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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMG3402LQ-13	0.1083	RFQ	8712	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3402	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMG3402LQ-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	30 v	4A (TA)	2.5V, 10V	52mohm @ 4a, 10V	1.4V @ 250µA	11.7 NC @ 10 v	± 12V	464 pf @ 15 v	-	1.4W
DDTA123TKA-7-F	-	RFQ	1005	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA123		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA (ICBO)	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	250MHz	2.2 Kohms
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ZXMN10A11KTC	0.2855	RFQ	9592	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	ZXMN10	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	2.4A (TA)	6V, 10V	350mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	5.4 NC @ 10 v	± 20V	274 pf @ 50 v	-	2.11W (TA)
zxmp3a16n8ta	0.9000	RFQ	535	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMP3A16	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		p 채널	30 v	5.6A (TA)	4.5V, 10V	4.2A, 10V 40mohm	1V @ 250µA	29.6 NC @ 10 v	± 20V	1022 pf @ 15 v	-	1.9W (TA)
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DCX122LH-13	-	RFQ	1048	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				DCX122				-	rohs 준수	1 (무제한)		31-DCX122LH-13TR	귀 99	8541.21.0095	3,000
DMN6040SSSQ-13	0.1688	RFQ	9118	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMN6040SSSQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	5.5A (TA)	4.5V, 10V	4.5A, 10V 40mohm	3V @ 250µA	22.4 NC @ 10 v	± 20V	1287 pf @ 25 v	-	1.5W (TA)
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ZXMP4A16GQTC	0.3675	RFQ	8028	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXMP4A16			SOT-223-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	4,000
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DMP2160U-7	0.4500	RFQ	45	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2160	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.2A (TA)	1.8V, 4.5V	80mohm @ 1.5a, 4.5v	900MV @ 250µA		± 12V	627 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
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DDTC144TUA-7	-	RFQ	7885	다이오드가 다이오드가	DDTC (R1 전용 시리즈) ua	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTC144		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50 v	100 MA	500NA (ICBO)	npn-사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	47 Kohms
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DMP21D0UT-7	0.3700	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMP21	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	590MA (TA)	1.8V, 4.5V	495mohm @ 400ma, 4.5v	700mv @ 250µa (타이핑)	1.54 NC @ 8 v	± 8V	80 pf @ 10 v	-	240MW (TA)
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DMG1029SV-7-50	0.0630	RFQ	3701	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMG1029	MOSFET (금속 (()	450MW (TA)	SOT-563	다운로드				31-DMG1029SV-7-50	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 보완 p 채널 및		60V	500MA (TA), 360MA (TA)		1.7ohm @ 500ma, 10v, 4ohm @ 500ma, 10v	2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA	0.3nc @ 4.5v, 0.28nc @ 4.5v		30pf @ 25v, 25pf @ 25v	기준
DMC4029SSDQ-13	0.3502	RFQ	7696	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMC4029	MOSFET (금속 (()	1.8W (TA)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 보완 p 채널 및		40V	9A (TA), 6.5A (TA)		24mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	8.8nc @ 4.5v, 10.6nc @ 4.5v		1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V	-
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dmn2710uvq-13	0.3400	RFQ	8960	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMN2710	MOSFET (금속 (()	500MW (TA)	SOT-563	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)		20V	920MA (TA)		450mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		42pf @ 16V	기준
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DMP22D6UT-7	0.5200	RFQ	40	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMP22	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	430MA (TA)	1.8V, 4.5V	1.1ohm @ 430ma, 4.5v	1V @ 250µA		± 8V	175 pf @ 16 v	-	150MW (TA)
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DMP4025SFG-7-52	0.1965	RFQ	4655	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP4025	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드				31-DMP4025SFG-7-52	귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	40 v	4.65A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 3a, 10V	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 v	± 20V	1643 PF @ 20 v	-	810MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²