SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FMMT489TC Diodes Incorporated FMMT489TC -
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT489 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 1 a 100NA NPN 600mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 150MHz
DMP31D7LDWQ-13 Diodes Incorporated DMP31D7LDWQ-13 0.0565
RFQ
 ECAD 5059 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP31 MOSFET (금속 (() 290MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP31D7LDWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 30V 550MA (TA) 900mohm @ 420ma, 10V 2.6V @ 250µA 0.8NC @ 10V 19pf @ 15V -
ZTX853 Diodes Incorporated ZTX853 1.0200
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX853 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 ZTX853-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 4 a 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 400ma, 4a 100 @ 2a, 2v 130MHz
DDA144EU-7 Diodes Incorporated DDA144EU-7 -
RFQ
 ECAD 6597 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA144 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated ZXTD6717E6TA 0.6600
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXTD6717 1.1W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 15V, 12V 1.5A, 1.25A 10NA NPN, PNP 245MV @ 20MA, 1.5A / 240MV @ 100MA, 1.25A 250 @ 500ma, 2v / 200 @ 500ma, 2v 180MHz, 220MHz
ZTX869STZ Diodes Incorporated ZTX869STZ 0.4970
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX869 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 2,000 25 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 220mv @ 100ma, 5a 300 @ 1a, 1v 100MHz
ZTX757STOA Diodes Incorporated ZTX757STOA -
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX757 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
ZDT6702TC Diodes Incorporated ZDT6702TC -
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT6702 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 60V 1.75A 500NA NPN, PNP Darlington (듀얼) 1.28V @ 2MA, 1.75A 5000 @ 500ma, 5v / 2000 @ 500ma, 5v 140MHz
BC848B-13-F Diodes Incorporated BC848B-13-F 0.0274
RFQ
 ECAD 8585 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC848B-13-FDI 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 450 @ 2MA, 5V 300MHz
FZT558TC Diodes Incorporated FZT558TC -
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT558 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 200 MA 100NA PNP 500mv @ 6ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V 50MHz
DMP32D4S-7 Diodes Incorporated DMP32D4S-7 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP32 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 300ma, 10V 2.4V @ 250µA 1.2 NC @ 10 v ± 20V 51.16 pf @ 15 v - 370MW (TA)
MMDT3904-7-F Diodes Incorporated MMDT3904-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
ZTX948 Diodes Incorporated ZTX948 0.4970
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX948 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 20 v 4.5 a 50NA (ICBO) PNP 310mv @ 300ma, 5a 100 @ 1a, 1v 80MHz
DMG1012TQ-7-52 Diodes Incorporated DMG1012TQ-7-52 0.0511
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 31-DMG1012TQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 630MA (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.737 NC @ 4.5 v ± 6V 60.67 pf @ 16 v - 280MW (TA)
ZXTP2008ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2008ZQTA 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP2008 1.5 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 5.5 a 20NA PNP 175MV @ 500MA, 5.5A 100 @ 1a, 1v 110MHz
DMN63D1LW-13 Diodes Incorporated DMN63D1LW-13 0.0376
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN63 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 310MW (TA)
DMN63D8LDW-7-52 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7-52 0.0538
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 31-DMN63D8LDW-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 30V 220MA (TA) 2.8ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 25V @ 25V 기준
ZTX958 Diodes Incorporated ZTX958 1.1700
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX958 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 ZTX958-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 400 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 500ma 100 @ 500ma, 10V 85MHz
FMMTL619TC Diodes Incorporated FMMTL619TC -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMTL619 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 1.25 a 10NA NPN 330mv @ 125ma, 1.25a 200 @ 500ma, 5V 180MHz
MMDT4401Q-7-F Diodes Incorporated MMDT4401Q-7-F 0.0616
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4401 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma 100NA 2 NPN (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated APT27ZTR-G1 -
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 APT27 800MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 2,000 450 v 800 MA 10µA NPN 500mv @ 40ma, 200ma 15 @ 100MA, 10V -
ZDT6758TC Diodes Incorporated ZDT6758TC -
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT6758 2.75W sm8 - 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 400V 500ma - NPN, PNP 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 200ma, 10V 50MHz
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC 0.9700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMC10 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 100V 2A 230mohm @ 1a, 10V 2.4V @ 250µA 9.2NC @ 10V 497pf @ 50V 논리 논리 게이트
DCX114YU-7 Diodes Incorporated DCX114YU-7 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
MMBTA55-7-F Diodes Incorporated MMBTA55-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA55 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 50MHz
ZDT717TC Diodes Incorporated ZDT717TC -
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT717 2.5W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12V 2.5A 100NA 2 PNP (() 220MV @ 50MA, 2.5A 300 @ 100MA, 2V 110MHz
DDTB122LC-7 Diodes Incorporated DDTB122LC-7 -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTB122 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 220 옴 10 KOHMS
DMP2070UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2070UCB6-7 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA, WLBGA DMP2070 MOSFET (금속 (() U-WLB1510-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 2.9 NC @ 4.5 v ± 8V 210 pf @ 10 v - 920MW (TA)
ZTX605STOA Diodes Incorporated ZTX605STOA -
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX605 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 120 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
BC817-40W-7 Diodes Incorporated BC817-40W-7 0.2800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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