SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
RFQ
ECAD 7696 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC4029 MOSFET (금속 (() 1.8W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 40V 9A (TA), 6.5A (TA) 24mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v, 10.6nc @ 4.5v 1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V -
BSS8402DWQ-7 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7 0.4100
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 60V, 50V 115ma, 130ma 13.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
ECAD 3508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS8402DWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 60V, 50V 115MA (TA), 130MA (TA) 13.5ohm @ 500ma, 10v, 10ohm @ 100ma, 5v 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA - 50pf @ 25v, 45pf @ 25v -
DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated dmn2710uvq-13 0.3400
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN2710 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 920MA (TA) 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 42pf @ 16V 기준
DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated DMP3007SCG-7 0.8000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3007 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 25V 2826 pf @ 15 v - 2.4W (TA)
2N7002DWKX-7 Diodes Incorporated 2N7002DWKX-7 -
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2N7002 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002DWKX-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 -
DMP22D6UT-7 Diodes Incorporated DMP22D6UT-7 0.5200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMP22 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 430MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.1ohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 8V 175 pf @ 16 v - 150MW (TA)
ZVN0124ZSTOA Diodes Incorporated ZVN0124ZSTOA -
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 160MA (TA) 10V 16ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - -
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3730 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 64.3 pf @ 25 v - 470MW (TA)
2DC4672-13-79 Diodes Incorporated 2DC4672-13-79 -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2DC4672 - rohs 준수 1 (무제한) 31-2DC4672-13-79TR 쓸모없는 2,500
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated DMN3027LFG-7 0.6700
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3027 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18.6MOHM @ 10A, 10V 1.8V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 25V 580 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3-13 0.5900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP6180 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 12a, 10V 2.7V @ 250µA 17.1 NC @ 10 v ± 20V 984.7 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
ADTA144VCAQ-13 Diodes Incorporated ADTA144VCAQ-13 0.0526
RFQ
ECAD 3864 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA144 310 MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ADTA144VCAQ-13TR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated zxmp3a16dn8ta 1.4300
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMP3A16 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 p 채널 (채널) 30V 4.2A 45mohm @ 4.2a, 10V 1V @ 250µA (Min) 29.6NC @ 10V 1022pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated DMP2021UTS-13 0.3045
RFQ
ECAD 5048 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DMP2021 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 18A (TC) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 8 v ± 10V 2760 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
FZT795AQTA Diodes Incorporated FZT795AQTA 0.3800
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FZT795AQTART 귀 99 8541.29.0075 1,000 140 v 500 MA 100NA PNP 300mv @ 5ma, 200ma 300 @ 10ma, 2v 100MHz
DMG3404L-7 Diodes Incorporated DMG3404L-7 0.4300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 15 v - 780MW (TA)
DMN65D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN65 MOSFET (금속 (() 300MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 180ma 6ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87NC @ 10V 25V @ 25V 논리 논리 게이트
BC857BW-7-F Diodes Incorporated BC857BW-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
ZTX449 Diodes Incorporated ZTX449 -
RFQ
ECAD 6516 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 150MHz
DDTB123YU-7-F Diodes Incorporated DDTB123YU-7-F -
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTB123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated DMN2400UV-7 0.4700
RFQ
ECAD 97 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN2400 MOSFET (금속 (() 530MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.33A 480mohm @ 200ma, 5V 900MV @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 36pf @ 16v 논리 논리 게이트
ADC124EUQ-13 Diodes Incorporated ADC124EUQ-13 0.0480
RFQ
ECAD 7613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC124 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) - - 250MHz 22kohms 22kohms
ZXMN10B08E6TA Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA 0.7500
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMN10 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.3V, 10V 230mohm @ 1.6a, 10V 3V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 497 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
DDTA143ZUA-7-F Diodes Incorporated DDTA143ZUA-7-F 0.0435
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT3006LFJ-13 0.5153
RFQ
ECAD 1606 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powervdfn DMHT3006 MOSFET (금속 (() 1.3W (TA) V-DFN5045-12 (C 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 4 n 채널 (채널 교량) 30V 13A (TA) 10MOHM @ 10A, 10V 3V @ 250µA 17nc @ 10V 1171pf @ 15V -
ZVP3310FTC Diodes Incorporated zvp3310ftc -
RFQ
ECAD 1899 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 100 v 75MA (TA) 10V 20ohm @ 150ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 330MW (TA)
DMT10H032LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H032LSSSS-13 0.2198
RFQ
ECAD 4307 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT10 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H032LSS-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 v ± 20V 683 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
DMN3032LFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-13 0.1559
RFQ
ECAD 3807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3032 MOSFET (금속 (() 1W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.2A (TA) 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 10.6NC @ 10V 500pf @ 15V -
DMT35M4LFVW-13 Diodes Incorporated DMT35M4LFVW-13 0.1983
RFQ
ECAD 2115 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT35M4LF MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT35M4LFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 16.1 NC @ 10 v ± 20V 982 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고