	28.5 pf @ 30 v	-	440MW (TA)
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DMN3005LK3-13	-	RFQ	3496	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMN3005	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	14.5A (TA)	4.5V, 10V	5MOHM @ 20A, 10V	2V @ 250µA	46.9 NC @ 4.5 v	± 20V	4342 pf @ 15 v	-	1.68W (TA)
ZXT12P20DXTC	-	RFQ	1127	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	ZXT12P20D		1.04W	8-MSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	4,000													20V	2.5A	100NA	2 PNP (()	200mv @ 125ma, 2.5a	300 @ 1a, 2v	110MHz
DMN3300U-7	0.4600	RFQ	14	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3300	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2A (TA)	1.5V, 4.5V	150mohm @ 4.5a, 4.5v	1V @ 250µA		± 12V	193 pf @ 10 v	-	700MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²