전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDA142-7 | - | ![]() | 8722 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DDA142 | 150MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | - | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 1ma, 5V | 200MHz | 470ohms | - | |||||||||||||||||
![]() | BCX5616QTC | 0.0945 | ![]() | 1381 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX5616 | 1 W. | SOT-89-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-BCX5616QTCTR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMT10H052LFDF-7 | 0.1686 | ![]() | 5503 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMT10 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT10H052LFDF-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 5.4 NC @ 10 v | ± 20V | 258 pf @ 50 v | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||
2N7002-7-F | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 50ma, 5V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 370MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMN21D2UFB-7 | 0.0828 | ![]() | 3016 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | DMN21 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1006-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN21D2UFB-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 760MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 990mohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.93 nc @ 10 v | ± 12V | 27.6 pf @ 16 v | - | 380MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | MMSTA63-7 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2066LSN-7 | 0.4600 | ![]() | 143 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP2066 | MOSFET (금속 (() | SC-59-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 40cohm @ 4.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 10.1 NC @ 4.5 v | ± 12V | 820 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||
DMN5L06KQ-7 | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN5L06 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 300MA (TA) | 1.8V, 5V | 2ohm @ 50ma, 5V | 1V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 350MW | |||||||||||||||
DCP55-13 | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | DCP55 | 1 W. | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||
BSS123W-7 | - | ![]() | 8072 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP34M4SPS-13 | 1.1200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMP34 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 135A (TC) | 5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 2.6V @ 250µA | 127 NC @ 10 v | ± 25V | 3775 pf @ 15 v | - | 1.5W | |||||||||||||
![]() | ZTX757STOB | - | ![]() | 4872 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | ZTX757 | 1 W. | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 100ma | 50 @ 100MA, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMTH6016LFVWQ-7-A | 0.3236 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMTH6016 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH6016LFVWQ-7-ATR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 41A (TC) | 4.5V, 10V | 16MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15.1 NC @ 10 v | ± 20V | 939 pf @ 30 v | - | 1.17W (TA) | ||||||||||||||
AC857BQ-7 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AC857 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMPH33M8SPSW-13 | 0.8078 | ![]() | 4637 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMPH33 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (Q 형) | - | 31-DMPH33M8SPSW-13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 127 NC @ 10 v | ± 20V | 3775 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
DCP69A-13 | 0.1395 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | DCP69A | 1 W. | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 85 @ 500ma, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMG3415UFY4-7 | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMG3415 | MOSFET (금속 (() | DFN2015H4-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 16 v | 2.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 281.9 pf @ 10 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||||
![]() | ZVNL120C | - | ![]() | 9929 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (금속 (() | To-92 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 180MA (TA) | 3V, 5V | 10ohm @ 250ma, 5V | 1.5V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMTH6005LFG-7 | 0.5078 | ![]() | 2590 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMTH6005 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 31-DMTH6005LFG-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 19.7A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48.7 NC @ 10 v | ± 20V | 3150 pf @ 30 v | - | 2.38W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||
![]() | ZVN2120A | - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (금속 (() | To-92 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 180MA (TA) | 10V | 10ohm @ 250ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMN2022UNS-7 | 0.5900 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN2022 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | PowerDI3333-8 (유형 UXB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 10.7A (TA) | 10.8mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 20.3NC @ 4.5V | 1870pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | DMP2200UDW-13 | 0.4100 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2200 | MOSFET (금속 (() | 450MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 900ma | 260mohm @ 880ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 2.1NC @ 4.5V | 184pf @ 10V | - | |||||||||||||||
BC847AW-7-F | 0.0349 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||
BCV47TC | 0.3500 | ![]() | 1930 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCV47 | 330 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 v | 500 MA | - | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 170MHz | ||||||||||||||||||
FZT591TA | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | FZT591 | 2 w | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA | PNP | 600mv @ 100ma, 1a | 100 @ 500ma, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||
AC817-40Q-7 | 0.0483 | ![]() | 3417 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AC817 | 310 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMT10H052LFDF-13 | 0.1469 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMT10 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT10H052LFDF-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 5.4 NC @ 10 v | ± 20V | 258 pf @ 50 v | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ZDT6702QTA | 0.8667 | ![]() | 4945 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-223-8 | ZDT6702 | 2.75W | SM-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-ZDT6702QTART | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60V | 1.75A | 500NA | NPN, PNP 보완적인 달링턴 | 1.28V @ 2MA, 1.75A | 5000 @ 500ma, 5v / 2000 @ 500ma, 5v | 140MHz | ||||||||||||||||||
DMP510DLQ-13 | 0.0406 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP510 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP510DLQ-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 50 v | 196MA (TA) | 5V | 9.5ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | 0.5 nc @ 10 v | ± 30V | 40 pf @ 25 v | - | 520MW (TA) | |||||||||||||||
FZT795ATC | - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | FZT795 | 2 w | SOT-223-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 140 v | 500 MA | 100NA | PNP | 250mv @ 50ma, 500ma | 300 @ 10ma, 2v | 100MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고