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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated DMN3013LDG-13 0.3080
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 ECAD 8285 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN DMN3013 MOSFET(금속) 2.16W(타) PowerDI3333-8(타입 D) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 9.5A(Ta), 15A(Tc) 14.3m옴 @ 4A, 8V 1.2V @ 250μA 5.7nC @ 4.5V 600pF @ 15V -
DMN2004TK-7 Diodes Incorporated DMN2004TK-7 0.5200
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 ECAD 496 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMN2004 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 540mA(타) 1.8V, 4.5V 550m옴 @ 540mA, 4.5V 1V @ 250μA ±8V 150pF @ 16V - 150mW(타)
DMN31D5L-13 Diodes Incorporated DMN31D5L-13 0.0474
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 ECAD 9497 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN31 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 500mA(타) 2.5V, 4V 1.5옴 @ 10mA, 4V 250μA에서 1.6V 1.2nC @ 10V ±20V 15V에서 50pF - 350mW(타)
DMN3016LDV-7 Diodes Incorporated DMN3016LDV-7 0.6300
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 ECAD 2274 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN3016 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 2 N채널(듀얼) 21A(TC) 12m옴 @ 7A, 10V 2V @ 250μA 9.5nC @ 4.5V 1184pF @ 15V -
DMT69M8LPS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13 -
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 ECAD 1522 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 10.2A(Ta), 70A(Tc) 4.5V, 10V 12m옴 @ 13.5A, 10V 2V @ 250μA 33.5nC @ 10V ±16V 30V에서 1925pF - 2.3W(Ta), 113W(Tc)
DMN2011UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN2011 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 20V 14.2A(타) 1.5V, 4.5V 9.5m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 56nC @ 10V ±12V 10V에서 2248pF - 2.1W(타)
2DB1132P-13 Diodes Incorporated 2DB1132P-13 -
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 ECAD 2273 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2DB1132 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 32V 1A 500nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 82 @ 100mA, 3V 190MHz
DMP6110SVT-7 Diodes Incorporated DMP6110SVT-7 0.6000
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 ECAD 93 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET(금속) TSOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 7.3A(Tc) 4.5V, 10V 105m옴 @ 4.5A, 10V 3V @ 250μA 17.2nC @ 10V ±20V 30V에서 969pF - 1.2W(타)
FZT688BTA Diodes Incorporated FZT688BTA 0.7300
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 ECAD 3122 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT688 2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 12V 4A 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 50mA, 4A 400 @ 3A, 2V 150MHz
BS107P Diodes Incorporated BS107P 0.6300
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 ECAD 1762년 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BS107 MOSFET(금속) TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 200V 120mA(타) 2.6V, 5V 30옴 @ 100mA, 5V - ±20V - 500mW(타)
DMTH6012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH6012LPSW-13 0.2453
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 ECAD 8826 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH6012 MOSFET(금속) PowerDI5060-8(Q형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. 31-DMTH6012LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 11.5A(Ta), 50.5A(Tc) 4.5V, 10V 14m옴 @ 20A, 10V 2.3V @ 250μA 13.6nC @ 10V ±20V 30V에서 785pF - 2.8W(Ta), 53.6W(Tc)
FCX558QTA Diodes Incorporated FCX558QTA 0.5800
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 ECAD 1 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA FCX558 700mW SOT-89-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 400V 200mA 100nA PNP 500mV @ 6mA, 50mA 100 @ 50mA, 10V 50MHz
DZT956-13 Diodes Incorporated DZT956-13 -
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 ECAD 2119 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - RoHS 준수 1(무제한) 31-DZT956-13TR 더 이상 사용하지 않는 경우 3,000
DMN3013LFG-13 Diodes Incorporated DMN3013LFG-13 0.3080
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 ECAD 9401 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN DMN3013 MOSFET(금속) 2.16W(타) PowerDI3333-8(타입 D) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 9.5A(Ta), 15A(Tc) 14.3m옴 @ 4A, 8V 1.2V @ 250μA 5.7nC @ 4.5V 600pF @ 15V -
MMST2222A-7 Diodes Incorporated MMST2222A-7 -
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 ECAD 5339 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MMST2222A 200mW SOT-323 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FZT788BTC Diodes Incorporated FZT788BTC -
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 ECAD 1025 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT788 2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 15V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 3A 500 @ 10mA, 2V 100MHz
ZTX948STOB Diodes Incorporated ZTX948STOB -
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 ECAD 9446 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 ZTX948 1.2W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 20V 4.5A 50nA(ICBO) PNP 310mV @ 300mA, 5A 100 @ 1A, 1V 80MHz
FZT653TA Diodes Incorporated FZT653TA 0.6800
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 ECAD 238 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT653 2W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 100V 2A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 2V 175MHz
APT13003LZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003LZTR-G1 -
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 ECAD 6804 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 APT13003 800mW TO-92 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. APT13003LZTR-G1DI EAR99 8541.21.0095 2,000 450V 800mA - NPN 500mV @ 40mA, 200mA 6 @ 300mA, 10V -
DDTA144EE-7 Diodes Incorporated DDTA144EE-7 0.3500
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 ECAD 8 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTA144 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
DMT10H032LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H032LSS-13 0.2198
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 ECAD 4307 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMT10 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT10H032LSS-13TR EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 5A(타) 4.5V, 10V 32m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 11.9nC @ 10V ±20V 50V에서 683pF - 1.3W(타)
DDTC143FUA-7 Diodes Incorporated DDTC143FUA-7 0.1000
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 ECAD 863 0.00000000 다이오드 통합 * 컷테이프(CT) 활동적인 DDTC143 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1034-DDTC143FUA-7DKR EAR99 8541.21.0075 3,000
DMT8008SCT Diodes Incorporated DMT8008SCT 1.1132
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 ECAD 8439 0.00000000 다이오드 통합 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 DMT8008 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT8008SCT EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 111A(Tc) 10V 7.5m옴 @ 30A, 10V 4V @ 1mA 34nC @ 10V ±20V 40V에서 1950pF - 2.4W(Ta), 167W(Tc)
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTB113ZC-7-F 0.2500
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 ECAD 20 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB113 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 300mV @ 2.5mA, 50mA 56 @ 50mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 0.5880
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 ECAD 2569 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMNH10 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 55A(Tc) 10V 28m옴 @ 20A, 10V 3.3V @ 250μA 36nC @ 10V ±20V 50V에서 2245pF - 2W(타)
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7 0.8900
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 ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMN6013 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 10.3A(Ta), 45A(Tc) 4.5V, 10V 13m옴 @ 10A, 10V 3V @ 250μA 55.4nC @ 10V ±20V 30V에서 2577pF - 1W(타)
DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated DMN52D0LT-7 0.3800
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 ECAD 8916 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 DMN52 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 31-DMN52D0LT-7CT EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 50V 350mA(타) 1.8V, 5V 2옴 @ 50mA, 5V 1.2V @ 250μA 1.5nC @ 10V ±12V 25V에서 40pF - 500mW(타)
DMN52D0UVA-13 Diodes Incorporated DMN52D0UVA-13 0.4700
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 ECAD 8081 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN52 MOSFET(금속) 480mW SOT-563 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 50V 480mA(타) 2옴 @ 50mA, 5V 1V @ 250μA 1.5nC @ 10V 39pF @ 25V -
ZVP3310FTA-50 Diodes Incorporated ZVP3310FTA-50 0.1328
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 ECAD 9890 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZVP3310 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 31-ZVP3310FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 100V 75mA(타) 10V 20옴 @ 150mA, 10V 3.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 330mW(타)
FCX1047ATA Diodes Incorporated FCX1047ATA 0.7100
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 ECAD 57 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA FCX1047 2W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 10V 4A 10nA NPN 350mV @ 25mA, 5A 300 @ 1A, 2V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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