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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH47M2LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVW-7 0.2333
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH47 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 31-DMTH47M2LFVW-7 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 13.6A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 881 pf @ 20 v - 2.9W (TA), 37.5W (TC)
DMP2006UFG-7 Diodes Incorporated DMP2006UFG-7 -
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2006 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 20 v 17.5A (TA), 40A (TC) 1.5V, 4.5V 5.2mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 10V 5404 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
DMN5L06DMK-7 Diodes Incorporated DMN5L06DMK-7 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 305MA 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
DDA123JH-7 Diodes Incorporated DDA123JH-7 0.0945
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDA123 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
DMP3068L-13 Diodes Incorporated DMP3068L-13 0.0622
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3068 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3068L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 3.3A (TA) 1.8V, 10V 72mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 15.9 NC @ 10 v ± 12V 708 pf @ 15 v - 700MW (TA)
ZTX651QSTZ Diodes Incorporated ZTX651QSTZ 0.4004
RFQ
 ECAD 2755 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 1.5 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-ZTX651QSTZTB 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 175MHz
MMDTA42-7-F Diodes Incorporated MMDTA42-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MMDTA42 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN4800 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9a, 10V 1.6V @ 250µA 8.7 NC @ 5 v ± 25V 798 pf @ 10 v - 1.46W (TA)
ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010GTA 0.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXTN2010 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 6 a 50NA (ICBO) NPN 260mv @ 300ma, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DXTP03140BFG-7 Diodes Incorporated DXTP03140BFG-7 0.5500
RFQ
 ECAD 6124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.07 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 140 v 4 a 20NA PNP 360mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 5V 120MHz
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated DMG2307LQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 371.3 pf @ 15 v - 760MW (TA)
BC857CT-7-F Diodes Incorporated BC857CT-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC857 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
AC847CWQ-7 Diodes Incorporated AC847CWQ-7 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 AC847 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 140MHz
ZXT12P40DXTA Diodes Incorporated zxt12p40dxta 0.7468
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXT12P40 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40V 2A 100NA 2 PNP (() 260mv @ 100ma, 2a 300 @ 1a, 2v 130MHz
DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated DMN2990UDJ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMN2990 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 450ma 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 27.6pf @ 16V 논리 논리 게이트
DDTA113TE-7 Diodes Incorporated DDTA113TE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA113 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DMT15H017LPS-13 Diodes Incorporated DMT15H017LPS-13 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT15 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 9.4A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3369 pf @ 75 v - 1.3W (TA)
FZT757TC Diodes Incorporated FZT757TC -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT757 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
DMTH6016LFDFW-7 Diodes Incorporated DMTH6016LFDFW-7 0.2725
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMTH6016 MOSFET (금속 (() U-DFN2020-6 (SWP) (F 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 925 pf @ 30 v - 1.06W (TA)
MMBT3906Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3906Q-7-F-52 0.0260
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 31-MMBT3906Q-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
ZTX1151A Diodes Incorporated ZTX1151A -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX1151A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX1151A-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 40 v 3 a 100NA PNP 240mv @ 250ma, 3a 250 @ 500ma, 2V 145MHz
MMBT3906T-13 Diodes Incorporated MMBT3906T-13 -
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DMP4065S-7 Diodes Incorporated DMP4065S-7 0.4300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 40 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 587 pf @ 20 v - 720MW (TA)
MMDT4401Q-7-F Diodes Incorporated MMDT4401Q-7-F 0.0616
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4401 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma 100NA 2 NPN (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated 2DC4617QLP-7 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn 2DC4617 250 MW X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
ZXM61N02FTC Diodes Incorporated zxm61n02ftc 0.1701
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61N02 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.7A (TA) 2.7V, 4.5V 180mohm @ 930ma, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 3.4 NC @ 4.5 v ± 12V 160 pf @ 15 v - 625MW (TA)
DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH4005SPSQ-13 1.2300
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH4005 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 10 v 20V 2847 pf @ 20 v - 2.8W
DCX69-25-13 Diodes Incorporated DCX69-25-13 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX69 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 200MHz
FZT493TA Diodes Incorporated FZT493TA 0.6400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT493 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 1 a 100NA NPN 600mv @ 100ma, 1a 100 @ 250ma, 10V 150MHz
2DA1774S-7 Diodes Incorporated 2DA1774S-7 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 2DA1774 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-2DA1774S-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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