SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DDA142TH-7 Diodes Incorporated DDA142-7 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDA142 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 470ohms -
BCX5616QTC Diodes Incorporated BCX5616QTC 0.0945
RFQ
ECAD 1381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5616 1 W. SOT-89-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BCX5616QTCTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-7 0.1686
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT10 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H052LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 258 pf @ 50 v - 800MW (TA)
2N7002-7-F Diodes Incorporated 2N7002-7-F 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated DMN21D2UFB-7 0.0828
RFQ
ECAD 3016 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN21 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN21D2UFB-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 760MA (TA) 1.5V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.93 nc @ 10 v ± 12V 27.6 pf @ 16 v - 380MW (TA)
MMSTA63-7 Diodes Incorporated MMSTA63-7 0.4500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated DMP2066LSN-7 0.4600
RFQ
ECAD 143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2066 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 40cohm @ 4.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.1 NC @ 4.5 v ± 12V 820 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
DMN5L06KQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06KQ-7 -
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN5L06 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 300MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW
DCP55-13 Diodes Incorporated DCP55-13 -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP55 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 200MHz
BSS123W-7 Diodes Incorporated BSS123W-7 -
RFQ
ECAD 8072 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 200MW (TA)
DMP34M4SPS-13 Diodes Incorporated DMP34M4SPS-13 1.1200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP34 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 135A (TC) 5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 127 NC @ 10 v ± 25V 3775 pf @ 15 v - 1.5W
ZTX757STOB Diodes Incorporated ZTX757STOB -
RFQ
ECAD 4872 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX757 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
DMTH6016LFVWQ-7-A Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-7-A 0.3236
RFQ
ECAD 2565 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH6016 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH6016LFVWQ-7-ATR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 41A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 15.1 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 1.17W (TA)
AC857BQ-7 Diodes Incorporated AC857BQ-7 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AC857 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
DMPH33M8SPSW-13 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSW-13 0.8078
RFQ
ECAD 4637 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMPH33 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (Q 형) - 31-DMPH33M8SPSW-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 100A (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 127 NC @ 10 v ± 20V 3775 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
DCP69A-13 Diodes Incorporated DCP69A-13 0.1395
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DCP69A 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 250MHz
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7 -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMG3415 MOSFET (금속 (() DFN2015H4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 16 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 281.9 pf @ 10 v - 400MW (TA)
ZVNL120C Diodes Incorporated ZVNL120C -
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250ma, 5V 1.5V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMTH6005LFG-7 Diodes Incorporated DMTH6005LFG-7 0.5078
RFQ
ECAD 2590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMTH6005 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMTH6005LFG-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 19.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 48.7 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 30 v - 2.38W (TA), 75W (TC)
ZVN2120A Diodes Incorporated ZVN2120A -
RFQ
ECAD 5373 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated DMN2022UNS-7 0.5900
RFQ
ECAD 5044 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN2022 MOSFET (금속 (() 1.2W PowerDI3333-8 (유형 UXB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 10.7A (TA) 10.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 20.3NC @ 4.5V 1870pf @ 10V -
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
ECAD 67 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 MOSFET (금속 (() 450MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 900ma 260mohm @ 880ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
BC847AW-7-F Diodes Incorporated BC847AW-7-F 0.0349
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
BCV47TC Diodes Incorporated BCV47TC 0.3500
RFQ
ECAD 1930 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 500 MA - npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 170MHz
FZT591TA Diodes Incorporated FZT591TA 0.6400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT591 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA PNP 600mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 5V 150MHz
AC817-40Q-7 Diodes Incorporated AC817-40Q-7 0.0483
RFQ
ECAD 3417 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AC817 310 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-13 0.1469
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT10 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H052LFDF-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 100 v 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 258 pf @ 50 v - 800MW (TA)
ZDT6702QTA Diodes Incorporated ZDT6702QTA 0.8667
RFQ
ECAD 4945 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT6702 2.75W SM-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZDT6702QTART 귀 99 8541.29.0075 1,000 60V 1.75A 500NA NPN, PNP 보완적인 달링턴 1.28V @ 2MA, 1.75A 5000 @ 500ma, 5v / 2000 @ 500ma, 5v 140MHz
DMP510DLQ-13 Diodes Incorporated DMP510DLQ-13 0.0406
RFQ
ECAD 8994 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP510 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP510DLQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 50 v 196MA (TA) 5V 9.5ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA 0.5 nc @ 10 v ± 30V 40 pf @ 25 v - 520MW (TA)
FZT795ATC Diodes Incorporated FZT795ATC -
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT795 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 140 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 50ma, 500ma 300 @ 10ma, 2v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고